Содержание
- 2. Жидкостное травление Травлением в жидких средах (или химичес- ким травлением) называется процесс перено- са вещества из
- 3. Цели процессов химического травления удаление с поверхности полупроводниковой под-ложки механически нарушенного слоя; снятие с полупроводниковой подложки
- 4. Методы травления полупроводников - Изотропное травление; - Анизотропное травление; - Селективное травление; - Локальное травление; -
- 5. Изотропное травление – растворение полупроводника с одинаковой скоростью травления по всем направлениям мо- нокристаллической подложки. Применяют
- 6. Локальное травление – удаление материала со строго ограниченных и заданных участков подложки. Обеспечи- вает получение элементов
- 7. Типы растворения вещества По характеру взаимодействия с веществом химическое трав- ление является реакцией растворения. Различают три
- 8. Кинетика процессов травления Все процессы травления полупроводниковых ма- териалов являются реактивными. При этом про- цесс травления
- 9. 1. Перенос молекул (ионов) из объёма раствора В начальный момент травления за счёт ин- тенсивной реакции
- 10. 2. Адсорбция молекул травителя На данной стадии молекулы травителя всту- пают в контакт с поверхностью полупроводни-
- 11. 3. Кинетическая стадия процесса. Данная стадия представляет собой собст- венно химическое взаимодействие адсорби- рованных молекул травителя
- 12. 4. Десорбция продуктов реакции В ходе кинетической стадии на поверхнос- ти полупроводника накапливаются продук- ты реакции,
- 13. 5. Удаление продуктов реакции в объём раствора Вблизи поверхности полупроводника накаплива- ются продукты реакции, концентрация которых
- 14. Травление с диффузионным контролем В данном случае скорость процесса травления никак не связана со свойствами поверхности
- 15. Травление с кинетическим контролем Скорость травления будет различной для плоскостей крис-таллов с различной плотностью упаковки атомов,
- 16. Механизмы травления полупроводников При отсутствии электрического поля трав- ление полупроводников в жидких средах мо- жет происходить
- 17. Особенности химического механизма травления При химическом механизме травления на по- верхности полупроводника протекают окисли- тельно–восстановительные реакции,
- 18. Травление кремния в щёлочи Si + 2H2O → SiO2 + 2H2↑; (1) SiO2 + xH2O →
- 19. Особенности электрохимического механизма травления При электрохимическом механизме травле- ния на поверхности полупроводника протека- ют две сопряжённые
- 20. Анодные реакции На микроанодах поверхности протекает анодная реакция окисления кремния, а также комплексооб- разование и перевод
- 21. Катодные реакции На микрокатодах поверхности протекает катодная реак- ция восстановления основного окислителя (HNO3): HNO3 + 2H+
- 22. Режимы электрохимического травления В зависимости от самой медленной стадии различают травление под катодным контролем и анодным
- 23. Материалы, подвергаемые травлению В качестве материалов, наиболее часто под- вергаемых травлению «мокрыми» процесса- ми, выступают различные
- 24. Травление слоёв SiO2 Для химического травления слоев SiO2 используют, как пра- вило, травители на основе HF.
- 25. Травление нитрида кремния Химическое травление применяют для полного удаления слоев Si3N4 после процессов локального окисления. Для
- 26. Травление плёнок алюминия Жидкостное химическое травление алюминиевых слоев осуществляют, как правило, в травителе, сос- тоящем из
- 27. Жидкостное удаление фоторезиста Выбор метода снятия резиста и параметров про цесса определяется исходя из следующих факторов:
- 28. Удаление фоторезиста в кислотных составах На стадиях формирования активной структуры ИИЭ в фотолитографическом процессе участвуют химически
- 29. Удаление фоторезиста в органических растворителях На заключительных стадиях изготовления ИИЭ (формирование металлических слоев, вскрытие кон- тактных
- 30. Недостатки жидкостного химического травления – капиллярные процессы в тонких щелях и про- колах; – проблемы адгезии
- 31. МЕТОДЫ СУХОГО ТРАВЛЕНИЯ ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ ИОННО-ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ (ПХТ) ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ (ИПТ) ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕ (ИЛТ)
- 32. Особенности ионного травления При ионном травлении для удаления мате- риала используется кинетическая энергия ио- нов инертных
- 33. Ионное распыление При распылении вещества 3 ион 1 передает импульс энер-гии атому распыляемого ве-щества, который передает
- 34. Коэффициент распыления Эффективность процесса ионного распыления характери- зуется коэффициентом распыления, который определяется числом удаленных частиц распыляемого
- 35. Зависимость коэффициента распыления от энергии ионов I – область энергий, где распыление отсутствует; II - область
- 36. Особенности ионно-химического травления При ионно–химическом травлении исполь- зуется как кинетическая энергия ионов хими- чески активных газов,
- 37. Особенности плазмохимического травления При ПХТ для удаления материала используется энергия хи- мических реакций между ионами и
- 38. Реактор для плазменного травления с емкостным разрядом
- 39. Схема ПХТ с индукционным (разрядом) 1 - кварцевый реак-тор; 2-коллектор для подачи газа; 3 – перфорированный
- 40. Процессы, протекающие в плазме Процессы, протекающие в плазме очень сложны и состоят из элементарных реак- ций
- 41. Явления в газовых разрядах Возникновение ионов, атомов, радикалов Простая ионизация: Ar + e → Ar+ +
- 42. Кинетика ПХТ В общем случае кинетика состоит из следующих стадий: 1. Доставка молекул активного газа в
- 43. Основные параметры процессов травления Скорость травления Равномерность травления Селективность травления Анизотропия травления
- 44. Скорость травления d0 - исходная толщина слоя; d1 - конечная толщина слоя; t - время травления.
- 45. Равномерность травления Скорость травления, как правило, неоднородна по площади пластины и лежит в пределах , где
- 46. Селективность травления На практике все материалы, контактиру- ющие с травителем, характеризуются ко- нечным временем травления. Селективность
- 47. Анизотропия травления Анизоторопия - разность скоростей травления в вертикальном и горизонтальном направлениях. Степень анизотропии: , где
- 48. Сравнительные характеристики методов сухого травления
- 49. Пути повышения анизотропии ПХТ Чистое ПХТ при отсутствии каких-либо кристал-лографических эффектов является изотропным. Для получения анизотропии
- 50. Создание радиационных нарушений Ионы, бомбардирующие кремний, создают радиа- ционные нарушения в кристаллической решетке,про- стирающиеся в глубину
- 51. Формирование пассивирующего слоя на боковых стенках Определенные газы (например, CHF3, CClF3) или смеси газов (CF4-H2) распадаются
- 52. БОШ – процесс Для глубокого анизотропного травления ис- пользуют так называемый БОШ–процесс, ко- торый представляет собой
- 53. Травление кремния Плазмохимическое травление кремния осущест- вляют во фторсодержащей плазме. Атомы фтора реагируют с кремнием n
- 54. ПХТ слоёв SiO2 Используемые газы: C3F8, CHF3, O2, He. C3F8 диссоциирует, образуя химически активные радикалы CFX,
- 55. ПХТ слоёв Si3N4 Используемые газы: SF6, He. Травление осуществляется атомами фто- ра, которые освобождаются в плазме
- 56. ПХТ алюминия Используемые газы: BCl3, Cl2, SiCl4, He. Травление алюминия осуществляется в плазмооб- разующей смеси BCl3
- 57. Улучшение эффективности удаления Al2O3 Процесс травления проводится в две стадии: - первые 60 секунд процесса (индукционный
- 58. Анизотропия процесса Добавка в газовую смесь SiCl4 производится для ис- ключения бокового подтравливания под маску фото-
- 59. Удаление фоторезиста Основным газом для «сухого» удаления резиста в плазме является кислород. При микроволновом воз- буждении
- 61. Скачать презентацию