Введение в эпитаксиальные технологии

Зонная структура

Формирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных

Переход от атома к решётке

Взаимодействие изолированного атома с квантом света

Вынужденное излучение

Излучательная рекомбинация электрона и дырки

Излучательная рекомбинация электрона и дырки:
а –

Устройство инжекционного п/п лазера

Устройство инжекционного п/п лазера

Окна прозрачности оптического волокна

Нобелевская премия 20 века

Жорес Иванович Алфёров
Prize motivation: "for developing semiconductor heterostructures used

Эпитаксия

επι – на , ταξισ – упорядоченность

Классификация эпитаксии по агрегатному состоянию среды

Рассогласование по параметру решётки

*допустимо не более 15%
**важно также, чтобы слой и

Метод измерения кривизны растущей структуры

Напряжённый эпитаксиальный слой растягивает или сжимает подложку

Латеральный рост

Вакуумная лампа накаливания

⇑Температуры нити – ⇑ КПД.
⇑ Температуры нити – ⇑

Газонаполненная лампа накаливания

Газ меняет процесс массопереноса.
Он препятствует свободному
полету атомов W.
Вокруг нити

Галогеновая лампа накаливания

Испаряющийся W реагирует с йодом.
Реакция идет и в газе,

Механизм роста

Встраивание происходит равномернее, если реакция адатомов с поверхностью обратимая (под

Газофазная эпитаксия

Схема реактора

Скоростной и концентрационный пограничные слои

Пограничный слой

Механизм роста

Примеры установок

Молекулярно-пучковая эпитаксия

Ячейка Кнудсена

Типичная МПЭ установка

Другие виды эпитаксии

Конденсация из паровой фазы в вакууме. Метод заключается в