Методы выращивания кристаллов. Метод Киропулуса

Содержание

Слайд 2

Метод Киропулуса

Метод Киропулуса

Слайд 3

Зонная плавка 1. Использование нагревателей сопротивления 1-слиток, 2-зона, 3-контейнер, 4-нагреватель сопротивления, 5- блок теплоизоляционного материала

Зонная плавка

1. Использование нагревателей сопротивления

1-слиток, 2-зона, 3-контейнер, 4-нагреватель сопротивления, 5- блок

теплоизоляционного материала
Слайд 4

Зонная плавка 2. Индукционный нагрев 3. Нагрев излучением лампы накаливания и

Зонная плавка

2. Индукционный нагрев
3. Нагрев излучением лампы накаливания и электроннолучевой нагрев

4.

Нагрев за счет эффекта Пельтье
Слайд 5

Метод плавающей зоны 1 – полукристаллический материал, 2 – зона, 3

Метод плавающей зоны

1 – полукристаллический материал,
2 – зона, 3 – монокристалл.

материал,
4 – затравка, 5 – контейнер,
6 - нагреватель
Слайд 6

Метод Вернейля

Метод Вернейля

Слайд 7

Четыре способа выращивать кристаллы корунда по методу Вернейля 1 – пламя

Четыре способа выращивать кристаллы корунда по методу Вернейля

1 – пламя 2

– направление подачи пудры
3 – затравка 4 – растущий монокристалл
Слайд 8

Метод Вернейля

Метод Вернейля

Слайд 9

Выращивание кристаллов из растворов Температурная зависимость растворимости веществ с разной теплотой

Выращивание кристаллов из растворов

Температурная зависимость растворимости веществ с разной теплотой растворения

Диаграмма

«концентрация-температура»:
I – лабильная
II – метастабильная
III – стабильная область.
Слайд 10

Выращивание кристаллов из растворов Движущие силы процесса кристаллизации Скорость роста кристалла

Выращивание кристаллов из растворов

Движущие силы процесса кристаллизации

Скорость роста кристалла

Слайд 11

Выращивание кристаллов из растворов Восходящие токи роста над кристаллом Щелевидные включения

Выращивание кристаллов из растворов

Восходящие токи роста над кристаллом

Щелевидные включения маточного раствора

Воронкообразная

нижняя поверхность кристалла
Слайд 12

Выращивание кристаллов из растворов Перемешивание: А – магнитной мешалкой, Б –

Выращивание кристаллов из растворов

Перемешивание:
А – магнитной мешалкой,
Б – лопастной мешалкой,
В –

вращением кристалла,
Г – центробежной помпой
Слайд 13

Метод охлаждения раствора 1 – термометр 2 – резьбовые шпильки 3

Метод охлаждения раствора

1 – термометр
2 – резьбовые шпильки
3 – гайки
4 –

герметичная крышка
5 – контактный термометр
6 – наружный нагреватель
7 – внутренний нагреватель
8 – дополнительный наружный нагреватель
9 - подставка
Слайд 14

Метод испарения растворителя Кристаллизатор в эксикаторе: 1 – крышка, регулирующая скорость испарения 2 – концентрированный раствор

Метод испарения растворителя

Кристаллизатор в эксикаторе:
1 – крышка, регулирующая скорость испарения
2 –

концентрированный раствор
Слайд 15

Метод температурного градиента Кристаллизатор А.В. Белюстина 1 – стеклянный цилиндр 2

Метод температурного градиента

Кристаллизатор А.В. Белюстина

1 – стеклянный цилиндр
2 – контейнер
3 –

кристаллы – заготовки
4 – затравочный раствор
5 – влажный марлевый пояс
6 – сосуд с водой
7 - патрубки
Слайд 16

Гидротермальный метод выращивания монокристаллов Зависимость скорости роста граней корунда от перепада

Гидротермальный метод выращивания монокристаллов

Зависимость скорости роста граней корунда от перепада температур

Растворимость

корунда при различных коэффициентах заполнения

Зависимость скорости роста граней от заполнения автоклава

Слайд 17

Выращивание кристаллов из газовой фазы Кристаллизация без участия химической реакции Метод сублимации

Выращивание кристаллов из газовой фазы

Кристаллизация без участия химической реакции

Метод сублимации

Слайд 18

Выращивание кристаллов из газовой фазы Кристаллизация с участием химической реакции 1.

Выращивание кристаллов из газовой фазы

Кристаллизация с участием химической реакции

1. Метод химических

транспортных реакций

А – кристаллизация из газовой фазы в замкнутом реакционном сосуде

Б – реакции переноса в проточной системе

2. Кристаллизация с использованием парофазных реакций

Слайд 19

Дефекты в кристаллах Точечные дефекты Вакансии Дефект по Шоттки (NaCl) Вакансии: катионные, анионные

Дефекты в кристаллах

Точечные дефекты

Вакансии

Дефект по Шоттки (NaCl)

Вакансии: катионные, анионные

Слайд 20

Междоузельные дефекты Дефект по Френкелю (AgCl)

Междоузельные дефекты

Дефект по Френкелю (AgCl)

Слайд 21

Примесные дефекты ZnSe:Zn Si:P KCl:Cs

Примесные дефекты

ZnSe:Zn

Si:P

KCl:Cs

Слайд 22

Диффузия дефектов Энергия активации: Закон Фика: JN = - D grad

Диффузия дефектов

Энергия активации:

Закон Фика:

JN = - D grad N

Коэффициент диффузии:

D =

D0 exp(- E/kT)
Слайд 23

Центры окраски NaCl:Na – желтый KCl:K – красный Нагрев в парах

Центры окраски

NaCl:Na – желтый
KCl:K – красный
Нагрев в парах металла,
Облучение рентгеном,
электронами, γ-лучами

Возникновение

центров окраски связано с образованием
анионных вакансий (F-центры)
Слайд 24

FA-центр M-центр – 2 F-центра R-центр – 3 F-центра Центры окраски Vk-центр

FA-центр

M-центр – 2 F-центра

R-центр – 3 F-центра

Центры окраски

Vk-центр

Слайд 25

Энергетические уровни дефектов и примесей Кристалл без дефектов Si:P Si:B ZnS:Ag Примесная зона

Энергетические уровни дефектов и примесей

Кристалл без дефектов Si:P Si:B

ZnS:Ag Примесная зона