Образование кристаллов. Выращивание монокристаллов (лекция 11)

Август 13, 2022

Главная
Химия
Образование кристаллов. Выращивание монокристаллов (лекция 11)

Содержание

2. Стадии образования кристаллов Зародышеобразование Рост кристалла
3. Зародышеобразование кристаллов Гетерогенное Гомогенное
4. Рост кристаллов Послойный Нормальный
5. Нормальный рост кристаллов Поверхность атомно-шероховатая Присоединение в любом подходящем месте поверхности Присоединение в направлении нормали к
6. Послойный рост кристаллов Поверхность атомно-гладкая На поверхности имеются ступени Присоединение осуществляется к ступеням Рост происходит за
7. Механизмы послойного роста Спиральный (Бартона – Кабреры – Франка) (а) Зародышевый (Фольмера – Косселя – Странского)
8. Механизмы послойного роста
9. Форма кристалла Закон Бравэ: Грани кристалла растут со скоростями, обратно пропорциональными плотностям их узловых сеток –ретикулярным
10. Форма кристалла Правило Кюри-Вульфа: Наиболее развитыми гранями кристалла будут грани с наименьшими скоростями роста
11. Срастание кристаллов Друза аметиста Закономерное срастание
12. Двойникование кристаллов Двойник кварца
13. Выращивание монокристаллов Кристаллизация из раствора Хромокалиевые квасцы Хлориды натрия и калия
14. Выращивание монокристаллов Метод Чохральского Кремний Рубин
15. Выращивание монокристаллов Метод Бриджмена-Стокбаргера
16. Выращивание монокристаллов Гидротермальный метод Автоклав
17. Выращивание монокристаллов Метод зонной плавки
18. Выращивание монокристаллов Метод Вернейля T - 2200°C
19. Выращивание монокристаллов Газотранспортные реакции GeI4 = Ge + 2I2 SiCl4 + 2H2 = Si + 4HCl
21. Скачать презентацию

Слайд 2

Стадии образования кристаллов
Зародышеобразование
Рост кристалла

Слайд 3

Зародышеобразование кристаллов
Гетерогенное
Гомогенное

Слайд 4

Рост кристаллов
Послойный
Нормальный

Слайд 5

Нормальный рост кристаллов
Поверхность атомно-шероховатая
Присоединение в любом подходящем месте поверхности
Присоединение в направлении

нормали к поверхности
Поверхность в процессе роста перемещается в направлении нормали

Слайд 6

Послойный рост кристаллов
Поверхность атомно-гладкая
На поверхности имеются ступени
Присоединение осуществляется к ступеням
Рост происходит

за счет роста слоев, образованного ступенями

Слайд 7

Механизмы послойного роста
Спиральный (Бартона – Кабреры – Франка) (а)
Зародышевый (Фольмера –

Косселя – Странского) (б)

Слайд 8

Механизмы послойного роста

Слайд 9

Форма кристалла
Закон Бравэ:
Грани кристалла растут со скоростями, обратно пропорциональными плотностям их

узловых сеток –ретикулярным плотностям граней.

Минимальная скорость роста – у граней, соответствующих атомным сеткам, расстояние между которыми наибольшее, а сила межатомных связей, соответственно, наименьшая.

Слайд 10

Форма кристалла
Правило Кюри-Вульфа:
Наиболее развитыми гранями кристалла будут грани с наименьшими

скоростями роста

Слайд 11

Срастание кристаллов
Друза аметиста
Закономерное срастание

Слайд 12

Двойникование кристаллов
Двойник кварца

Слайд 13

Выращивание монокристаллов
Кристаллизация из раствора
Хромокалиевые квасцы
Хлориды натрия и калия

Слайд 14

Выращивание монокристаллов
Метод Чохральского
Кремний
Рубин

Слайд 15

Выращивание монокристаллов
Метод Бриджмена-Стокбаргера

Слайд 16

Выращивание монокристаллов
Гидротермальный метод
Автоклав

Слайд 17

Выращивание монокристаллов
Метод зонной плавки

Слайд 18

Выращивание монокристаллов
Метод Вернейля
T - 2200°C

Слайд 19

Выращивание монокристаллов
Газотранспортные реакции
GeI4 = Ge + 2I2
SiCl4 + 2H2 = Si

+ 4HCl
SiH4 = Si + 2H2