Содержание
- 2. Кожен реальний кристал немає досконалої структури та має низку порушень ідеальної просторової грати, які називаються дефектами
- 3. 0D (Точкові) Класифікація дефектів на основі розмірності 1D (Лінійні) 2D (Поверхневі) 3D (Об'ємні) Вакансія Домішка Дефект
- 4. Дефекти в кристалах
- 5. До числа найбільш вивчених точкових дефектів належать дефекти по Френкелю і по Шоткі. Дефект по Френкелю
- 6. Власні дефекти в кристалічній ґратці одноатомного кристала. V - вакансія, I - міжвузловий атом, V –
- 7. Бінарні кристали типу АВ. Вакансії у двох підгратках VA та VB , антиструктурні дефекти : ВА
- 8. Точечные дефекты обладают рядом важных свойств. Дефекты могут играть роль центров рассеяния электронов. Дефекты могут сильно
- 9. Енергетичний спектр електронів в ідеальному бездефектному (а) і дефектному (б) кристалах: I - валентна зона, II
- 10. Дислокаційне розупорядкування в кристалах. Лінійні дислокації У випадку крайової дислокації порушення правильної періодичності кристалічної ґратки досягається
- 11. Крайова дислокація (а,б) та зонна структура поблизу крайової дислокації (в). а Дислокаційне розупорядкування в кристалах. Крайові
- 12. У гвинтовій дислокації переважає деформація зсуву, тому атоми можуть бути представлені недеформованими кубиками, зміщеними один відносно
- 13. Вихід гвинтових дислокацій на поверхню (001) монокристалів GeS (а ) і GeSe2 (б). Дислокаційне розупорядкування в
- 14. Двовимірні (поверхневі) дефекти більш різноманітні, ніж одновимірні. Серед них найбільш важливе значення мають границі зерен з
- 15. Динамічне та статичне розупорядкування у кристалах Ці види розупорядкування тлумачать неоднозначно. Говорячи про динамічне розупорядкування, часто
- 16. Позиційна, орієнтаційна та магнітна невпорядкованість в кристалах Під позиційним безпорядком розуміють, наприклад, ситуацію, коли число позицій
- 17. Кристалічна структура α-Ga2S3 з впорядкованими вакансіями Позиційна невпорядкованість в кристалах
- 18. Орієнтаційний порядок означає, що поворот кристала навколо певної осі сполучає атомні позиції з самими собою. Орієнтаційне
- 19. Магнітна невпорядкованість в кристалах Магнітна невпорядкованість – це невпорядкованість напрямків магнітних спінів, що існує у звичайному
- 20. Композиційне розупорядкування Композиційне розупорядкування на прикладі твердого розчину заміщення: а – впорядкований ТР, б – невпорядкований
- 21. Раманівські спектри кристалічних ТР GeS2xSe2-2x. x: 1 − 1,0; 2 − 0,95; 3 − 0,7; 4
- 22. Раманівські спектри склоподібних ТР GeS2xSe2-2x. x: 1 − 1,0; 2 − 0,9; 3 − 0,8; 4
- 23. Топологічне розупорядкування Топологічне розупорядкування на прикладі двовимірного кремнезему SiO2: а – кварц (впорядкований стан); б –
- 24. • Since there are both anions and cations in ceramics, a substitutional impurity will replace the
- 25. Point Defects: Impurities
- 26. Impurity Interstitial Substitutional SUBSTITUTIONAL IMPURITY ∙ Foreign atom replacing the parent atom in the crystal ∙
- 27. Рис. A1. Двовимірна кристалічна структура α-SnS з вакансією олова (а, б) та домішкою заміщення SbSn (в,
- 28. Рис. A2. Локальная релаксация атомарной структуры вокруг вакансии германия и примеси висмута в кристалле GeS.
- 29. Рис. 2. Електронна структура (а), повна і локальні парціальні густини станів (б) стехіометричного GeS а б
- 30. Рис. 3. Електронна структура (а), повна і локальні парціальні густини станів (б) GeS з вакансією германія
- 31. Рис. 4. Електронна структура (а), повна і локальні парціальні густини станів (б) GeS:Bi (Bi→Ge) а б
- 32. а б Рис. 5. Електронна структура (а), повна і локальні парціальні густини станів (б) GeS:Bi (Bi→Ge
- 33. Поляризовані спектри фотопровідності (1,2) і крайового поглинання (3,4) [18] кристала GeS, вирощеного сублімацією: 1,3 – E
- 37. Дефекты в кристалл вводятся целенаправленно. Этот процесс называется легированием. Две цели: управление электропроводностью кристалла или рекомбинационными
- 38. Радиационные дефекты Две возможности образования дефекта: прямое столкновение быстрой частицы с атомом решетки (реализуется для частиц,
- 39. Образование дефекта в ионном кристалле при многократной ионизации аниона
- 40. Образование дефекта в ковалентом кристалле при многократной ионизации атома решетки, расположенного вблизи заряженного донора
- 41. Дефектообразование в полупроводниках при импульсном лазерном облучении Электронное возбуждение и нагрев (плавление) – вызывают деформацию поверхностного
- 43. Скачать презентацию