Компьютерная электроника. Введение. (Лекция 1)

Содержание

Слайд 2

График учебного процесса

График учебного процесса

Слайд 3

ПРАВИЛА внутреннего распорядка Черниговского национального технологического университета На территории Университета категорически

ПРАВИЛА внутреннего распорядка Черниговского национального технологического университета
На территории Университета категорически запрещается:
- нарушать

тишину во время проведения занятий;
- портить имущество Университета;
- употреблять оскорбительную ненормативную лексику и нецензурную брань;
- создавать препятствия для обучения.
Слайд 4

ПРАВИЛА внутреннего распорядка Черниговского национального технологического университета Во время учебных занятий

ПРАВИЛА внутреннего распорядка Черниговского национального технологического университета

Во время учебных занятий студенты должны

придерживаться следующих правил:
- запрещается опаздывать на занятия;
- запрещается пользоваться мобильными телефонами;
- при входе преподавателя, в знак приветствия, студенты должны встать;
- не допускаются посторонние разговоры или другой шум, мешающий проведению занятий;
- выходить из аудитории во время занятия допускается только с разрешения преподавателя.
Студенты должны иметь опрятный внешний вид. Запрещается нахождение на территории Университета в спортивных костюмах, шортах, кроме случаев, когда такая форма одежды является необходимой при выполнении определенных видов учебных занятиях.
Слайд 5

ПРАВИЛА внутреннего распорядка Черниговского национального технологического университета Студент может быть отчислен

ПРАВИЛА внутреннего распорядка Черниговского национального технологического университета

Студент может быть отчислен руководителем Университета

в следующих случаях:
- за академическую неуспеваемость:
- в случае получения при семестровом контроле двух и более неудовлетворительных оценок;
- в случае получения неудовлетворительной оценки по одному предмету после двух попыток повторной сдачи экзамена (зачета);
- в случае, если студент не ликвидировал академическую задолженность в установленный деканатом срок;
-систематические (более трех) пропусков занятий без уважительных причин.
Слайд 6

Содержание отчета к лабораторной работе Каждый отчет должен содержать: 1 Название

Содержание отчета к лабораторной работе

Каждый отчет должен содержать:
1 Название лабораторной

работы.
2 Цель работы.
3 Краткие теоретические сведения.
4 Порядок выполнения работы.
5 Результаты исследования и анализа параметров и характеристик исследуемого электронного устройства.
6 Особенности функционирования САПР Micro-Cap 11.0, выявленные в ходе выполнения лабораторной работы;
7 Выводы.
Слайд 7

Поточный контроль

Поточный контроль

Слайд 8

Модульный контроль

Модульный контроль

Слайд 9

Семестровый контроль .

Семестровый контроль

.

Слайд 10

Дисциплина “Компьютерная электроника” Компьютерной электроникой называется отрасль науки и техники, связанная

Дисциплина “Компьютерная электроника”
Компьютерной электроникой называется отрасль науки и техники, связанная

с изучением принципов действия, параметров, характеристик активных и пассивных компонентов электроники, аналоговых и цифровых микросхем, а также реализованных на их основе различных электронных узлов и устройств, которые применяются в средствах вычислительной техники.
Слайд 11

Цели курса Основные цели курса: -изучить устройство, принцип действия, основные параметры

Цели курса
Основные цели курса:
-изучить устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики

пассивных и активных компонентов, а также простейших узлов устройств компьютерной электроники;
-изучить инженерные методики проектирования электронных устройств различного назначения;
-научиться правильно применять компоненты в электронных устройствах и узлах;
-приобрести навыки математического моделирования электронных устройств с применением современных САПР.
Слайд 12

Принципы изучения дисциплины Принцип типичности – вместо изучения всех разновидностей компонентов

Принципы изучения дисциплины

Принцип типичности – вместо изучения всех разновидностей компонентов определенного

класса рассматриваются лишь типичные, в которых детально раскрываются характерные и наиболее устойчивые признаки всего класса.
Систематическое изучение дисциплины, поскольку материал лекций излагается в такой последовательности, чтобы очередная лекция была логическим следствием предыдущей.
Дифференцированное отношение к учебному материалу. Необходимо уметь выделять материалы, которые введены в курс лекций для повышения общей технической культуры и эрудиции и, как следствие этого, не требуют глубокого понимания.
Запоминание основополагающих терминов, определений, соотношений, формул и др.
Слайд 13

Принципы изучения дисциплины Понимание физического смысла явлений и процессов, происходящих в

Принципы изучения дисциплины

Понимание физического смысла явлений и процессов, происходящих в компонентах,

влияния параметров и характеристик компонентов на характеристики проектируемых электронных устройств, достоинств и недостатков схемных решений и т.п.
Основная сложность в создании электронных устройств состоит в практической невозможности применения формальных методов расчета. Это обусловлено, во-первых, большим количеством параметров компонентов; во-вторых, высокой степенью уравнений, описывающих работу электронного устройства.
Правильный подбор литературы. Наблюдаются две крайности при изложении материала в литературе. Одна из них состоит в формальном и часто довольно таки сложном изложении материала, другая – в слишком упрощенном изложении, за которым не видна физическая сущность работы компонентов и устройств на их основе.
Слайд 14

Рекомендованная литература 1 Схемотехніка електронних систем: Підручник в двох томах /

Рекомендованная литература

1 Схемотехніка електронних систем: Підручник в двох томах / Жуйков

В. Я., Бойко В.І., Зорі А.А., Співак В.М. – К.:Аверс, 2002.-772с.
2 Гаврилов С.А. Искусство схемотехники.- СПб.: Наука и техника, 2011.- 352с.
3 Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. 12-е изд. Том II: Пер. с нем.- М.: ДМК Пресс, 2007.- 942с.
4 Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника.- М.: Высш. шк., 1991.- 622 с.
5 Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.- М.: Энергия, 1973.- 608 с.
6 Жеребцов И.П. Основы электроники.- Л.: Энергоатомиздат, 1989.- 352 с.
Слайд 15

Основные виды электрических сигналов

Основные виды электрических сигналов

Слайд 16

Источник напряжения Идеализированным источником напряжения или генератором э.д.с. называется воображаемый источник

Источник напряжения

Идеализированным источником напряжения или генератором э.д.с. называется воображаемый источник энергии,

напряжение на зажимах которого не зависит от тока, протекающего через него.
Выходное сопротивление идеализированного источником напряжения равно нулю.
Нагрузочная характеристика

Условное обозначение
источника напряжения:

Слайд 17

Источник тока Идеализированным источник тока или генератором тока называется фиктивный источник

Источник тока

Идеализированным источник тока или генератором тока называется фиктивный источник энергии,

ток через который не зависит от напряжения на его зажимах.
Выходное сопротивление идеализированного источником тока равно бесконечности.
Нагрузочная характеристика

Условное обозначение
источника тока:

Слайд 18

Синусоидальный сигнал Синусоидальным называется сигнал, мгновенные значения тока или напряжения которого

Синусоидальный сигнал

Синусоидальным называется сигнал, мгновенные значения тока или напряжения которого изменяются

во времени по закону:
u(t) = Uм* sin (ω*t + ϕ).
Аргумент синуса, т.е. величину (ω*t + ϕ) называют фазой. Фаза характеризует состояние колебания в данный момент времени t.
Слайд 19

Параметры синусоидального сигнала Среднее значение – определяется за половину периода: T/2

Параметры синусоидального сигнала

Среднее значение – определяется за половину периода:
T/2
U ср

= 2/T ∫ Uм* sin (ω*t + ϕ)*dt = 2 *Uм / π = 0,638* Uм.
0
Действующее (эффективное, среднеквадратическое) значение определяется по формуле:
T
U д = { 1/T ∫[Uм* sin (ω*t + ϕ)]2*dt}1/2 = Uм / 21/2 = 0,707* Uм.
0
Слайд 20

Sine source в САПР Micro-Cap 11

Sine source в САПР Micro-Cap 11

Слайд 21

Аналитическое описание Sine source Если TAU=0, то V=A*sin(2*PI*F*t+PH)+DC, в ином случае V=A*exp(-t/TAU)*sin(2*PI*F*t+PH)+DC.

Аналитическое описание Sine source
Если TAU=0, то
V=A*sin(2*PI*F*t+PH)+DC,
в ином случае
V=A*exp(-t/TAU)*sin(2*PI*F*t+PH)+DC.

Слайд 22

Графическое описание Sine source

Графическое описание Sine source

Слайд 23

Контрольные точки экспоненты

Контрольные точки экспоненты

Слайд 24

Импульсный сигнал Импульсным называется сигнал, у которого напряжение или ток в

Импульсный сигнал
Импульсным называется сигнал, у которого напряжение или ток в течение

интервала времени, соизмеримого с длительностью переходных процессов в устройстве, изменяется от одного постоянного значения до некоторого другого постоянного значения.
Импульсные сигналы бывают периодические, непериодические, одиночные.
Форма импульсов может быть различной: прямоугольной, треугольной, трапецеидальной, экспоненциальной и т.д.
Рассмотрим трапецеидальные импульсы.
Слайд 25

Трапецеидальный сигнал

Трапецеидальный сигнал

Слайд 26

Параметры импульсного сигнала Амплитуда (А) - наибольшее отклонение изменяющейся по определенному

Параметры импульсного сигнала

Амплитуда (А) - наибольшее отклонение изменяющейся по определенному закону

величины от некоторого значения, условно принятого за нулевое.
Время нарастания сигнала (rise time) (tнар, tr) – интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до уровня 0,9.
Время спада сигнала (fall time) (tсп, tf) – интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до уровня 0,1.
Длительность импульса (τ, tW) –интервал времени между заданными контрольными точками по фронтам импульса на уровне 0,5.
Период следования импульсов (T, Tc) - интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом импульсов, измеренный на заданном уровне напряжения.
Слайд 27

Параметры импульсного сигнала Пауза (tп) - интервал времени между окончанием одного

Параметры импульсного сигнала

Пауза (tп) - интервал времени между окончанием одного импульса

и началом следующего импульса и измеренный на уровне 0,5.
Скважность импульса (Q) - отношения периода следования импульсов к длительности импульса.
Выброс импульса δ - характеризует наибольшее превышение амплитуды в переходном режиме над его амплитудой в квазистационарном процессе.
Спад вершины импульса ΔА – определяется как разность амплитуды в момент окончания переходного процесса и в момент окончания вершины импульса.
Слайд 28

Pulse source в САПР Micro-Cap 11

Pulse source в САПР Micro-Cap 11