Память ПК

Август 22, 2022

Главная
Разное
Память ПК

Содержание

2. Основные характеристики памяти: информационная ёмкость(объем) быстродействие энергопотребление Быстродействие памяти зависит от: полосы пропускания (максимальная скорость передачи
3. Задержки памяти делят на: время доступа (access time) длительность цикла памяти (cycle time). Время доступа представляет
4. 1024 б - 1 Кб 210 байт – 1 килобайт 1048576 б - 1024 Кб– 1
5. Статическая память SRAM SRAM память, построенная на триггерах сигнал синхронизации
6. Динамическая память DRAM Линия адреса Линия данных Ячейка памяти (1 бит) столбцы 1 2 3 4
7. Задержка между подачей номера строки и номера столбца – tRCD Задержка между подачей номера столбца и
8. DRAM – Dynamic Random Access Memory динамическая память – основной вид архитектуры ОЗУ. Суммарная задержка 200
9. Общий вид модуля памяти Чипы памяти на модуле Соединительные проводники (линии интерфейса), объединенные в шины Конструктивную
10. Чипы с матрицами памяти Выходы микросхемы –пины (pins) Слоты RAM на материнской плате
11. DIP модули микросхем RAM 1. DIP-корпус Установка модулей DIP на материнскую плату Гнездо для установки DIP-корпуса
12. SIPP модули микросхем RAM чипы памяти основа микросхемы (изоляционный слой) выходы микросхемы (пины) SIPP – сокращение
13. SIММ модули микросхем RAM 30pin модуль пластмассовый держатель чипы памяти выходы микросхемы (пины) FPM DRAM
14. SIММ модули микросхем RAM 72pin модуль чипы памяти выходы микросхемы (пины) EDO DRAM пластмассовый держатель колодка
15. DIMM DDR2 256 Mb, “KINGMAX“ частота шины 533 МГц DIMM DDR 512 Mb, “SAMSUNG“ частота шины
16. RIMM - Rambus In-line Memory Module радиатор для охлаждения микросхемы 4-е модуля RIMM, установленные на материнской
17. Новые разработки RAM Американская компания DDR Drive собирается представить устройство хранения информации, использующее модули DIMM, в
18. Новые разработки RAM Компания Elpida Memory в конце 2004 г. сообщила о выпуске и начале поставок
19. Новые разработки RAM Компания Elpida Memory в 2005 году начала производство модулей памяти с полной буферизацией
20. Новые разработки RAM Компания OCZ Technology Inc. в декабре 2006г. представила новые DDR2-модули с улучшенным радиатором
21. Новые разработки RAM Компания OCZ Technology Inc. в ноябре 2006г. объявила о выпуске модулей DDR2 1150
22. DDR3 – это новейший этап развития памяти типа DDR SDRAM. Первые модули памяти DDR3 были выпущены
23. Новая память Z-RAM вместо SRAM для кэш-памяти Разработка фирмы Innovative Silicon - Z-RAM (Zero Capacitor DRAM),
24. Архитектура Z-RAM Ячейка Z-RAM Запись двоичных «1» и «0»
25. Seiko Epson выпустили прототип 16KB SRAM модуля памяти, элементы которого сформированы на низкотемпературном поликристаллическом стекле и
26. Постоянная память ПК ПЗУ (постоянное запоминающее устройство) или ROM (read-only memory) – это энергонезависимая постоянная память,
28. Скачать презентацию

Слайд 2

Основные характеристики памяти:
информационная ёмкость(объем)
быстродействие
энергопотребление
Быстродействие памяти зависит от:
полосы

пропускания (максимальная скорость передачи данных х разрядность)
различного рода задержек

Слайд 3

Задержки памяти делят на:
время доступа (access time)
длительность цикла памяти (cycle

time).

Время доступа представляет собой промежуток времени между выдачей запроса на чтение и моментом поступления запрошенного слова из памяти.

Длительность цикла памяти определяется минимальным возможным временем между двумя последовательными обращениями к памяти. То есть это суммарное время считывания адреса ячейки и считывания/записи данных в эту ячейку.

Слайд 4

1024 б - 1 Кб
210 байт – 1 килобайт
1048576 б -

1024 Кб– 1 Мб
220 байт - 210 килобайт - 1 мегабайт
1073741824 б – 1048576 Кб – 1024 Мб – 1 Гб
230 байт - 220 килобайт - 210 мегабайт - 1 гигабайт

Производные единицы исчисляются в 2-ичной системе:

Информационная ёмкость

Слайд 5

Статическая память SRAM
SRAM память, построенная на триггерах
сигнал синхронизации

Слайд 6

Динамическая память DRAM
Линия адреса
Линия данных
Ячейка памяти (1 бит)
столбцы
1 2 3

Слайд 7

Задержка между подачей номера строки и номера столбца – tRCD

Задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки на выходе – tCAC
Задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки - tRP

Быстродействие микросхем ОП характеризуется тремя видами задержек:

Слайд 8

DRAM – Dynamic Random Access Memory динамическая память – основной вид

архитектуры ОЗУ. Суммарная задержка 200 нс

FPM DRAM - Fast-Page Mode DRAM - динамическая память быстрого страничного режима

EDO DRAM - Extend Data Output DRAM – динамическая память с усовершенствованным выходом

SDRAM – Synchronous DRAM синхронная динамическая память

Технологии для RAM

до середины 90-х годов:

1995 год:

1996 год:

2000 год (до настоящего момента):

DDR-SDRAM - Double Data Rate SDRAM - SDRAM удвоенной скорости передачи данных.

DRDRAM - Direct Rambus DRAM - технология фирмы «Rambus»

Слайд 9

Общий вид модуля памяти
Чипы памяти на модуле
Соединительные проводники (линии интерфейса), объединенные

в шины

Конструктивную основу RAM (ОЗУ) составляют модули памяти

Слайд 10

Чипы с матрицами памяти
Выходы микросхемы –пины (pins)
Слоты RAM на материнской плате

Слайд 11

DIP модули микросхем RAM
1. DIP-корпус
Установка модулей DIP на материнскую плату

Гнездо для установки DIP-корпуса

Установленные модули

информационная емкость DIP по 64 и 256 Кбайт,1 и 4 Мбайт

Слайд 12

SIPP модули микросхем RAM
чипы памяти
основа микросхемы
(изоляционный слой)
выходы микросхемы (пины)
SIPP –

сокращение от Single Inline Package

Слайд 13

SIММ модули микросхем RAM
30pin модуль
пластмассовый держатель
чипы памяти
выходы микросхемы (пины)
FPM DRAM

Слайд 14

SIММ модули микросхем RAM
72pin модуль
чипы памяти
выходы микросхемы (пины)
EDO DRAM
пластмассовый держатель

колодка слота

Слайд 15

DIMM DDR2 256 Mb, “KINGMAX“
частота шины 533 МГц
DIMM DDR 512 Mb,

“SAMSUNG“
частота шины 400 МГц

DIMM DDR 256 Mb, “KINGMAX “
частота шины 400 МГц

DIММ модули микросхем RAM

Слайд 16

RIMM - Rambus In-line Memory Module
радиатор для охлаждения микросхемы
4-е модуля

RIMM, установленные на материнской плате

Слайд 17

Новые разработки RAM
Американская компания DDR Drive собирается представить устройство хранения информации,

использующее модули DIMM, в виде платы расширения. Плата связывается с системой через слот PCI Express. Новинка способна поддерживать до 8 Гб памяти в четырёх слотах DIMM.

плата расширения

4 модуля DIMM по 1 Гб

Слайд 18

Новые разработки RAM
Компания Elpida Memory в конце 2004 г. сообщила о

выпуске и начале поставок первых 1 Гб модулей DIMM DDR2 SDRAM для серверов.

чипы памяти по 256 Мб

Слайд 19

Новые разработки RAM
Компания Elpida Memory в 2005 году начала производство модулей

памяти с полной буферизацией (Fully-Buffered Dual in-line Memory Modules) FB-DIMM емкостью от 512 Мб до 4 Гб, предназна-ченной для использования в серверах новых поколений.

Микросхема АВМ - Advanced Memory Buffer

Слайд 20

Новые разработки RAM
Компания OCZ Technology Inc. в декабре 2006г. представила новые

DDR2-модули с улучшенным радиатором (объемом по 1 Гб)

Новый сетчатый кор-пус радиатора, улуч-шая циркуляцию воз-духа над микросхе-мами памяти, позво-ляет эффективнее решать проблему отвода тепла .

Слайд 21

Новые разработки RAM
Компания OCZ Technology Inc. в ноябре 2006г. объявила о

выпуске модулей DDR2 1150 PC-9200 с гибридным радиатором (объемом по 1 Гб)

Такая конструкция улучшает климатические условия работы микросхем памяти, отводя тепло от контактных площадок и нижней части корпуса.

Гибридный радиатор несет ответственность за верхнюю часть, тепло-проводящая плата от-вечает за нижнюю часть микросхем и контакты.

Слайд 22

DDR3 – это новейший этап развития памяти типа DDR SDRAM. Первые

модули памяти DDR3 были выпущены компанией Infineon в июле 2005. От модулей DDR2 новые модули отличаются более высокой скоростью передачи данных и меньшим энергопотреблением.

Сравнительные характеристики типов SDRAM

Слайд 23

Новая память Z-RAM вместо SRAM для кэш-памяти
Разработка фирмы Innovative Silicon -

Z-RAM (Zero Capacitor DRAM), бесконденсаторная DRAM. В качестве конденсатора используется затвор полевого транзистора, отделенный от канала слоем диэлектрика. Основным преимуществом подобной памяти является высокая компактность ячейки памяти - ее размер меньше в пять раз по сравнению с SRAM и в два раза - со стандартной DRAM памятью. Еще одним плюсом Z-RAM является возможность использования существующего оборудования и материалов при производстве чипов - при изготовлении Z-RAM используется SOI техпроцесс (кремний-на-изоляторе), который и применяет AMD для производства своих чипов. Это позволит значительно увеличить объем "кэша", а вместе с ним и производительность чипов. (январь 2006г.)

Слайд 24

Архитектура Z-RAM
Ячейка Z-RAM
Запись двоичных «1» и «0»

Слайд 25

Seiko Epson выпустили прототип 16KB SRAM модуля памяти, элементы которого сформированы

на низкотемпературном поликристаллическом стекле и заключены в платиск с использованием фирменной “SUFTLA” технологии. Подобная технология позволила создать различные гибкие носители информации в низкотемпературной среде.

Была успешно протестирована демо-система состоящая из 8 битного процессора и модуля гибкой памяти.

Ячейка из 6-и транзисторов, разработанная по 65-микронной технологии. Уменьшение размера ячейки SRAM позволяет увеличить объем кэш-памяти и соответственно производительность процессоров.

Новые разработки RAM

Слайд 26

Постоянная память ПК
ПЗУ (постоянное запоминающее устройство) или ROM (read-only memory)

– это энергонезависимая постоянная память, доступная только для чтения.

микросхема ROM BIOS

размещение на материнской плате

Память ПК

Содержание

Основные характеристики памяти: информационная ёмкость(объем) быстродействие энергопотреблениеБыстродействие памяти зависит от: полосы

Задержки памяти делят на: время доступа (access time)длительность цикла памяти (cycle

1024 б - 1 Кб210 байт – 1 килобайт1048576 б -

Статическая память SRAMSRAM память, построенная на триггерахсигнал синхронизации

Динамическая память DRAMЛиния адресаЛиния данныхЯчейка памяти (1 бит)столбцы 1 2 3

Задержка между подачей номера строки и номера столбца – tRCD

DRAM – Dynamic Random Access Memory динамическая память – основной вид

Общий вид модуля памятиЧипы памяти на модулеСоединительные проводники (линии интерфейса), объединенные

Чипы с матрицами памятиВыходы микросхемы –пины (pins)Слоты RAM на материнской плате

DIP модули микросхем RAM1. DIP-корпус Установка модулей DIP на материнскую плату

SIPP модули микросхем RAMчипы памяти основа микросхемы(изоляционный слой)выходы микросхемы (пины)SIPP –

SIММ модули микросхем RAM30pin модульпластмассовый держатель чипы памятивыходы микросхемы (пины)FPM DRAM

SIММ модули микросхем RAM72pin модульчипы памятивыходы микросхемы (пины)EDO DRAM пластмассовый держатель

DIMM DDR2 256 Mb, “KINGMAX“частота шины 533 МГцDIMM DDR 512 Mb,

RIMM - Rambus In-line Memory Module радиатор для охлаждения микросхемы4-е модуля

Новые разработки RAM Американская компания DDR Drive собирается представить устройство хранения информации,

Новые разработки RAM Компания Elpida Memory в конце 2004 г. сообщила о

Новые разработки RAMКомпания Elpida Memory в 2005 году начала производство модулей

Новые разработки RAMКомпания OCZ Technology Inc. в декабре 2006г. представила новые

Новые разработки RAMКомпания OCZ Technology Inc. в ноябре 2006г. объявила о