Структура адресных ЗУ

Июль 24, 2022

Главная
Разное
Структура адресных ЗУ

Содержание

2. Структура адресных ЗУ Структура 2D Read—чтение Write—запись
3. Структура адресных ЗУ Структура 3D ЗУ с одноразрядной организацией. Пример: Для структуры 2D при хранении 1К
4. Структура адресных ЗУ Структура 3D
5. Структура адресных ЗУ Структура 3D с многоразрядной организацией
6. Структура адресных ЗУ ЗУ типа ROM (структура 2DM)
7. Структура адресных ЗУ ЗУ типа RАM (структура 2DM)
8. Структура ЗУ с последовательным доступом
9. Структура ЗУ с последовательным доступом Буфер FIFO, представляет собою ЗУ для хранения очередей данных с порядком
10. Элементы масочных ЗУ
11. Элементы масочных ЗУ Матрицы ПЗУМ на МОП-транзисторах
12. Элементы масочных ЗУ В матрице на диодах горизонтальные линии являются линиями выборки слов (адресными шинами-Ш1), а
13. Элементы программируемых ПЗУ ППЗУ на основе многоэмиттерных транзисторов
14. Статические ЗУ Элементы памяти ОЗУ на МОП – структурах Типовая схема статического ЭП на п -МОП–
15. Статические ЗУ Принципиальная схема запоминающего элемента статического ОЗУ, выполненного по КМОП технологии. (Вместо резисторов в БИС
16. Статические ЗУ Выходной каскад с третьим состоянием, используемый в КМОП ОЗУ. Низкий уровень сигнала CS и
17. Статические ЗУ Внешняя организация и временные диаграммы статических ОЗУ. Статическое ОЗУ емкостью 16 Кбит (2Кх8) или
18. Статические ЗУ Временные диаграммы цикла считывания.
19. Статические ЗУ Временные диаграммы цикла записи.
20. Динамические ЗУ Запоминающие элементы DRAM. Однотранзисторный ЗЭ. Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсатор от линии записи-считывания или
21. Модули памяти ОЗУ Наращивание памяти ОЗУ
23. Скачать презентацию

Слайд 2

Структура адресных ЗУ
Структура
2D
Read—чтение
Write—запись

Слайд 3

Структура адресных ЗУ
Структура 3D
ЗУ с одноразрядной
организацией.
Пример:
Для структуры
2D при

хранении 1К
ЗЭ потребовался бы
дешифратор с 1024
выходами, тогда как для структуры типа 3D нужны два
дешифратора с 32 выходами каждый.

Слайд 4

Структура адресных ЗУ
Структура
3D

Слайд 5

Структура адресных ЗУ
Структура 3D
с многоразрядной
организацией

Слайд 6

Структура адресных ЗУ
ЗУ типа ROM (структура 2DM)

Слайд 7

Структура адресных ЗУ
ЗУ типа RАM (структура 2DM)

Слайд 8

Структура ЗУ с последовательным доступом

Слайд 9

Структура ЗУ с последовательным доступом
Буфер FIFO, представляет собою ЗУ для хранения

очередей данных с порядком выборки слов, таким же, что и порядок их поступления.
Новое слово ставится в конец очереди, считывание же осуществляется с начала очереди.

Слайд 10

Элементы масочных ЗУ

Слайд 11

Элементы масочных ЗУ
Матрицы ПЗУМ на МОП-транзисторах

Слайд 12

Элементы масочных ЗУ
В матрице на диодах горизонтальные линии являются линиями выборки

слов (адресными шинами-Ш1), а вертикальные — линиями считывания. Считываемое слово определяется расположением диодов в узлах координатной сетки.

Слайд 13

Элементы программируемых ПЗУ
ППЗУ на основе многоэмиттерных транзисторов

Слайд 14

Статические ЗУ
Элементы памяти ОЗУ на МОП – структурах
Типовая схема статического ЭП

на п -МОП– транзисторах с индуцированным каналом п - типа.
Элемент памяти состоит из МОП – транзисторов: VT2 и
VT3 образуют триггер,а - VT1 и VT4 являются
двунаправленными
ключами ввода –
выхода данных.
В триггере
используются
пассивные
нагрузки
(R1, R2 ).

Слайд 15

Статические ЗУ
Принципиальная схема запоминающего элемента статического ОЗУ, выполненного по КМОП технологии.
(Вместо

резисторов в БИС ОЗУ применяют МОП –
транзисторы).

Слайд 16

Статические ЗУ
Выходной каскад с третьим состоянием, используемый в КМОП ОЗУ.
Низкий

уровень сигнала CS и высокий уровень сигнала R W , означают разрешение операции чтения.

Слайд 17

Статические ЗУ
Внешняя организация и временные диаграммы статических ОЗУ.
Статическое ОЗУ емкостью 16

Кбит (2Кх8) или 2К байт. (Структура 2D).
ОЗУ имеет 11 адресных входов A10-А0.
Вход выборки кристалла СS.
Если СS=1, то схема находится в
режиме хранения.
Вход чтения/записи R W.
При RW=1 содержимое выбранной
ячейки памяти может быть считано,
при RW=0 - записано двоичное слово.
Входы и выходы DI совмещены и обладают свойством
двунаправленных передач, которое обеспечивается сигналом по входу OE (разрешение по выходу). Пассивное состояние этого входа (OE=1) переводит выходы в третье состояние

Слайд 18

Статические ЗУ
Временные диаграммы цикла считывания.

Слайд 19

Статические ЗУ
Временные диаграммы цикла записи.

Слайд 20

Динамические ЗУ
Запоминающие элементы DRAM. Однотранзисторный ЗЭ.
Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсатор
от линии

записи-считывания или подключает его к ней.
Сток транзистора не имеет внешнего вывода и образует одну из обкладок конденсатора. Другой обкладкой служит подложка.
Между обкладками расположен тонкий слой диэлектрика — оксида кремния SiO2.
В режиме хранения ключевой транзистор заперт. При выборке данного ЗЭ на затвор подается напряжение, отпирающее транзистор.

Слайд 21

Структура адресных ЗУ

Содержание

Структура адресных ЗУСтруктура2DRead—чтениеWrite—запись

Структура адресных ЗУСтруктура 3DЗУ с одноразрядной организацией.Пример:Для структуры 2D при

Структура адресных ЗУСтруктура 3D

Структура адресных ЗУСтруктура 3Dс многоразряднойорганизацией

Структура адресных ЗУЗУ типа ROM (структура 2DM)

Структура адресных ЗУЗУ типа RАM (структура 2DM)

Структура ЗУ с последовательным доступом

Структура ЗУ с последовательным доступомБуфер FIFO, представляет собою ЗУ для хранения

Элементы масочных ЗУ

Элементы масочных ЗУМатрицы ПЗУМ на МОП-транзисторах

Элементы масочных ЗУВ матрице на диодах горизонтальные линии являются линиями выборки

Элементы программируемых ПЗУППЗУ на основе многоэмиттерных транзисторов

Статические ЗУЭлементы памяти ОЗУ на МОП – структурахТиповая схема статического ЭП

Статические ЗУПринципиальная схема запоминающего элемента статического ОЗУ, выполненного по КМОП технологии.(Вместо

Статические ЗУВыходной каскад с третьим состоянием, используемый в КМОП ОЗУ. Низкий

Статические ЗУВнешняя организация и временные диаграммы статических ОЗУ.Статическое ОЗУ емкостью 16

Статические ЗУВременные диаграммы цикла считывания.

Статические ЗУВременные диаграммы цикла записи.

Динамические ЗУЗапоминающие элементы DRAM. Однотранзисторный ЗЭ.Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсаторот линии

Модули памяти ОЗУНаращивание памяти ОЗУ

Похожие презентации