THz pumpe-probe 29 марта 2020 года

Август 8, 2022

Главная
Разное
THz pumpe-probe 29 марта 2020 года

Содержание

2. Схема спектрометра для TRTS
3. Схемы реализации метода
4. Временной анализ принятого сигнала Это некоторая общая формула для метода анализа временного отклика
5. ТГц отклик образца при его исследовании временной отклик образца – обратное преобразование Фурье от спектра пропускания
6. Свойство фото-индуцированного отклика среды Фотоиндуцированный временной отклик образца не является мгновенным. Это означает, что пропускание в
7. По принципу причинности
8. Для не облучаемого образца Измеряется величина
9. ТГц импульсы, излучаемые пластиной GaAs толщиной 500 мкм, который накачивается лазерным импульсом при λ = 800
10. Пример реализации трех импульсной схемы: исследование медленные индуцированные процессы Разностные ТГц сигналы излучаемые пластиной 500 мкм,
11. Пример реализации трех импульсной схемы: исследование медленные индуцированные процессы Так как функция у нас медленно меняется,
12. Кинетический анализ (а) Фотоиндуцированное изменение пропускания пластины SI-GaAs. Экспериментальные точки соответствуют различным частотам спектра поглощения, в
13. Некоторые методические замечания
14. 2D временные зависимости наблюдаемых явлений в TRTS H. Němec, et al., J. Chem. Phys. 122, 104503
15. JPU 2009 Идея реализации метода Pump: λ=810 nm (fs, CPA) Probe: Broadband (ps) THz Collinear Pump-Probe
16. InP: Результаты Медленные процессы Нестационарное изменение максимума временного профиля импульса vs. Pump-Probe задержка τp (1D Scan).
17. InP: Результаты исследования Медленные процессы Поверхностная проводимость
18. JPU 2009 InP: Результаты исследований Быстрая динамика БПФ от времени БПФ при «pump-probe» задержке Время-разрешенный спектр
19. InP: Результаты исследований Быстрая динамика Экспериментальный 2D спектр поверхностной проводимости Подгонка с помощью модели Друде Без
20. JPU 2009 InP: Результаты исследований Энергетическая зависимость Модель Шокли–Рида–Холла NB! Если использовать накачку большим пятном, то
21. JPU 2009 InP Результаты: Вывод Влияние концентрации ионов Br+ на объемные и параметры и параметры травления
22. InGaAs: Результаты исследования Медленные процессы (*)нелегированный Одно-компонентная
23. In1-xGaxAs: Результаты исследований Быстрые процессы (x=0.47) Проводимость: сумма нескольких вкладов (3 прохода) Подгонка 2D спектра Дает
24. In1-xGaxAs Динамика (x=0.47) mL = 0.29 me mX = 0.68 me mΓ = 0.041 me Ловушки
25. In1-xGaxAs Динамика (x=0.47) mL = 0.29 me mX = 0.68 me mΓ = 0.041 me Ловушки
26. In1-xGaxAs Динамика (x=0.47) mL = 0.29 me mX = 0.68 me mΓ = 0.041 me Ловушки
27. In1-xGaxAs Динамика (x=0.47) mL = 0.29 me mX = 0.68 me mΓ = 0.041 me …
29. Скачать презентацию

Слайд 2

Схема спектрометра для TRTS

Слайд 3

Схемы реализации метода

Слайд 4

Временной анализ принятого сигнала
Это некоторая общая формула для метода анализа временного

отклика

Слайд 5

ТГц отклик образца при его исследовании
временной отклик образца – обратное преобразование

Фурье от спектра пропускания

Временной отклик «не обученного» и «облученного» образцов

Слайд 6

Свойство фото-индуцированного отклика среды
Фотоиндуцированный временной отклик образца не является мгновенным.

Это означает, что пропускание в момент времени t зависит от фотоиндуцированных измерений, которые происходят за некоторое время до этого

Слайд 7

По принципу причинности

Слайд 8

Для не облучаемого образца
Измеряется величина

Слайд 9

ТГц импульсы, излучаемые пластиной GaAs толщиной 500 мкм, который накачивается лазерным

импульсом при λ = 800 нм (сплошная линия). Время задержка между оптическим возбуждением и оптическим зондом составляет τ = 2,67 пс.

Пример реализации трех импульсной схемы

Слайд 10

Пример реализации трех импульсной схемы: исследование медленные индуцированные процессы
Разностные ТГц

сигналы излучаемые пластиной 500 мкм, накачиваемой накачиваемая лазерным импульсом при λ = 800 нм. Каждая кривая соответствует разным значениям временной задержки τ между оптическим возбуждением и оптическим зондированием.

Слайд 11

Пример реализации трех импульсной схемы: исследование медленные индуцированные процессы
Так как

функция у нас медленно меняется, то

Слайд 12

Кинетический анализ
(а) Фотоиндуцированное изменение пропускания пластины SI-GaAs. Экспериментальные точки соответствуют различным

частотам спектра поглощения, в то время как непрерывная линия соответствует выременной динамике амплитуды ТГц импульса.
(б) фото-индуцированное изменение поглощения пластины SI-GaAs и InP: Fe. Сплошные линии экспоненциальная подгонка.

Слайд 13

Некоторые методические замечания

Слайд 14

2D временные зависимости наблюдаемых явлений в TRTS
H. Němec, et al., J.

Chem. Phys. 122, 104503 (2005)

Слайд 15

JPU 2009
Идея реализации метода
Pump:
λ=810 nm (fs, CPA)
Probe:
Broadband (ps) THz
Collinear Pump-Probe
Geometry: Ultimate

Temporal Resolution
(limited only by the
detector response)

Low excitation experiment: few µJ/pulse – w0~2mm
Initial carrier concentrations: 1016Setup in vacuum box to prevent water absorption

ΔETHz(t): Нестационарное изменение ETHz(t) (временная форма) записаны при различных задержках

Равновесное

Фотовозбуждение

Релаксация
Рассеяние

Слайд 16

InP: Результаты
Медленные процессы
Нестационарное изменение максимума временного профиля импульса vs. Pump-Probe

задержка τp (1D Scan).

Усредненная спектральная информация о времени жизни носителей τc.

Временная динамика ТГц временного профиля: Комплексный спектр (действительная и мнимая части ) поверхностной проводимости.

Слайд 17

InP: Результаты исследования
Медленные процессы
Поверхностная проводимость

Слайд 18

JPU 2009
InP: Результаты исследований
Быстрая динамика
БПФ от времени
БПФ при «pump-probe» задержке
Время-разрешенный

спектр

2D спектр

Динамика при легировании 1011 и 1012 см-2 быстрая (нет quasi-dc)
? Необходимо использовать 2D БПФ

H. Němec, et al., J. Chem. Phys. 122, 104503 (2005)

Временные профили

Слайд 19

InP: Результаты исследований
Быстрая динамика
Экспериментальный 2D спектр поверхностной проводимости
Подгонка с помощью модели

Друде

Без накачки нет никаких особенностей

Хорошее согласие с моделью Друде

Слайд 20

JPU 2009
InP: Результаты исследований
Энергетическая зависимость
Модель Шокли–Рида–Холла
NB! Если использовать накачку большим

пятном, то поперечной диффузии не будет.

Phys. Rev. B, 78, 235206 (2008)

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11

Слайд 21

JPU 2009
InP Результаты: Вывод
Влияние концентрации ионов Br+ на объемные

и параметры и параметры травления

Время жизни носителей:
Плотность наведенных дефектов;
нет влияния облучения ионами Br
Время захвата (trapping time) уменьшается на 3 порядка (Log)
Молбильность уменьшается только в три раза (Linear)

Слайд 22

InGaAs: Результаты исследования
Медленные процессы
(*)нелегированный
Одно-компонентная

Слайд 23

In1-xGaxAs: Результаты исследований
Быстрые процессы
(x=0.47)
Проводимость: сумма нескольких вкладов (3 прохода)
Подгонка 2D спектра
Дает

возможность получить τ’s

Слайд 24

In1-xGaxAs Динамика
(x=0.47)
mL = 0.29 me
mX = 0.68 me
mΓ = 0.041 me
Ловушки

Слайд 25

In1-xGaxAs Динамика
(x=0.47)
mL = 0.29 me
mX = 0.68 me
mΓ = 0.041 me
Ловушки

Слайд 26

In1-xGaxAs Динамика
(x=0.47)
mL = 0.29 me
mX = 0.68 me
mΓ = 0.041 me
Ловушки

Слайд 27

In1-xGaxAs Динамика
(x=0.47)
mL = 0.29 me
mX = 0.68 me
mΓ = 0.041 me
…

и дальнейшая медленная
релаксация …

Ловушки

THz pumpe-probe 29 марта 2020 года

Содержание

Схема спектрометра для TRTS

Схемы реализации метода

Временной анализ принятого сигналаЭто некоторая общая формула для метода анализа временного

ТГц отклик образца при его исследованиивременной отклик образца – обратное преобразование

Свойство фото-индуцированного отклика среды Фотоиндуцированный временной отклик образца не является мгновенным.

По принципу причинности

Для не облучаемого образца Измеряется величина

ТГц импульсы, излучаемые пластиной GaAs толщиной 500 мкм, который накачивается лазерным

Пример реализации трех импульсной схемы: исследование медленные индуцированные процессы Разностные ТГц

Пример реализации трех импульсной схемы: исследование медленные индуцированные процессы Так как

Кинетический анализ(а) Фотоиндуцированное изменение пропускания пластины SI-GaAs. Экспериментальные точки соответствуют различным

Некоторые методические замечания

2D временные зависимости наблюдаемых явлений в TRTSH. Němec, et al., J.

JPU 2009Идея реализации методаPump:λ=810 nm (fs, CPA)Probe:Broadband (ps) THzCollinear Pump-ProbeGeometry: Ultimate

InP: РезультатыМедленные процессы Нестационарное изменение максимума временного профиля импульса vs. Pump-Probe

InP: Результаты исследованияМедленные процессы Поверхностная проводимость

JPU 2009InP: Результаты исследованийБыстрая динамикаБПФ от времени БПФ при «pump-probe» задержкеВремя-разрешенный

InP: Результаты исследованийБыстрая динамикаЭкспериментальный 2D спектр поверхностной проводимостиПодгонка с помощью модели

JPU 2009InP: Результаты исследованийЭнергетическая зависимостьМодель Шокли–Рида–Холла NB! Если использовать накачку большим

JPU 2009 InP Результаты: Вывод Влияние концентрации ионов Br+ на объемные

InGaAs: Результаты исследованияМедленные процессы(*)нелегированныйОдно-компонентная

In1-xGaxAs: Результаты исследованийБыстрые процессы(x=0.47)Проводимость: сумма нескольких вкладов (3 прохода)Подгонка 2D спектраДает

In1-xGaxAs Динамика(x=0.47)mL = 0.29 memX = 0.68 memΓ = 0.041 meЛовушки

In1-xGaxAs Динамика(x=0.47)mL = 0.29 memX = 0.68 memΓ = 0.041 meЛовушки

In1-xGaxAs Динамика(x=0.47)mL = 0.29 memX = 0.68 memΓ = 0.041 meЛовушки

In1-xGaxAs Динамика(x=0.47)mL = 0.29 memX = 0.68 memΓ = 0.041 me…

Похожие презентации

Временной анализ принятого сигнала
Это некоторая общая формула для метода анализа временного

ТГц отклик образца при его исследовании
временной отклик образца – обратное преобразование

Свойство фото-индуцированного отклика среды
Фотоиндуцированный временной отклик образца не является мгновенным.

Для не облучаемого образца
Измеряется величина

Пример реализации трех импульсной схемы: исследование медленные индуцированные процессы
Разностные ТГц

Пример реализации трех импульсной схемы: исследование медленные индуцированные процессы
Так как

Кинетический анализ
(а) Фотоиндуцированное изменение пропускания пластины SI-GaAs. Экспериментальные точки соответствуют различным

2D временные зависимости наблюдаемых явлений в TRTS
H. Němec, et al., J.

JPU 2009
Идея реализации метода
Pump:
λ=810 nm (fs, CPA)
Probe:
Broadband (ps) THz
Collinear Pump-Probe
Geometry: Ultimate

InP: Результаты
Медленные процессы
Нестационарное изменение максимума временного профиля импульса vs. Pump-Probe

InP: Результаты исследования
Медленные процессы
Поверхностная проводимость

JPU 2009
InP: Результаты исследований
Быстрая динамика
БПФ от времени
БПФ при «pump-probe» задержке
Время-разрешенный

InP: Результаты исследований
Быстрая динамика
Экспериментальный 2D спектр поверхностной проводимости
Подгонка с помощью модели

JPU 2009
InP: Результаты исследований
Энергетическая зависимость
Модель Шокли–Рида–Холла
NB! Если использовать накачку большим

JPU 2009
InP Результаты: Вывод
Влияние концентрации ионов Br+ на объемные

InGaAs: Результаты исследования
Медленные процессы
(*)нелегированный
Одно-компонентная

In1-xGaxAs: Результаты исследований
Быстрые процессы
(x=0.47)
Проводимость: сумма нескольких вкладов (3 прохода)
Подгонка 2D спектра
Дает

In1-xGaxAs Динамика
(x=0.47)
mL = 0.29 me
mX = 0.68 me
mΓ = 0.041 me
Ловушки

In1-xGaxAs Динамика
(x=0.47)
mL = 0.29 me
mX = 0.68 me
mΓ = 0.041 me
Ловушки

In1-xGaxAs Динамика
(x=0.47)
mL = 0.29 me
mX = 0.68 me
mΓ = 0.041 me
Ловушки

In1-xGaxAs Динамика
(x=0.47)
mL = 0.29 me
mX = 0.68 me
mΓ = 0.041 me
…