Биполярный транзистор

Сентябрь 14, 2022

Главная
Алгебра
Биполярный транзистор

Содержание

2. схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.
6. Основные параметры Коэффициент передачи по току. Входное сопротивление. Выходная проводимость. Обратный ток коллектор-эмиттер. Время включения. Предельная
7. Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы
8. Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора справедливы только для низких частот и малых амплитуд
9. Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной
10. Нормальный активный режим Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном
11. Режим отсечки В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход
13. Скачать презентацию

Слайд 2

схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.

Слайд 3

Слайд 4

Слайд 5

Слайд 6

Основные параметры
Коэффициент передачи по току.
Входное сопротивление.
Выходная проводимость.
Обратный ток коллектор-эмиттер.
Время включения.
Предельная частота

коэффициента передачи тока базы.
Обратный ток коллектора.
Максимально допустимый ток.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Слайд 7

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные.
Собственные параметры характеризуют

свойства транзистора, независимо от схемы его включения.
В качестве основных собственных параметров принимают:
коэффициент усиления по току α;
сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току rэ, rк, rб, которые представляют собой:
rэ — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
rк — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
rб — поперечное сопротивление базы.

Слайд 8

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора справедливы только для

низких частот и малых амплитуд сигналов.. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».
Входное сопротивление — сопротивление входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.
h11 = Um1/Im1, при Um2 = 0.
Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.
h12 = Um1/Um2, при Im1 = 0.

Слайд 9

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при

нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.
h21 = Im2/Im1, при Um2 = 0.
Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.
h22 = Im2/Um2, при Im1 = 0.

Слайд 10

Нормальный активный режим
Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база —

в обратном (закрыт):
UЭБ>0; UКБ<0 (для транзистора n-p-n типа), для транзистора p-n-p типа условие будет иметь вид UЭБ<0; UКБ>0.

Инверсный активный режим
Эмиттерный переход имеет обратное смещение, а коллекторный переход — прямое: UКБ>0; UЭБ<0 (для транзистора n-p-n типа)

Слайд 11

Режим отсечки
В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на

эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В).
Режим отсечки соответствует условию UЭБ<0,6—0,7 В, или IБ=0

Биполярный транзистор

Содержание

схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.

Основные параметрыКоэффициент передачи по току.Входное сопротивление.Выходная проводимость.Обратный ток коллектор-эмиттер.Время включения.Предельная частота

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора справедливы только для

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при

Нормальный активный режимПереход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база —

Режим отсечкиВ данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на

Похожие презентации

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные.
Собственные параметры характеризуют

Нормальный активный режим
Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база —

Режим отсечки
В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на