Цифровая схемотехника. Базовые элементы цифровых интегральных схем

Содержание

Слайд 2

Цель работы Изучить схемотехнику базовых элементов наиболее распространенных серий цифровых ИС

Цель работы

Изучить схемотехнику базовых элементов наиболее распространенных серий цифровых ИС
Научиться проверять

исправность и определять цоколевку полупроводниковых диодов
Изготовить макет из дискретных элементов и проверить в работе:
Логический элемент “НЕ” на базе ключевого каскада с общим эмиттером
Логический элемент “2И-НЕ” на базе диодно-транзисторной логики
Логический элемент “НЕ” на базе К-МОП логики
Логический элемент “2ИЛИ-НЕ” на базе К-МОП логики
Логический элемент “2И-НЕ” на базе К-МОП логики
Слайд 3

Диодно-транзисторная логика Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как

Диодно-транзисторная логика

Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как элемент

с двумя состояниями, или логический элемент, с помощью которых в цифровой технике производятся логические операции двоичной (Булевой) алгебры. Выход логического элемента может принимать только два состояния – низкого уровня, соответствующего напряжению насыщения (логического нуля) и высокого уровня близкого к напряжению питания, соответствующего режиму отсечки (логической единицы). Так, ключевой каскад с общим эмиттером (Рис) выполняет операцию «НЕ», если источником входного сигнала служит двоичное напряжение с уровнем логического нуля 0-0.7 В и уровнем логической единицы, близким к VCC.
Слайд 4

Диодно-транзисторная логика Элемент можно сделать многовходовым, используя диодную развязку (Рис). Дополнительный

Диодно-транзисторная логика

Элемент можно сделать многовходовым, используя диодную развязку (Рис). Дополнительный диод

в цепи базы нужен для компенсации прямого падения напряжения на входных диодах. Элемент выполняет функцию логического умножения с инверсией “2И-НЕ”. Такой тип «логики» называется диодно-транзисторная логика (ДТЛ). Логически такая схема работает правильно, но с точки зрения схемотехнической реализации она не оптимальна. Во-первых, элемент имеет большое внутреннее энергопотребление, во-вторых, низкое быстродействие из-за насыщения транзистора. Для более быстрого запирания транзистора к базе нужно прикладывать дополнительный источник отрицательного смещения.
Слайд 5

Транзисторно-транзисторная логика Наибольшую популярность на протяжении многих лет имела технология ТТЛ

Транзисторно-транзисторная логика

Наибольшую популярность на протяжении многих лет имела технология ТТЛ (транзисторно-транзисторная

логика). Особенностью этой технологии является использование многоэмиттерного биполярного транзистора (МЭТ) для организации многовходовых элементов с логикой «И». Схема базовой ячейки 3И-НЕ элемента ТТЛ показана на рисунке.
Слайд 6

Транзисторно-транзисторная логика Переходы база-эмиттер МЭТ работают как диодные развязки, исключая влияние

Транзисторно-транзисторная логика

Переходы база-эмиттер МЭТ работают как диодные развязки, исключая влияние одного

входа на другой, а отсутствие дискретных диодов на кристалле делает элемент более компактным. Выходной каскад построен по двухтактной схеме, что значительно снижает энергопотребление элемента. Диод в выходном каскаде создает дополнительное «запирающее» смещение для верхнего транзистора, исключая возникновение сквозного тока. Транзистор в промежуточном каскаде служит для предварительного усиления и создает противофазный сигнал для выходного каскада. Он переходит в открытое состояние только когда на всех входах присутствует сигнал логической 1. На выходе элемента при этом устанавливается сигнал низкого уровня (логический 0). Напряжение питания микросхем ТТЛ фиксировано и составляет +5В. Уровень логического «0» на входе определяется порогом открывания p-n перехода и не должен превышать 0.8 В. Уровень логической «1» на каждом из входов, необходимый для надежного переключения элемента составляет около 2 В. Выходной уровень «0» сооветствует UКЭ и не превышает 0.4 В. Выходной уровень логической «1» складывается из падения напряжения на резисторе, остаточного напряжения UКЭ и напряжения на диоде и составляет от 2.4 до 3.5 В.
Слайд 7

Транзисторно-транзисторная логика Наряду с элементами И-НЕ в ТТЛ существуют элементы, реализующие

Транзисторно-транзисторная логика

Наряду с элементами И-НЕ в ТТЛ существуют элементы, реализующие

по входу логику ИЛИ. На рисунке приведена схема 2ИЛИ-НЕ. Самой известной серией отечественных микросхем ТТЛ логики является серия 155 и ее «военный» вариант 133. Эти микросхемы являются аналогами западных серий 74 и 54, изначально разработанными фирмой Texas Instruments. Быстродействие элемента (задержка на переключение) составляет около 15-20 нс. Существует несколько модификаций данной серии (с пониженным потреблением, с повышенным быстродействием и т.д.). Одна из таких модификаций – серия ТТЛШ (555 и 74S). В ней использованы диоды и транзисторы Шоттки, что позволило уменьшить задержку на переключение до 3 нс.
Слайд 8

Эмиттерно-связанная логика Быстродействие схем ТТЛ ограничивается тем, что транзисторы в них

Эмиттерно-связанная логика

Быстродействие схем ТТЛ ограничивается тем, что транзисторы в них работают

с насыщением. Наибольшим быстродействием обладает транзистор, работающий в линейном режиме. На этом принципе построена самая быстродействующая логика – ЭСЛ, элемент 2ИЛИ которой показан на рисунке
Слайд 9

Эмиттерно-связанная логика Входные каскады в ней построены по дифференциальной схеме и

Эмиттерно-связанная логика

Входные каскады в ней построены по дифференциальной схеме и всегда

работают в линейном режиме. Выходные каскады построены по схеме с общим коллектором (эмиттерные повторители) и также работают в линейном режиме. В результате достигается максимальное быстродействие элемента. Время задержки элемента для самой быстродействующей ЭСЛ серии достигает 1.6 нс. В отличие от традиционной логики, ЭСЛ обычно питают от отрицательного источника напряжения, а «плюсовая» шина элемента соединяется с «землей». Это делается для того, чтобы выходное напряжение, которое более «привязано» к плюсовой шине, слабо зависело от флуктуаций питающего напряжения, к тому же, выходы оказываются защищенными от короткого замыкания на «землю». В связи с этим, уровни логического «0» и «1» имеют нестандартные значения. При напряжении питания -5 В, уровень «1» равен -0.9 В, уровень «0» -1.7 В. Столь малый разброс уровней обусловлен минимизацией влияния входных емкостей на быстродействие схемы, что однако снижает помехоустойчивость. Кроме того, согласование сигнала ЭСЛ с другим типом логики вызывает затруднения и требует специальных интерфейсов. Платой за высокое быстродействие ЭСЛ является большой потребляемый ток – около 20 мА на элемент. Из-за большой потребляемой мощности производимые микросхемы ЭСЛ имеют малую степень интеграции. В отечественной номенклатуре наиболее известны серии ЭСЛ 100, 500 , 1500.
Слайд 10

КМОП логика В последние годы наибольшее распространение получила логика, построенная на

КМОП логика

В последние годы наибольшее распространение получила логика, построенная на комплементарных

парах полевых транзисторов с изолированным затвором - КМОП. Несмотря на более сложный технологический процесс изготовления ячеек КМОП по сравнению с биполярными, на сегодняшний день логика КМОП практически вытеснила «биполярную» логику, благодаря своим уникальным свойствам. КМОП используется в микропроцессорах, микроконтроллерах, микросхемах статической памяти и других схемах цифровой логики.
Слайд 11

КМОП логика Схема элементарной КМОП ячейки «НЕ» показана на рисунке. Инвертор

КМОП логика

Схема элементарной КМОП ячейки «НЕ» показана на рисунке. Инвертор состоит

всего из двух МОП-транзисторов разного типа проводимости, соединенных затворами и стоками. Входной уровень логического «0», при котором выход инвертора находится в состоянии «1» с напряжением близким к напряжению питания VCC, соответствует зоне ниже порогового напряжения отпирания нижнего n-канального транзистора, а входной уровень «1», при котором выходное напряжение близко к нулю, должен быть выше порогового напряжения отпирания верхнего p-канального транзистора. Зона между «0» и «1» соответствует режиму линейного усиления элемента. Таким образом, в состоянии «0» и «1» элемент не потребляет тока ни по входу, ни внутри элемента. Потребление тока наблюдается только в переходных процессах и возрастает с ростом частоты переключения. Благодаря большому интервалу между напряжениями «0» и «1», КМОП микросхемы имеют высокую помехоустойчивость. В отличие от ТТЛ, КМОП работает в широком диапазоне питающих напряжений – от 3 до 15 вольт. Первые КМОП микросхемы имели довольно низкое быстродействие – порядка 1 мкс, но из-за очень низкого энергопотребления в статическом режиме они стали популярными в схемах автоматики и особенно в портативных устройствах (часах и т.п.). Из-за высокого сопротивления канала транзисторов (RСИ=0.2÷2кОм) нагрузочная способность КМОП элемента очень невысока – около 2 мА.
Слайд 12

КМОП логика Технология КМОП позволяет очень легко строить многовходовую логику как

КМОП логика

Технология КМОП позволяет очень легко строить многовходовую логику как по

«И», так и по «ИЛИ» с помощью однотипных элементов. На рисунках приведены схемы элементов 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ. Как видно, увеличение числа входов сводится лишь к параллельно-последовательному соединению соответствующих транзисторов. Недостаток такой топологии – зависимость нагрузочной способности от числа входов элемента из-за последовательного соединения нескольких транзисторов. Из наиболее популярных серий КМОП в отечественной промышленности можно назвать 561, 564 (аналог западной серии 4000А), «часовая» серия 176 и более современная быстродействующая серия – 1561 (аналог 4000В). Изначально ассортимент цифровых микросхем 77 КМОП уступал ассортименту ТТЛ и имел несовместимость по выводам для функционально аналогичных микросхем. Дальнейшее развитие КМОП технологии пошло по пути совместимости с ТТЛ как по цоколевке, так и по уровням напряжений. Примером тому является западная серия 74 с суффиксом «С» и серия 7400.
Слайд 13

Аналоговые ключи В режиме насыщения канал полевого транзистора представляет собой линейное

Аналоговые ключи

В режиме насыщения канал полевого транзистора представляет собой линейное сопротивление,

величина которого зависит от приложенного напряжения затвор-исток. На этом принципе построен аналоговый ключ – устройство, способное коммутировать аналоговый сигнал небольшого напряжения, не вносящее в него нелинейных искажений. Ключ состоит из двух МОП транзисторов с разным типом проводимости, включенных встречно-параллельно и управляемых общим сигналом, подаваемым на затворы транзисторов в противофазе. Схема аналогового ключа показана на рисунке. Cопротивление открытого канала составляет от 10 до 100 Ом. Главное условие работы ключа – уровень управляющего напряжения должен быть всегда выше точки выхода канала из насыщения – этим условием задается диапазон входных аналоговых напряжений. Ключ обладает симметрией, то есть выход ключа можно использовать как вход и наоборот. Аналоговые ключи выпускаются в виде интегральных микросхем, в одном корпусе обычно размещается от 2 до 8 ключей с идентичными параметрами (Рис.7.5.2). Ключи могут быть использованы и для коммутации цифровых сигналов, в качестве мультиплексоров, демультиплексоров и т.п. При этом управляющий сигнал организован в виде двоичного кода, а схема дешифрации (выбора нужного канала) находится внутри микросхемы. Из отечественных серий аналоговых ключей наиболее известна серия КР590.