ЦКП «Наноструктуры» в диагностическом сопровождении фундаментальных и прикладных исследований Сибирского региона

2001 год ЦКП «Сибирский центр исследования поверхности»
1996 год «Западно-Сибирский Центр коллективного пользования методами электронной микроскопии для исследования атомной структуры вещества»

Базовые подразделения ЦКП: лаборатория нанодиагностики и нанолитографии Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова, лаборатории структурного анализа Института катализа им. Г.К.Борескова и Института неорганической химии СО РАН.
ЦКП «Наноструктуры» входит в состав «Ассоциации ЦКП СО РАН». руководитель академик Р.З.Сагдеев

Кадровый состав ЦКП «Наноструктуры»: 33 научных сотрудника (из них 3 доктора наук, 18 кандидатов наук), инженерно-технический персонал – 9 человек, 8 аспирантов и 18 магистрантов.

«Технологии наноструктурирования полупроводниковых,
металлических, углеродных, биоорганических материалов и аналитические методы их исследования на наноуровне»
(ЦКП «НАНОСТРУКТУРЫ»)
руководитель - член-корр. РАН А.В.Латышев

микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава широкого класса материалов из различных областей фундаментальной и прикладной науки, включая полупроводниковое материаловедение, катализ, минералогию и биологию;
оперативный бесконтактный контроль атомарных поверхностей методами атомно-силовой микроскопии;
определение элементного и химического состава поверхности твердых тел методами Оже, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС);
создание структур пониженной размерности для наноэлектроники и наномеханики методами оптической, электронной, ионной и зондовой литографии;
совершенствование и развитие экспериментальных методов диагностики и литографии применительно к системам пониженной размерности.

метрологической и диагностической поддержки исследований в области нанотехнологий, наноматериалов и наноэлектроники.
МЕТОДЫ АТОМНОЙ СБОРКИ: In situ нанодиагностика атомных процессов на поверхности и эффектов самоорганизации для формирования наноразмерных элементов в методе молекулярно-лучевой эпитаксии.
НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЕ МЕТОДАМИ ЛИТОГРАФИИ на основе остросфокусированных электронных и ионных пучков и зонда атомно-силового микроскопа для создания экспериментальных образцов для изучения квантовых эффектов, эффектов электронной интерференции и одноэлектронных эффектов.

Основные направления ЦКП «Наноструктуры»:

АСМ-изображения винтовых дислокаций, выходящих на поверхность GaAs(001) (a) и Si(111) (б), формирующих спиральные моноатомные ступени.

(а)

(б)

параметры низкоразмерных систем, как размеры квантовых объектов и их пространственное расположение, степень упорядочения, резкость границ раздела объект-матрица, наличие структурных дефектов и их местонахождение относительно границ раздела.

1952 г.

физических методов исследований (аттестат Росс.RU.0001.510485)
Лаборатория экологических исследований и хроматографического анализа (аттестат Росс.RU.0001.510486)
Лаборатория микроанализа (аттестат Росс.RU.0001.510484)
Лаборатория фармакологических исследований (аттестат Росс.RU.0001.514430)

Аттестована 21 методика
8 человек получили удостоверения Академии сертификации и метрологии и 1 человек получил удостоверение Роснанотех (Наносертифика)

ЦКП «НАНОСТРУКТУРЫ» при ИФП СО РАН

продукции наноиндустрии в СФО»

ФГУП «Сибирский государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт метрологии», г. Новосибирск;
Соисполнители:
ФГУ «НЦСМ», г. Новосибирск;
Предприятия и организации СФО, имеющие инфраструктуру наноиндустрии и нанотехнологий, а также центры коллективного пользования оборудованием нанотехнологий и наноизмерений, г.г. Новосибирск, Томск, Красноярск и Омск .

ЦКП «НАНОСТРУКТУРЫ» при ИФП СО РАН

размеров для фирмы NT-MDT (В.А.Быков)

Разработка и изготовления калибровочных мер для АСМ (NT-MDT)

http://www.ntmdt-tips.com/catalog/test_s/products/STEPP.html

Прецизионное измерение толщины нанометровых покрытий

Измерение кривизны острия кантилевера

4,7nm

10 nm

0,31 nm

100 nm

2 μm

СЭM

СЭM

ВРЭM

STEPP

NSG-20

и инженерных кадров в области технологии создания низкоразмерных полупроводниковых систем в рамках проектов интеграции с Новосибирским госуниверситетом и Сибирским Отделением РАН.

кристаллита для визуализации в ВРЭМ (300кВ)
(к.ф.-м.н. Д.В.Щеглов)

Е.Е.Родякина, С.С.Косолобов)

КРУГА ИССЛЕДОВАТЕЛЕЙ, РАЗРАБОТЧИКОВ И ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ПРОДУКЦИИ

ЦКП «НАНОСТРУКТУРЫ»