Содержание
- 2. Литература 1. В. К. Захаров, Ю. И. Лынарь. «Электронные устройства автоматики и телемеханики» 1984г. 2. В.
- 3. Тема: Электропроводность полупроводников Металлы, диэлектрики, полупроводники Ковалентные связи Энергетические диаграммы Зона проводи-мости Валентная зона Е металлы
- 4. Примесная электропроводность 1. Дырочная. 2. Электронная. In – акцепторная примесь Зона проводи-мости Валентная зона Уровни акцепторов
- 5. Тема: Электрические переходы I. Определение: электрические переходы II. Типы переходов. 1. металл – п/п а) невыпрямляющий
- 6. Pp =nn – симметричный, Pp ≠nn – несимметричный Pp >>nn, nn >> Pp (не менее 103
- 7. Обратное смещение Еобр + - Евнеш p n Евнут − − − + + + Iобр
- 8. Пробой перехода Туннельный, лавинный, тепловой Обратимый, необратимый U I тепловой лавинный туннельный Емкость перехода 1. Барьерная
- 9. Переходные процессы в p-n переходе 1. Включение E 0 0 I u0 Iобр tф Iпр t1
- 10. Параметры и разновидности диодов 1. по технологии изготовления - точечные, - планарные, - плоскостные (сплавные), -
- 11. Выпрямительные диоды (Сплавные, планарные) - предельное Uобр - прямое падение Uпр - cредний Iпр - рассасываемая
- 12. Прецизионные стабилитроны ─ + ∆U1 -∆U2 -∆U3 П1 П2 П3 |∆U2| ≈ |∆U3| ≈ |∆U| При
- 13. Варикапы vd + ─ (кремний, арсенид галлия) Параметры: Сд = Сбар (1÷3·102 пФ) Сн – номинальная
- 14. Фотодиоды vd Фототок Iф является следствием переноса через переход неосновных зарядов. Они изменяют концентрацию объемных зарядов
- 15. P-i-n диоды Диоды Шотки vd + - - + + Si n+ Al База Эмиттер AАl
- 16. б) ВАХ резистора (линия нагрузки) строится по точкам соответствующим режиму КЗ (rпр=0) и ХХ (rпр=∞) По
- 17. Тема: транзисторы 1. Биполярные 2. Полевые (униполярные) Структура БТ p n n П1 П2 Э Б
- 18. IЭ = IК + IБ IК = αIЭ – уравнение токов – уравнение переноса 0 α
- 19. Модель БТ Эберса - Молла n – p – n αI – αN – Для симметричных
- 20. 2. Входные характеристики (IЭ= f (UЭБ)) Находим из 1-го уравнения системы с учетом = αI αN
- 21. Схема с ОЭ 1. Входные характеристики (IБ = f (UБЭ)) IКЭ – параметр При UКЭ =
- 22. Физические параметры БТ 1. Дифференциальное сопротивление переходов Схема с ОЭ Схема с ОБ = = IЭ
- 23. h – параметры БТ ΔU1 = h11 ΔI1 + h21 ΔU2 ΔI2 = h21 ΔI1 +
- 24. Полевые транзисторы (ПТ) I. ПТ с управляющим p – n переходом n – канальный p –
- 25. II. МДП – транзисторы - МДП с индуцированным каналом МДП со встроенным каналом Выходные характеристики Iс
- 26. IV. МНОП – транзисторы - UПОР1 1 – стоко - затворная характеристика до записи 2 –
- 27. Динистор 0 – 1 – режим прямого запирания 1 – 2 – лавинообразное отпирание П2 2
- 28. Характеристики усилителей 1. Амплитудная характеристика UВЫХ = f (UВХ) UВХ UВЫХМАК ΔUВХ ΔUВЫХ UВЫХ 2. Амплитудно-частотная
- 29. Статический режим усилительного каскада каскад с ОЭ Определение: IБ = f (UБЭ) EСМ = IБRБ +
- 30. Параметры усилительных каскадов I. Схема с ОЭ 1. Входное сопротивление: Rвх Э = vT 2. Выходное
- 31. II. Схема с ОБ 1. Входное сопротивление: 2. Выходное сопротивление: 3. Коэффициент KU: (RН >> RК
- 32. Улучшение параметров каскадов 1. Увеличение β IK1= β1 IБ1 IЭ1= IБ2 = (1 + β1) IБ1
- 33. Усилители на ПТ ОС(ОК), ОН(ОЭ), ОЗ(ОБ) Задание рабочей точки 1. UН = IСА Ru UЗИ =
- 34. UОС = β UВЫХ UY = UВХ – UOC IОС = β UВЫХ IYC = IВХ
- 35. Входное сопротивление усилителя с ООС 1. Последовательная ОС по U RВХОС = UВХ IВХ UВЫХ =
- 36. АЧХ усилителя с ОС КОС = К0 1 + К0β Если К0 → ∞, КОС →
- 37. Оконечные (выходные) каскады Назначение. Режимы (А, В, АВ) 1. Каскад в режиме А IК, UКЭ ,
- 38. 3. Каскад в режиме АB (ОК-ОК) UБЭ1= UС + UD1 UБЭ2= (UС – UD2) Т. к.
- 39. Трансформаторный с преобразованием Вып Ген Тр. Вып ~Uсети =U ωС Uст Ф Стаб ωr ωr >>
- 40. - мостовой UОБР = Um 3. Фильтры. Назначение Г – образные, П – образные L C
- 41. Типы стабилизаторов – параметрические – компенсационные – импульсные Параметрические IRБ = IСТ + IН E =
- 42. Компенсационный – с последовательным регулирующим элементом – с параллельным UCT RН =U RР IПР UCT =U
- 43. Импульсный Ucc
- 44. Электронные ключи Ι По функциональному назначению – цифровые – аналоговые ΙΙ По соединению с нагрузкой –
- 45. Режим отсечки (т. А) UБЭ Из уравнений Эберса – Молла можно получить: IK ≈ IK0 ;
- 46. Схема замещения UKЭ и UБЭ ≈ 0, а транзистор считают эквипотенциальной точкой Переходные процессы в ключе
- 47. Включение Подготовка к включению Формирование фронта IK Накопление избыточного заряда Выключение Рассасывание избыточного заряда Формирование спада
- 48. 4) Серия спада tсп tсп=t5 –t4= ; Q’(∞)= ; Q(t4) = Qгр ; Q(t5) = 0
- 49. Uм t Iб Uвх tд tрас+tсп Iбн Способ 2. Ключ с нелинейной ОС Rб Uвх Rк
- 50. Способ 3. Ключ с диодом Шотки. Rб Uвх Rк +Eк VT VD Rб Uвх Rк +Eк
- 51. +Eс VT2 2. Ключ с динамической нагрузкой VT1 Uвых Если Uс Uвых ≈Eс При Uс >
- 52. Аналоговые ключи Выполнены на БТ и ПТ 1. Аналоговый ключ на ПТ Uc Uу + +
- 54. Скачать презентацию