Электронная микроскопия

Сентябрь 2, 2022

Главная
Алгебра
Электронная микроскопия

Содержание

2. Принципиальная схема просвечивающего электронного микроскопа 1 - источник излучения; 2 - конденсор; 3 - объект; 4
3. Получение реплик Схема получения электронномикроскопических препаратов (реплик): а - исходный образец в поперечном разрезе; б –
4. Задачи, решаемые с помощью просвечивающей электронной микроскопии Метод просвечивающей электронной микроскопии позволяет изучать внутреннюю структуру исследуемых
5. Примеры изображений Изображения стыка трех зерен, полученные с помощью ПЭМ на двухступенчатой реплике (а) и на
6. Примеры изображений Два встречных дефекта упаковки в 4H-SiC. Изображение получено на микроскопе JEM-3010 в зоне [2
7. Примеры изображений Изображение фуллеренового (С60) кристалла с разрешением структуры. Фотография получена на просвечивающем электронном микроскопе JEM-2010
8. Примеры изображений Квантовая точка - кристаллик Ge в матрице 4H-SiC
9. Взаимодействие пучка электронов с веществом Эффекты, возникающие при взаимодействии пучка электронов с веществом: 1 - электронный
11. Скачать презентацию

Слайд 2

Принципиальная схема просвечивающего электронного микроскопа
1 - источник излучения;
2 - конденсор;
3

- объект;
4 - объектив;
5 - первичное промежуточное изображение;
6 - вторичное промежуточное изображение;
7 – проекционная линза.

Слайд 3

Получение реплик
Схема получения электронномикроскопических препаратов (реплик):
а - исходный образец в

поперечном разрезе;
б – реплика.

Слайд 4

Задачи, решаемые с помощью просвечивающей электронной микроскопии
Метод просвечивающей электронной микроскопии позволяет

изучать внутреннюю структуру исследуемых металлов и сплавов, в частности:
- определять тип и параметры кристаллической решетки матрицы и фаз;
- определять ориентационные соотношения между фазой и матрицей;
- изучать строение границ зерен;
- определять кристаллографическую ориентацию отдельных зерен, субзерен;
- определять углы разориентировки между зернами, субзернами;
- определять плоскости залегания дефектов кристаллического строения;
- изучать плотность и распределение дислокаций в материалах изделий;
- изучать процессы структурных и фазовых превращений в сплавах;
- изучать влияние на структуру конструкционных материалов технологических факторов.

Слайд 5

Примеры изображений
Изображения стыка трех зерен, полученные с помощью ПЭМ на двухступенчатой

реплике (а) и на фольге (б).

Слайд 6

Примеры изображений
Два встречных дефекта упаковки в 4H-SiC. Изображение получено на микроскопе

JEM-3010 в зоне [2 -1 -1 0] карбида.

Слайд 7

Примеры изображений
Изображение фуллеренового (С60) кристалла с разрешением структуры. Фотография получена на

просвечивающем электронном микроскопе JEM-2010 при ускоряющем напряжении 200кВ без охлаждения. Исходная пленка была полностью окристаллизована. Под воздействием пучка просходит быстрое разрушение структуры: изображение получено в течение 1 мин с начала облучения данного участка, в последующем структура полностью аморфизуется

Слайд 8

Примеры изображений
Квантовая точка - кристаллик Ge в матрице 4H-SiC

Слайд 9

Взаимодействие пучка электронов с веществом
Эффекты, возникающие при взаимодействии пучка электронов с

веществом:
1 - электронный пучок;
2 - образец;
3 - отраженные электроны;
4 - вторичные электроны;
5 - ток поглощенных электронов;
6 - катодолюминесценция;
7 - рентгеновское излучение;
8 - Оже-электроны;
9 - наведенный ток;
10 - прошедшие электроны

Электронная микроскопия

Содержание

Принципиальная схема просвечивающего электронного микроскопа1 - источник излучения; 2 - конденсор;3

Получение репликСхема получения электронномикроскопических препаратов (реплик): а - исходный образец в

Задачи, решаемые с помощью просвечивающей электронной микроскопии Метод просвечивающей электронной микроскопии позволяет

Примеры изображенийИзображения стыка трех зерен, полученные с помощью ПЭМ на двухступенчатой

Примеры изображенийДва встречных дефекта упаковки в 4H-SiC. Изображение получено на микроскопе

Примеры изображенийИзображение фуллеренового (С60) кристалла с разрешением структуры. Фотография получена на

Примеры изображенийКвантовая точка - кристаллик Ge в матрице 4H-SiC

Взаимодействие пучка электронов с веществомЭффекты, возникающие при взаимодействии пучка электронов с

Похожие презентации