Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем

Сентябрь 2, 2022

Главная
Алгебра
Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем

Содержание

2. Напопительная балльная система по курсу КБ ЭВС
3. Применение интегральных схем и микросистем в устройствах бытового назначения Мобильный телефон Домашний компьютер Телевизор КПК Коммуникатор
4. Проектирование и изготовление ИС и микросистем требует: 1) знание физики полупроводников и полупроводниковых приборов; 2) знание
5. Курс состоит из двух частей: Физика полупроводников (зонная структура п/п, типы п/п, понятие носителей заряда, концентрация,
6. Классификация веществ: Удельное сопротивление материалов: Металлы ( 10-6 - 10-4 ) Ом*см; Полупроводники ( 10-3 –
7. Зависимость удельного сопротивления от температуры
8. Зависимость удельной проводимости свинца и кремния от температуры
9. Использование кремния в качестве основного полупроводникового материала (преимущества) 1) Кремний доступен (отработанная технология получения и обработки);
10. Периодическая система элементов Д.И. Менделеева
11. Структура кристаллической решетки типа алмаз
12. Анизотропия в кристаллах
13. Связь атомов в решетке кремния
14. Процесс образования пары электрон-дырка
15. Схема движения дырки
16. Собственный полупроводник
18. Скачать презентацию

Слайд 2

Напопительная балльная система по курсу КБ ЭВС

Слайд 3

Применение интегральных схем и микросистем в устройствах бытового назначения
Мобильный телефон
Домашний компьютер
Телевизор
КПК
Коммуникатор
DVD
Ноутбук
Музыкальный

плейер

Слайд 4

Проектирование и изготовление ИС и микросистем требует:
1) знание физики полупроводников и

полупроводниковых приборов;
2) знание технологии изготовления п/п приборов и ИС;
3) знание схемотехнических решений формирования ИС;
4) применение современных САПР и умение работать на них.

Слайд 5

Курс состоит из двух частей:
Физика полупроводников (зонная структура п/п, типы п/п,

понятие носителей заряда, концентрация, подвижность и время жизни нз, плотность электронного и дырочного токов и т.д.);
Физика полупроводниковых приборов (диод, биполярный тр-р, МДП и т.д.);

Слайд 6

Классификация веществ: Удельное сопротивление материалов:
Металлы ( 10-6 - 10-4 ) Ом*см;
Полупроводники (

10-3 – 109 ) Ом*см;
Диэлектрики – ( 1010-1018 ) Ом*см.
Полупроводники (Si, Ge, GaAs):
химические элементы (Si, Ge, Se);
интерметаллические соединения (InSb, GaAs);
окислы (CuO2, ZnO);
карбиды (SiC);
сульфиды (CdS, ZnS) и т.д.

Слайд 7