Зонная структура веществ при T=0

Содержание

Слайд 2

Зонные структуры полупроводников

Зонные структуры полупроводников

Слайд 3

Энергетические диаграммы собственного и примесного п/п

Энергетические диаграммы собственного и примесного п/п

Слайд 4

Концентрации донорных и акцепторных атомов

Концентрации донорных и акцепторных атомов

Слайд 5

Движение свободного электрона

Движение свободного электрона

Слайд 6

Движение электрона Плотность тока, обусловленная движением одного электрона: Плотность тока для

Движение электрона

Плотность тока, обусловленная движением одного электрона:

Плотность тока для всей системы

электронов:

Суммарная плотность тока всех электронов валентной зоны:

Слайд 7

Теория электропроводности Объем электронов: Связь плотности тока с дрейфовой скоростью: Изменение

Теория электропроводности

Объем электронов:

Связь плотности тока с дрейфовой скоростью:

Изменение концентрации носителей заряда:

Количество

электронов, не испытавших соударений:

Ускорение электрона во внешнем электрическом поле:

За время dt электрон приобретет дрейфовую скорость:

Путь, который пройдет электрон:

Слайд 8

Теория электропроводности Расстояние, которое пройдут все электроны по направлению x, совпадающему

Теория электропроводности

Расстояние, которое пройдут все электроны по направлению x, совпадающему с

направлением поля:

Время движения электронов:

Среднее время свободного пробега:

Скорость дрейфа электронов:

Подвижность носителей заряда:

Плотность тока:

Удельная проводимость:

Слайд 9

Уравнение Шредингера: Волновая функция зависит от координат всех электронов и атомных

Уравнение Шредингера:

Волновая функция зависит от координат всех электронов и атомных ядер:

Оператор

Гамильтона включает в себя:
Оператор кинетической энергии электронов
2) Оператор кинетической энергии ядер
3) Потенциальную энергию попарного взаимодействия электронов
4) Потенциальную энергию попарного взаимодействия ядер
5) Потенциальную энергию взаимодействия электронов с ядрами
Слайд 10

Заполнение валентной зоны: 1) Зона заполнена электронами частично. 2) В валентной

Заполнение валентной зоны:

1) Зона заполнена электронами частично.
2) В валентной зоне все

возможные электронные состояния заняты, но эта зона перекрывается со свободной зоной, не занятой электронами.
3) Число возможных состояний в валентной зоне равно количеству валентных электронов атомов, образовавших кристалл.