Генератор, задающий 16-битную последовательность

Сентябрь 15, 2022

Главная
Алгебра
Генератор, задающий 16-битную последовательность

Содержание

2. ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ: Спроектировать ИС: генератор, задающий 16-битную последовательность в базисе ТТЛ с щелевой изоляцией с технологической
3. КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ: Разработка логической структуры Технологическое проектирование Физико-топологическое проектирование Проектирование электрической схемы и топологии базовой ячейки
4. РАЗРАБОТКА ЛОГИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ УСТРОЙСТВА
6. ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ Расчет режимов высокотемпературных операций Расчет конструктивно технологических ограничений разработка технологического маршрута изготовления транзистора расчёт
7. Разработка технологического маршрута изготовления транзистора Создание скрытого коллекторного слоя Создание изолирующих областей Создание глубокого коллектора Создание
8. РАСЧЁТ РЕЖИМОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ Удельное сопротивление количество атомов примеси, поступившее из полуограниченного источника за время t
9. Эффективное распределение легирующей примеси в структуре
10. РАСЧЕТ КОНСТРУКТИВНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОГРАНИЧЕНИЙ
11. ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ Теоретический расчет Моделирование с пакете ISE T-Cad Экстрагирование
12. ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ Уравнения, связывающие напряжения на электродах транзистора и токи через них, с параметрами модели Гуммеля-Пуна
13. СТРУКТУРА ТРАНЗИСТОРА СМОДЕЛИРОВАННАЯ ПРОГРАММЕ T-CAD
14. РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА.
15. РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ БАЗОВОГО ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА
16. РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ БАЗОВОГО ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА
19. Скачать презентацию

Слайд 2

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ:
Спроектировать ИС: генератор, задающий 16-битную последовательность в базисе ТТЛ с

щелевой изоляцией с технологической нормой 1,5 мкм, со следующими параметрами слоев:

Слайд 3

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ:
Разработка логической структуры
Технологическое проектирование
Физико-топологическое проектирование
Проектирование электрической схемы и топологии базовой

ячейки

Слайд 4

РАЗРАБОТКА ЛОГИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ УСТРОЙСТВА

Слайд 5

Слайд 6

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
Расчет режимов высокотемпературных операций
Расчет конструктивно технологических ограничений
разработка технологического маршрута изготовления

транзистора
расчёт режимов технологических операций
расчёт параметров получаемой структуры

Слайд 7

Разработка технологического маршрута изготовления транзистора
Создание скрытого коллекторного слоя
Создание изолирующих областей
Создание

глубокого коллектора
Создание пассивной базы
Создание активной базы
Создание эмиттера
Создание металлизации

Слайд 8

РАСЧЁТ РЕЖИМОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
Удельное сопротивление
количество атомов примеси, поступившее из полуограниченного источника

за время t

распределение примеси, по функции Гаусса

Время загонки

Слайд 9

Эффективное распределение легирующей примеси в структуре

Слайд 10

РАСЧЕТ КОНСТРУКТИВНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОГРАНИЧЕНИЙ

Слайд 11

ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
Теоретический расчет
Моделирование с пакете ISE T-Cad
Экстрагирование

Слайд 12

ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ
Уравнения, связывающие напряжения на электродах транзистора и токи через них,

с параметрами модели Гуммеля-Пуна

Слайд 13

СТРУКТУРА ТРАНЗИСТОРА СМОДЕЛИРОВАННАЯ ПРОГРАММЕ T-CAD

Слайд 14

РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА.

Слайд 15

РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ БАЗОВОГО ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА

Слайд 16

РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ БАЗОВОГО ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА

Слайд 17