Содержание
- 2. Лекции по ФОЭ. Слайд №14 Различают два основных вида пробоя : электрический и тепловой. Электрический пробой,
- 3. Лекции по ФОЭ. Слайд №15 Ёмкость p-n перехода. Барьерная и диффузионные ёмкости Барьерная ёмкость определяется как
- 4. Лекции по ФОЭ. Слайд №16 Диффузионная ёмкость p-n – перехода образуется при подключении внешнего источника в
- 6. Скачать презентацию
Лекции по ФОЭ. Слайд №14
Различают два основных вида пробоя : электрический
Лекции по ФОЭ. Слайд №14
Различают два основных вида пробоя : электрический
Электрический пробой, в свою очередь, может быть туннельным и лавинным.
Туннельный пробой происходит в очень тонких р-n переходах и при небольших значениях обратного напряжения (несколько вольт), когда возникает большой градиент электрического поля. При этом валентные электроны приконтактного слоя р - области отрываются от своих атомов и перебрасываются в n-область.
Лавинный пробой свойственен полупроводникам со значительной толщиной p-n перехода, но происходит также под действием сильного электрического поля. В лавинном пробое основная роль принадлежит неосновным носителям, образующимся под действием тепла в p-n переходе.
Тепловым называется пробой p-n перехода, обусловленный ростом количества носителей заряда при повышении температуры кристалла.
Поверхностный пробой обусловлен чрезмерным накоплением поверхностного заряда и уменьшением толщины перехода.
Лекции по ФОЭ. Слайд №15
Ёмкость p-n перехода. Барьерная и диффузионные ёмкости
Барьерная
Лекции по ФОЭ. Слайд №15
Ёмкость p-n перехода. Барьерная и диффузионные ёмкости
Барьерная
где φ0 – высота потенциального барьера;
U – приложенное к p-n переходу напряжение внешнего источника;
С0 – ёмкость p-n перехода при отсутствии внешнего источника (U=0);
где S – площадь запирающего слоя;
ε0 – диэлектрическая проницаемость вакуума;
εr – относительная диэлектрическая проницаемость;
δ – толщина запирающего слоя.
Лекции по ФОЭ. Слайд №16
Диффузионная ёмкость p-n – перехода образуется при
Лекции по ФОЭ. Слайд №16
Диффузионная ёмкость p-n – перехода образуется при
Инжекция носителей заряда при этом из одной области кристалла в другую приводит к возникновению около запирающего слоя зарядов противоположной полярности
где ΔQинж – изменение величины инжектированного заряда из одной области в другую;
Δ U – изменение величины приложенного к p-n переходу напряжения.
Другие типы p-n – переходов . Контакт «металл-полупроводник» (отсутствует диффузионная ёмкость) – переход Шоттки
Полупроводниковый диод – прибор, содержащий один электронно-дырочный переход, либо контакт «металл-полупроводник», обладающий вентильными свойствами.