ПРЕДЕЛ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Транзистор — это два электрода на кремниевой подложке, ток между
которыми регулируется потенциалом, подаваемым на третий управляющий электрод — затвор. Критический элемент кремниевого транзистора, из-за которого нельзя сделать его намного меньше, — толщина изолирующего слоя оксида кремния между затвором и проводящим слоем.
Несмотря на то что технологии производства изолирующего слоя оксида кремния совершенствуются и он становится тоньше, у него существует физический предел — не более 1,5–2 нм. На состояние 2009 года компания Intel находится на этапе перехода к 32нм техпроцессу. Если верить закону Мура, то в ближайшие 20 лет лидеры производства достигнут предела.