Полупроводниковые приборы

Содержание

Слайд 2

Области электроники Электроника Вакуумная электроника Квантовая электроника Твердотельная электроника

Области электроники

Электроника

Вакуумная электроника

Квантовая электроника

Твердотельная электроника

Слайд 3

План лекции ► Общие сведения о полупроводниках ► Полупроводниковый диод ► Биполярный транзистор

План лекции

► Общие сведения о полупроводниках
► Полупроводниковый диод
► Биполярный транзистор

Слайд 4

Общие сведения о полупроводниках

Общие сведения о полупроводниках

Слайд 5

Электропроводность — важнейшее свойство твердых тел — объясняется движением свободных электронов

Электропроводность — важнейшее свойство твердых тел — объясняется движением свободных электронов

(утративших валентную связь с ядрами атомов)

Ом-1см-1

Слайд 6

Собственные полупроводники Собственными полупроводниками называются полупроводники, не содержащие примесей, влияющих на их электропроводность

Собственные полупроводники

Собственными полупроводниками называются полупроводники, не содержащие примесей, влияющих на

их электропроводность
Слайд 7

Примесные полупроводники Примесные полупроводники, электропроводность которых определяется примесями, обладают резко выраженной электронной или дырочной электропроводностями.

Примесные полупроводники

Примесные полупроводники, электропроводность которых определяется примесями, обладают резко выраженной электронной

или дырочной электропроводностями.
Слайд 8

Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках Дрейфовый ток в кристалле возникает

Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках

Дрейфовый ток в кристалле возникает

в виде упорядоченного движения электронов и дырок под действием внешнего электрического поля.
Диффузионный ток создается движением заряженных частиц (электронов и дырок) из областей кристалла с повышенной концентрацией в область, обедненную носителями.
Слайд 9

Электронно-дырочный переход Электронно-дырочным или р-n переходом называется тонкий приконтактный слой между

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочным или р-n переходом называется тонкий приконтактный слой между

двумя частями полупроводникового кристалла, одна из которых обладает электронной, а другая — дырочной электропроводностью.
Слайд 10

Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод

Слайд 11

Полупроводниковый диод Полупроводниковым диодом называется прибор, содержащий элемент с одним р-n

Полупроводниковый диод

Полупроводниковым диодом называется прибор, содержащий элемент с одним р-n переходом.

Принцип действия диодов основан на использовании односторонней электропроводности.
Слайд 12

Однополупериодный выпрямитель (четвертьмост) Полный мост

Однополупериодный выпрямитель (четвертьмост)

Полный мост

Слайд 13

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор

Слайд 14

Биполярный транзистор Биполярным транзистором называется полупроводни­ковый прибор, кристалл которого выполнен с

Биполярный транзистор

Биполярным транзистором называется полупроводни­ковый прибор, кристалл которого выполнен с двумя

взаимодействующими р-n переходами.

Джон Бардин, Уильям Шокли, 
 Уолтер Браттейн

Слайд 15

Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа)

Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа)

Слайд 16

Схемы включения биполярных транзисторов

Схемы включения биполярных транзисторов

Слайд 17

Характеристики транзистора, Входной характеристикой является зависимость: IБ = f(UБЭ) при UКЭ

Характеристики транзистора,

Входной характеристикой является зависимость:
IБ = f(UБЭ) при UКЭ =

const (б).
Выходной характеристикой является зависимость:
IК = f(UКЭ) при IБ = const (а).

а

б

Слайд 18

Режимы работы биполярных транзисторов Активный режим, на эмиттерном переходе напряжение прямое,

Режимы работы биполярных транзисторов

Активный режим, на эмиттерном переходе напряжение прямое,

а на коллекторном – обратное.
Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода (оба р-n- перехода закрыты).
Если же на обоих переходах напряжение прямое (оба р-n- перехода открыты), то транзистор работает в режиме насыщения.
Слайд 19

Простейший усилительный каскад на биполярном транзисторе

Простейший усилительный каскад на биполярном транзисторе

Слайд 20

Классификация по материалу: германиевые и кремниевые; по виду проводимости областей: типа

Классификация

по материалу: германиевые и кремниевые;
по виду проводимости областей: типа р-n-р и

n-p-n;
по мощности: малой (Рмах ≤ 0,3Вт), средней (Рмах ≤ 1,5Вт) и большой мощности (Рмах > 1,5Вт);
по частоте: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ.
Слайд 21

Полевой транзистор Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется

Полевой транзистор

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого

входным сигналом.
Слайд 22

полевые транзисторы полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом полевые транзисторы с изолированным каналом МДП-транзисторы

полевые транзисторы

полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

полевые транзисторы с изолированным каналом МДП-транзисторы

Слайд 23

Пполевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Пполевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Слайд 24

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Слайд 25

Схемы включения полевых транзисторов: а) ОИ; б) ОЗ; в) ОС

Схемы включения полевых транзисторов:

а) ОИ; б) ОЗ; в) ОС

Слайд 26

Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах

Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах