Проектирование СБИС памяти

Сентябрь 2, 2022

Главная
Алгебра
Проектирование СБИС памяти

Содержание

2. Цели и задачи Изучение устройства и функционирования цифровых СБИС памяти: Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ), Постоянная запоминающие
3. Классификация схем памяти СХЕМЫ ПАМЯТИ ОПЕРАТИВНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА (ОЗУ) ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА (ПЗУ) Статические Динамические Однократно
4. Основные характеристики схем памяти Информационная емкость 256 х 1 бит, 1М х 32 бит. Разрядность шины
5. Режимы работы схем памяти Режим записи (кроме масочных ПЗУ) Режим хранения Режим считывания Режим регенерации (только
6. Структура ЗУ На примере ИМС статического ОЗУ 256х1 бит
7. Структура ЗУ со словарной организацией На примере ИМС статического ОЗУ 256х8 бит
8. Матрица элементов однократно программируемых ПЗУ
9. Элемент перепрограммируемого ПЗУ
10. Схема элемента статических ОЗУ
11. Схема элемента статического двухпортового ОЗУ
12. Режимы работы схем памяти Режим записи (кроме масочных ПЗУ) Режим хранения Режим считывания Режим регенерации (только
13. Режим чтения tRC – длительность цикла считывания tAA – время выборки адреса tOD – задержка перехода
14. Режим записи tWC – длительность цикла записи tAS, tAH – время установки, удержания адреса tDS ,
15. Ячейка динамической памяти
16. Структура ИМС динамической памяти
17. Режим чтения tRC – длительность цикла считывания tAA – время выборки адреса tCAC – время выборки
18. Режим записи tWC – длительность цикла записи tDS , tDH – время установки, удержания входных данных
20. Скачать презентацию

Слайд 2

Цели и задачи
Изучение устройства и функционирования цифровых СБИС памяти:
Оперативные запоминающие устройства

(ОЗУ),
Постоянная запоминающие устройства (ПЗУ).
Схемотехника элементов памяти.

Слайд 3

Классификация схем памяти
СХЕМЫ ПАМЯТИ
ОПЕРАТИВНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА (ОЗУ)
ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА (ПЗУ)
Статические
Динамические
Однократно программируемые
Перепрограм-мируемые

Слайд 4

Основные характеристики схем памяти
Информационная емкость
256 х 1 бит,
1М х 32

бит.
Разрядность шины данных и адреса
ША - 8 разрядов, ШД – 1 разряд
ША - 20 разрядов, ШД – 32 разряд
Быстродействие
время считывания.
время записи.
Потребляемая мощность (в различных режимах работы)

Слайд 5

Режимы работы схем памяти
Режим записи (кроме масочных ПЗУ)
Режим хранения
Режим считывания
Режим регенерации

(только динамические ОЗУ)
Режим стирания информации (только перепрограммируемые ПЗУ)

Слайд 6

Структура ЗУ
На примере ИМС статического ОЗУ 256х1 бит

Слайд 7

Структура ЗУ со словарной организацией
На примере ИМС статического ОЗУ 256х8

бит

Слайд 8

Матрица элементов однократно программируемых ПЗУ

Слайд 9

Элемент перепрограммируемого ПЗУ

Слайд 10

Схема элемента статических ОЗУ

Слайд 11

Схема элемента статического двухпортового ОЗУ

Слайд 12

Режимы работы схем памяти
Режим записи (кроме масочных ПЗУ)
Режим хранения
Режим считывания
Режим регенерации

(только динамические ОЗУ)
Режим стирания информации (только перепрограммируемые ПЗУ)

Слайд 13

Режим чтения
tRC – длительность цикла считывания
tAA – время выборки адреса
tOD –

задержка перехода в неактивное состояние

Слайд 14

Режим записи
tWC – длительность цикла записи
tAS, tAH – время установки, удержания

адреса
tDS , tDH – время установки, удержания входных данных

Слайд 15

Ячейка динамической памяти

Слайд 16

Структура ИМС динамической памяти

Слайд 17

Режим чтения
tRC – длительность цикла считывания
tAA – время выборки адреса
tCAC –

время выборки адреса на одной странице

Слайд 18

Режим записи
tWC – длительность цикла записи
tDS , tDH – время установки,

удержания входных данных