Радиоэлектроника

Содержание

Слайд 2

1 РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

1 РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

Слайд 3

РАДИОФИЗИКА раздел физики, охватывающий изучение и использование эл.-магн. колебаний и волн,

РАДИОФИЗИКА

раздел физики, охватывающий изучение и использование эл.-магн. колебаний и волн, поиск

новых физических явлений и эффектов при распространении ЭМВ в различных средах и их взаимодействии с веществом. На шкале электромагнитных волн радиодиапазон занимает интервал частот от 104 до 1010 Гц), и первоначально радиофиз. исследования придерживались этих границ. Co временем, однако, методы Р. проникли и в др. диапазоны частот от очень низких частот (ОНЧ) до гамма-излучения, а также в область исследований волновых процессов не эл.-магн. природы (напр., в акустику).
Р. сформировалась в 30—40-е гг. благодаря бурному развитию радиотехники, радиосвязи, радио- и телевещания и др. Появление радиолокации и радионавигации потребовало освоения новых диапазонов частот и разработки общих физ. принципов генерации, излучения, распространения и приёма радиоволн, модуляции и кодирования радиосигналов и т. д. В СССР развитие Р. связано с именами Л. И. Мандельштама, Н. Д. Папалекси и созданной ими школы.
На первом этапе развитие Р. опиралось на общую теорию колебаний и волн, физ. электронику и электродинамику. Теория колебаний создала матем. аппарат, позволяющий исследовать и управлять процессами в колебат. системах (Важную роль сыграли исследования нелинейных колебаний и особенно автоколебаний, лежащие в основе работы большинства генераторов эл.-магн. колебаний радиодиапазона.
Быстродействие, простота управления, высокие кпд, перекрытие всех диапазонов частот и мощностей, высокая чувствительность, избирательность и низкий уровень шумов и др. требования, предъявляемые к разл. радиотехнич. устройствам, могут быть удовлетворены только с привлечением разнообразных физ. явлений в газах и конденсированных средах.
Слайд 4

РАДИОТЕХНИКА наука об электромагнитных колебаниях и волнах радиодиапазона — о методах

РАДИОТЕХНИКА

наука об электромагнитных колебаниях и волнах радиодиапазона — о методах

их генерации, усиления, излучения, приёма и об их использовании; отрасль техники, осуществляющая применение электромагнитных колебаний и волн радиодиапазона для передачи информации — в радиосвязи, радиовещании и телевидении, в радиолокации и радионавигации, при контроле и управлении машинами, механизмами и технологическими процессами, в разнообразных научных исследованиях и т.д. Радиодиапазон охватывает спектр электромагнитных волн (ЭВ) длиной от нескольких десятков тыс. км до десятых долей мм (подробнее см. в ст. Радиоволны).
развитие Р. тесно связано с достижениями в области радиофизики (См. Радиофизика), электроники (См. Электроника), физики полупроводников (См. Полупроводники), электроакустики (См. Электроакустика), теории колебаний (См. Колебания), теории информации (см. Информации теория), и различных разделах математики (См. Математика), а также с прогрессом в технике высокочастотных измерений (см. Измерительная техника, Радиоизмерения), вакуумной и полупроводниковой технике (см. Полупроводниковая электроника), в производстве источников электропитания и др. В Р. входит ряд областей, главные из которых — Генерирование электрических колебаний, Усиление электрических колебаний, их преобразование, управление ими (см. Модуляция колебаний), антенная техника (см. Антенна, Излучение и приём радиоволн), Распространение радиоволн в свободном пространстве, в различных средах (ионосфере, почве) и в направляющих системах (кабелях, волноводах), фильтрация электромагнитных колебаний, демодуляция, воспроизведение переданных сигналов (речи, музыки, изображений, телеграфных и иных знаков), контроль, управление и регулирование при помощи ЭВ и колебаний (посредством радиоэлектронных систем).
Слайд 5

Электроника Электроника – область науки и техники, изучающая процессы взаимодействия потоков

Электроника

Электроника – область науки и техники, изучающая процессы взаимодействия потоков электронов

с электромагнитными полями в различных средах, создающая методы и средства разработки электронных приборов и устройств, в которых это взаимодействие используется для преобразования электромагнитной энергии, передачи, обработки и хранения информации.
Слайд 6

Микроэлектроника Микроэлектроника – направление электроники, в которой занимаются физическими, техническими, конструкторско-технологическими

Микроэлектроника

Микроэлектроника – направление электроники, в которой занимаются физическими, техническими, конструкторско-технологическими

методами и средствами микроминиатюризации с целью создания высоконадежных и экономичных микроэлектронных схем и устройств, называемых интегральными микросхемами (ИМС) малой (МИС), средней (СИС), большой (БИС) и сверхбольшой (СБИС) степени интеграции
Слайд 7

Наноэлектроника Наноэлектроника – современная область микроэлектроники, занимающаяся физическими, техническими, конструкторско-технологическими методами

Наноэлектроника

Наноэлектроника – современная область микроэлектроники, занимающаяся физическими, техническими, конструкторско-технологическими методами

и средствами наноминиатюризации с размерами интегральных электронных приборов с топологическими размерами 1-100 нм, работающих на квантовых эффектах.
Задачи:
разработка физических основ работы активных приборов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых;
разработка физических основ технологических процессов;
разработка самих приборов и технологий их изготовления;
разработка интегральных схем с нанометровыми технологическими размерами и изделий электроники на основе наноэлектронной элементной базы.
Слайд 8

2 Объект, предмет, задачи дисциплины «Микроэлектроника»

2 Объект, предмет, задачи дисциплины «Микроэлектроника»


Слайд 9

3 Основные понятия и терминология Прибор – специальное устройство, аппарат для

3 Основные понятия и терминология

Прибор – специальное устройство, аппарат для

производства разнообразных операций: преобразование физических воздействий в электрические сигналы , преобразование энергии или информации, измерение, регулирование, контроль параметров и характеристик объектов и процессов и т.п.
Электронный прибор (ЭП) – это устройство, принцип работы которого основан на использовании явлений, возникающих в процессе получения потоков электронов и других носителей заряда, управления движением этих потоков и преобразования их энергии. Следовательно, понятие «электронный» связано с использованием электронов и их взаимодействий с электрическими и магнитными полями
Слайд 10

Принципы функционирования электронных приборов основаны на движении носителей заряда в рабочем

Принципы функционирования электронных приборов основаны на движении носителей заряда в рабочем

объеме, управлении их потоками и преобразовании энергии посредством воздействия :
электрических полей;
магнитных полей;
электромагнитных полей;
вещественных преград на пути движения зарядов.
Слайд 11

Результатом воздействия на движение носителей зарядов (НЗ) может быть: ускорение; торможение;

Результатом воздействия на движение носителей зарядов (НЗ) может быть:
ускорение;
торможение;
изменение направления

движения;
изменение плотности потока носителей заряда;
изменение площади поперечного сечения потока носителей заряда;
преобразование кинетической или потенциальной энергии зарядов.
Диффузия – движение НЗ рабочей среды, приводящее к переносу и выравниванию концентрации НЗ в среде. Диффузия определяется тепловым движением.
Дрейф – направленное движение заряженных частиц в среде под влиянием внешних воздействий (например, электрических полей).
НЗ могут в результате диффузии или дрейфа двигаться от эмиттера к другому электроду, создавая во внешней цепи электрический ток.
Слайд 12

Простейший ЭП можно представить в виде корпуса и 2-х электродов, плоскости

Простейший ЭП можно представить в виде корпуса и 2-х электродов, плоскости

которых параллельны.
Корпус представляет собой герметичный элемент из конструкционного материала (металл, керамика, пластмасса, металлокерамика) с электродами и выводами , обеспечивающий защиту и надежную работу активной части ЭП в условиях внешних климатических (влага, теплота, радиация и др.) и механических воздействий
Электрод (от «электричество» и греческого hodos – дорога, путь) – конструктивный элемент внутри корпуса электронного прибора, служащий для электрической связи активной (рабочей) части прибора, находящейся в среде корпуса (вакуум, газ, полупроводник, жидкость) с внешней электрической цепью.
Выводы – металлические проводники, служащие для соединения электродов с внешней цепью.
Эмиттер (катод) – электрод, который является источником электронов (или других носителей заряда) при воздействии внешних причин (нагревание, облучение, электромагнитное поле и т.д.).
Коллектор (анод) – электрод, главным назначением которого обычно является прием основного потока НЗ
Слайд 13

4 Классификация ЭП ЭП предназначены для выполнения разнообразных функций, позволяющих решить

4 Классификация ЭП

ЭП предназначены для выполнения разнообразных функций, позволяющих решить две

основные задачи: преобразование энергии и преобразование сигналов.
В зависимости от вида энергии входного воздействия на ЭП и энергии на его выходе или способа обработки информации различают четыре основных класса ЭП:
электропреобразовательные (и на входе и на выходе электрические сигналы);
излучательные (электрические сигналы преобразуются в световые);
фотоэлектрические (световые сигналы преобразуются в электрические);
термоэлектрические (тепловые сигналы преобразуются в электрические).
Слайд 14

ЭП по принципу действия подразделяются делятся на следующие виды: Активные элементы

ЭП по принципу действия подразделяются делятся на следующие виды:

Активные элементы

и компоненты:
полупроводниковые (диоды, транзисторы, тиристоры и т.д.);
электровакуумные (электронные лампы, электронно-лучевые приборы , ФЭУ, ТВ трубки , СВЧ –приборы: клистроны, магнетроны, ЛБВ, ЛОВ и т.д.);
газоразрядные приборы;
микроэлектронные и наноэлектронные ИМС : ЛИС и ЦИС (МИС,СИС, БИС, СБИС)
Пассивные элементы: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, трансформаторы
Слайд 15

Интегральные микросхемы как микроэлектронные приборы Дискретный элемент – это отдельный ЭП,

Интегральные микросхемы как микроэлектронные приборы

Дискретный элемент – это отдельный ЭП, реализующий

несложную определенную функцию по преобразованию энергии или информации. Дискретный элемент представляет собой конструктивно и функционально самостоятельное, изготовленное в серийном производстве изделие , отдельно поставляемое потребитеюю, как правило, в герметичном корпусе с выводами или в бескорпусном варианте.
Под дискретным электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др. Элементы могут выполнять и более сложные функции, например логические ( логические элементы) или запоминание информации ( элементы памяти).
Интегральная микросхема (ИС)– это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования, обработки сигнала и(или) накапливания информации и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов), которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.
Компонент – это часть микросхемы, реализующая функцию какого – либо электрорадиоэлемента, которая не может быть выделена как самостоятельное изделие.
Слайд 16

По функциональному назначению микросхемы подразделяются на цифровые и аналоговые. цифровая микросхема

По функциональному назначению микросхемы подразделяются на цифровые и аналоговые.
цифровая микросхема

предназначена для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции.
аналоговые микросхемы предназначены для усиления и преобразования сигналов, которые описываются непрерывными функциями времени.
Слайд 17

Плотность упаковки – это отношение числа простых компонентов и элементов, в

Плотность упаковки – это отношение числа простых компонентов и элементов, в

том числе содержащихся в составе сложных компонентов, к объему микросхемы без учета объема выводов.
Критерием оценки сложности микросхемы, т.е. числа содержащихся в ней элементов и простых компонентов, является степень интеграции.
В полупроводниковых ИМС (ПП ИМС) все элементы и межэлементные соединения выполняются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины.
В гибридных ИМС (ГИМС) пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и др.) выполняются в виде пленок на поверхности диэлектрической подложки, а активные элементы реализуются в виде навесных компонентов.
Слайд 18

Структура полупроводниковой ИС

Структура полупроводниковой ИС

Слайд 19

Групповой метод изготовления ИС

Групповой метод изготовления ИС

Слайд 20

Структура пленочной и гибридной ИС

Структура пленочной и гибридной ИС

Слайд 21

5. Этапы развития электронной техники. Современный уровень развития электроники, перспективы и

5. Этапы развития электронной техники. Современный уровень развития электроники, перспективы и

тенденции развития

Использование электронных приборов в радиотехнике началось с того, что в 1904 году Д. Флеминг изобрел двухэлектродную лампу (диод) с накаленным катодом.
В 1907 году Л. Форест ввел в лампу управляющую сетку, лампа стала трехэлектродной
. В 1913 году А. Мейснер применил трехэлектродную лампу (триод) для генерирования высокочастотных электрических колебаний.
В 1915 году под руководством М. А. Бонч-Бруевича были созданы первые отечественные триоды.
В 1918 году родилась Нижегородская радиолаборатория, в которой впервые в мировой практике были разработаны мощные триоды с водяным охлаждением.
В 30-е годы развивалось такое направление в электронике, как создание передающих телевизионных трубок, позволивших создать электронное телевидение.

Слайд 22

Другим направлением в развитии электроники в 30-е годы было создание специальных

Другим направлением в развитии электроники в 30-е годы было создание специальных

электронных приборов для сверхвысоких частот (СВЧ).
В 1939 году построены первые приборы для усиления и генерирования колебаний СВЧ, названные пролетными клистронами.
В 1940 году изобретен более простой отражательный клистрон.
В 1938-40 годах сконструированы вакуумные триоды с плоскими дисковыми электродами, нашедшие применение в СВЧ-диапазоне.
В эти же годы для генерирования мощных СВЧ-колебаний разрабатываются магнетроны.
Слайд 23

В течение 30-х годов и позже интенсивно развивалась полупроводниковая электроника. В

В течение 30-х годов и позже интенсивно развивалась полупроводниковая электроника.

В

1948 г. Д. Бардин, У. Браттайн и У. Шокли элементарным способом открыли транзисторный эффект и предложили принцип действия транзистора. Нобелевская премия была присуждена в 1956 г.
Вскоре после этого Пфанн разработал процесс зонной очистки для выращивания монокристаллов кремния и германия заданной чистоты.
Была экспериментально подтверждена теория и возможность изготовления полупроводниковых транзисторов школой советского академика А. Ф. Иоффе, о чем было сообщение в газете «Нью-Йорк таймс» 1 июля 1948 года .
Слайд 24

Этап микроминиатюризации РЭА. В 1961 году была создана первая интегральная схема

Этап микроминиатюризации РЭА.

В 1961 году была создана первая интегральная схема

(ИС –триггер на 4-х транзисторах) фирмой Fairchild Semiconductor
В начале 70-х годов появились большие интегральные схемы (БИС)
В конце 70-х годов созданы сверхбольшие интегральные схемы (СБИС)
Дальнейшее развитие микроэлектроники привело к освоению субмикронных размеров элементов микросхем.
Параллельно с интегральной микроэлектроникой в 80-е годы развивалась функциональная электроника. В функциональной электронике используются такие механизмы, как оптические явления (оптоэлектроника), взаимодействие потока электронов с акустическими волнами в твердом теле (акустоэлектроника) и ряд других.
Вступление в третье тысячелетие электроника отмечает зарождением нового направления — наноэлектроники
Слайд 25

6 Основные виды микроэлектронных устройств ( ИС) и их условные обозначения

6 Основные виды микроэлектронных устройств ( ИС) и их условные обозначения


Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ГОСТ 11073915-80.
В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент - цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:
1,5,6,7 - полупроводниковые ИМС;
2,4,8 - гибридные;
3 - прочие (пленочные, вакуумные, керамические).
Второй элемент - две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС. Первый и второй элемент образуют серию микросхем.
Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.

Слайд 26

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии.

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии.
В

обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п.
Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы:
К - для аппаратуры широкого применения;
Э - на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм);
Р - пластмассовый корпус второго типа;
М - керамический, метало - или стеклокерамический корпус второго типа;
Е - металлополимерный корпус второго типа;
А - пластмассовый корпус четвертого типа;
И - стеклокерамический корпус четвертого типа;
Н - кристаллоноситель.
Слайд 27

Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии может добавляться буква Б,

Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии может добавляться буква Б,

а после нее, или после дополнительного буквенного обозначения через дефис указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения:
1 - с гибкими выводами;
2 - с ленточными выводами;
3 - с жесткими выводами;
4 - на общей пластине (неразделенные);
5 - разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку);
6 - с контактными площадками без выводов (кристалл).
Слайд 28

Виды ИМС 1Наборы элементов: НД - диодов; НТ - транзисторов; НР

Виды ИМС 1Наборы элементов:

НД - диодов;
НТ - транзисторов;
НР - резисторов;
НЕ - конденсаторов;
НК

- комбинированные;
НФ - функциональные;
НП - прочие.
Слайд 29

2Коммутаторы и ключи: КТ - тока; КН - напряжения; КП - прочие;

2Коммутаторы и ключи:

КТ - тока;
КН - напряжения;
КП - прочие;

Слайд 30

3Усилители: УТ - постоянного тока; УИ - импульсные; УЕ - повторители;

3Усилители:

УТ - постоянного тока;
УИ - импульсные;
УЕ - повторители;
УВ - высокой частоты;
УР

- промежуточной частоты;
УН - низкой частоты;
УК - широкополосные;
УЛ - считывания и воспроизведения;
УМ - индикации;
УД - операционные;
УС - дифференциальные;
УП - прочие.
Слайд 31

4 Генераторы сигналов: ГС - гармонических; ГГ - прямоугольной формы; ГЛ

4 Генераторы сигналов:

ГС - гармонических;
ГГ - прямоугольной формы;
ГЛ - линейно -

изменяющихся;
ГМ - шума;
ГФ - специальной формы;
ГП - прочие.
Слайд 32

4 Детекторы: ДА - амплитудные; ДИ - импульсные; ДС - частотные;

4 Детекторы:

ДА - амплитудные;
ДИ - импульсные;
ДС - частотные;
ДФ - фазовые;
ДП -

прочие.
Слайд 33

5Модуляторы: МА - амплитудные; MИ - импульсные; MС - частотные; MФ - фазовые; MП - прочие.

5Модуляторы:

МА - амплитудные;
MИ - импульсные;
MС - частотные;
MФ - фазовые;
MП - прочие.

Слайд 34

6 Устройства селекции и сравнения: CА - амплитудные; CВ - временные;

6 Устройства селекции и сравнения:

CА - амплитудные;
CВ - временные;
CС - частотные;
CФ

- фазовые;
CП - прочие
Слайд 35

7Фильтры: ФВ - верхних частот; ФН - нижних частот; ФЕ -

7Фильтры:

ФВ - верхних частот;
ФН - нижних частот;
ФЕ - полосовые;
ФР - режекторные;
ФП

- прочие.
Слайд 36

8Формирователи: АГ - импульсов прямоугольной формы; АФ - импульсов специальной формы;

8Формирователи:

АГ - импульсов прямоугольной формы;
АФ - импульсов специальной формы;
АА - адресных

токов;
АР - разрядных токов;
АП - прочие.
Слайд 37

9Фоточувствительные устройства с зарядовой связью (приборы с зарядовой связью): ЦМ -

9Фоточувствительные устройства с зарядовой связью (приборы с зарядовой связью):

ЦМ - матричные;
ЦЛ

- линейные;
ЦП - прочие.
Слайд 38

10 ИМС источников вторичного эдектропитания: ЕМ - преобразователи; ЕВ - выпрямители;

10 ИМС источников вторичного эдектропитания:

ЕМ - преобразователи;
ЕВ - выпрямители;
ЕН - стабилизаторы

напряжения непрерывные;
ЕТ - стабилизаторы тока;
ЕК - стабилизаторы напряжения импульсные;
ЕУ - устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения;
ЕС - источники вторичного питания;
ЕП - прочие;
Слайд 39

11 Преобразователи: ПС - частоты; ПФ - фазы; ПД - длительности

11 Преобразователи:

ПС - частоты;
ПФ - фазы;
ПД - длительности (импульсов);
ПН - напряжения;
ПМ

- мощности;
ПУ - уровня (согласователи);
ПЛ - синтезаторы частоты;
ПЕ - делители частоты аналоговые;
ПЦ - делители частоты цифровые;
ПА - цифро - аналоговые;
ПВ - аналого - цифровые;
ПР - код - код;
ПП - прочие.
Слайд 40

12 Устройства задержки: БМ - пассивные; БР - активные; БП - прочие

12 Устройства задержки:

БМ - пассивные;
БР - активные;
БП - прочие

Слайд 41

13 Многофункциональные устройства: ХА - аналоговые; ХЛ - цифровые; ХК -

13 Многофункциональные устройства:

ХА - аналоговые;
ХЛ - цифровые;
ХК - комбинированные;
ХМ - цифровые

матрицы;
ХИ - аналоговые матрицы
ХТ - комбинированные матрицы;
ХИ - прочие
Слайд 42

14 Логические элементы: ЛИ - И; ЛЛ - ИЛИ; ЛН -

14 Логические элементы:

ЛИ - И;
ЛЛ - ИЛИ;
ЛН - НЕ;
ЛС - И-ИЛИ;
ЛА

- И-НЕ;
ЛЕ - ИЛИ-НЕ;
ЛР - И-ИЛИ-НЕ;
ЛК - И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ);
ЛМ - ИЛИ-НЕ (ИЛИ);
ЛБ - И-НЕ / ИЛИ-НЕ;
ЛД - расширители;
ЛП - прочие.
Слайд 43

15 Триггеры: ТЛ - Шмитта; ТД - динамические; ТТ - Т

15 Триггеры:

ТЛ - Шмитта;
ТД - динамические;
ТТ - Т - триггер;
ТР -

RS - триггер;
ТМ - D - триггер;
ТВ - JK - триггер;
ТК - комбинированные;
ТП - прочие.
Слайд 44

16 Цифровые устройства: ИР - регистры; ИМ - сумматоры; ИЛ -

16 Цифровые устройства:

ИР - регистры;
ИМ - сумматоры;
ИЛ - полусумматоры;
ИЕ -

счетчики;
ИД - дешифраторы;
ИК - комбинированные;
ИВ - шифраторы;
ИА - арифметико - логические устройства;
ИП - прочие.
Слайд 45

17 Запоминающие устройства: РМ - матрицы ОЗУ; РУ - ОЗУ; РВ

17 Запоминающие устройства:

РМ - матрицы ОЗУ;
РУ - ОЗУ;
РВ - матрицы

ПЗУ;
РЕ - ПЗУ (масочные);
РТ - ПЗУ с возможностью однократного программирования ;
РР - ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования
РФ ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации;
РА - ассоциативные запоминающие устройства;
РЦ - запоминающие устройства на ЦМД;
РП - прочие.
- Предыдущая
Полупроводники
Следующая -
Дизентерия, вводный

Похожие презентации

Взаимоотношения владельца магазина с участниками ВЭД и таможенными
СТО-ның міндеттері
ИМЕЮ ПРАВО…
Развитие системы общественного контроля в Российской Федерации на современном этапе
Философия культуры О. Шпенглера
Реформы Сергея Юльевича Витте Работу выполнили: студентки первого курса ФТД очного отделения группы Т-111, Мухина Мария и Макаров
Эндокринные органы. Гипоталямо-гипофизарная система
Schwache Verben
Ислам. Столпы ислама
Экономическая теория
ОРГАНИЗАЦИЯ ПЕРЕВОЗКИ ВНЕШНЕТОРГОВЫХ ГРУЗОВ МОРСКИМ ТРАНСПОРТОМ Дисциплина: Организация ВЭД предприятия (фирмы)
Последовательное соединение RLC-элементов
Условия перевозок скоропортящихся грузов в вагонах и контейнерах
Однофазный трансформатор
SLF4J project
Выпуклый анализ. Выпуклые множества. Лекция 6
ДИСТАНЦИОННЬЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ: Клуб информационных технологий Заседание № 1
Неклассическая философия
КУЛЬТУРА ЗАПАДНОЙ ЕВРОПЫ
Полигональный моделинг в 3dsMax
Готический стиль замков и храмов
Способы преобразования проекций. Способ совмещения. (Лекция 6)
Травма челюстей 2015
Customs and traditions of Great Britain
Троица - христианский праздник
Костюм эпохи Відродження
МОУ средняя общеобразовательная школа №9 г. Искитима Новосибирской области Научно-исследовательская работа по теме «В школу с у
Этнографический музей народов Байкала
Вы можете прислать нам Вашу презентацию и мы опубликуем ее на сайте.
Обратная связь
Для правообладателей
Email: Нажмите что бы посмотреть