Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния

Сентябрь 9, 2022

Главная
Химия
Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния

Содержание

2. Актуальность моей работы Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей по производству кремния и
3. Объект нашего исследования — слитки мультикристаллического кремния, выращенные из рафинированного металлургического кремния методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера
4. Задачи исследования: Цели работы: Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения примесей, основанного на приближения полного конвективно-диффузионного
5. Теоретический анализ
6. Таблица.1.Условия выращивания mc-Si
8. Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота слитка
9. Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом ИСП-МС для исходной загрузки mc-Si №3
10. .
13. Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si из MG-Si и mc-Si на основе загрузок №1-4
14. Заключение Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния, показывающий, что при направленной кристаллизации имеет место
16. Скачать презентацию

Слайд 2

Актуальность моей работы
Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей

по производству кремния и альтернативных технологий его получения. Основным фактором, сдерживающим рост солнечной энергетики, является цена полупроводникового кремния. С этой точки зрения наиболее перспективным является рафинированный металлургический кремний (UMG-Si) с долей основного вещества от 99,9 ат.% до 99,999 ат.%.

Слайд 3

Объект нашего исследования —
слитки мультикристаллического кремния,
выращенные из рафинированного металлургического

кремния
методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера

Слайд 4

Задачи исследования:
Цели работы:
Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения примесей, основанного на

приближения полного конвективно-диффузионного перемешивания расплава.
Задачи исследования:
Установление характера и исследование причин распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния.

Слайд 5

Теоретический анализ

Слайд 6

Таблица.1.Условия выращивания mc-Si

Слайд 7

Слайд 8

Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота слитка

Слайд 9

Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом ИСП-МС для исходной

загрузки mc-Si №3

Слайд 10

.

Слайд 11

Слайд 12

Слайд 13

Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si из MG-Si и

mc-Si на основе загрузок №1-4

Слайд 14

Заключение
Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния, показывающий, что при

направленной кристаллизации имеет место как конвективный, так и диффузионный перенос вещества.