ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВА

технологии производства и моделировании проводниковых приборов и интегральных микросхем
Категория обучаемых: инженеры-конструкторы всех категорий,
инженеры-технологи всех категорий
Форма обучения: с отрывом от работы
Срок обучения: 72 академических часа

1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов
и интегральных микросхем.

Классификация полупроводников. Кристаллическая структура и дефекты.

Зонная структура полупроводников. Электронные состояния кристаллов.

Статистика электронов и дырок в полупроводниках.

Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Оже рекомбинация.

Физика полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором.

Общая характеристика и основные операции технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и ИМС.

Сравнительный анализ методов формирования легированных областей полупроводниковых структур.

Современные виды технологического оборудования в кристальном производстве.

Сборка полупроводниковых приборов и ИМС. Основные технологические процессы сборки.

Технологические процессы при изготовлении полупроводниковых приборов на широкозонных полупроводниках.

2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках.

Программа создания моделей полупроводниковых приборов Seditor.

Программа физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов Sdevice.

Общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN. Сравнение, новые возможности.

Технология SiC. Особенности конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных SiC диодов и транзисторов

Технология GaAs. Особенности технологии и конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных GaAs диодов и транзисторов

интегральных микросхем.
Рассматриваются физические основы полупроводников, полупроводниковых приборов и элементов ИМС, применяемые в их производстве материалы, технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, устройство и номенклатура приборов. Изучается расчет и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС.

на широкозонных полупроводниках.
Рассматривается состав и структура пакета программ моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD. Изучаются программы создания моделей полупроводниковых приборов SEditor и физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов SDevice.
Даются общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN и их новых возможностях. Рассматриваются особенности технологии и конструирования быстро восстанавливающихся высоковольтных GaAs p-i-n диодов, СВЧ транзисторов, диодов Шоттки на карбиде кремния и нитриде галлия.

подготовки и переподготовки специалистов в области производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Структура и состав Synopsys TCAD

Пакет программ для моделирования полупроводниковых приборов
и элементов ИМС Synopsys TCAD

Установка нестационарной спектроскопии глубоких уровней DLS-83D

1.2.2 Готовность выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования
ПК 1.2.3 Готовность осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам

научно-техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроники
ПК 1.3.2 Способность аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения
ПК 1.3.3 Готовность анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций