Электронные компоненты цифровых устройств. Лекция №1

Содержание

Слайд 2

Таненбаум Э. С. Архитектура компьютера. 6-е изд СПб.: Питер, 2017 Дэвид

Таненбаум Э. С. Архитектура компьютера. 6-е изд СПб.: Питер, 2017
Дэвид М.

Харрис Цифровая схемотехника и архитектура компьютера. Morgan Kaufman, 2013.
Тице У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. 12 – издание М: ДМК Пресс, ДОДЭКА, 2015
А.Грошев, П.Закляков Информатика: учеб. для вузов – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: ДМК Пресс, 2016. – 588 с
Гук М.Г. Аппаратные средства IBM PC. Энциклопедия. 3-е изд. – СПб.: Питер, 2008
Гук М.Г. Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия. - СПб.: Питер, 2006
Петров С.В. Шины PCI, PCI Express. Архитектура, дизайн, принципы функционирования. – СПб.: БХВ, 2006
Евстифеев, А. В. Микроконтроллеры AVR семейства Mega : руководство пользователя / А. В. Евстифеев. - Москва : ДМК Пресс, ДОДЭКА, 2015. - 587 с.

Рекомендуемая литература к курсу

Слайд 3

Электронные компоненты цифровых устройств

Электронные компоненты цифровых устройств

Слайд 4

Определение основных электрических характеристик: напряжение, ток, мощность; Пассивные элементы электронных устройств:

Определение основных электрических характеристик:
напряжение, ток, мощность;
Пассивные элементы электронных устройств:
сопротивление;
емкость;
Активные элементы

электронных устройств:
диод;
биполярный и полевой транзистор;
операционный усилитель.

План лекции

Слайд 5

Определение основных Электрических характеристик

Определение основных
Электрических
характеристик

Слайд 6

Электрическое напряжение между точками А и В - это работа, совершаемая

Электрическое напряжение между точками А и В - это работа, совершаемая

силами поля по перемещению единичного заряда из точки А в точку В и равна разности потенциалов между этими точками.

Потенциал и напряжение измеряется в вольтах.

Напряжение

Слайд 7

Потенциал земли равен 0 вольт. Напряжение может быть : постоянным («V=»,

Потенциал земли равен 0 вольт.

Напряжение может быть :
постоянным («V=», VDC) ;
переменным

( «V~» , VAC).

В электронных устройствах выбирается некоторая общая точка, потенциал которой считается равным 0 (схемная земля GND (Ground) или общий COM (Common ) ).
Все остальные напряжения измеряются относительно этой точки.

Напряжение

Слайд 8

Такими частицами могут являться: в проводниках – электроны; в электролитах –

Такими частицами могут являться:
в проводниках – электроны;
в электролитах –

ионы (катионы и анионы),
в полупроводниках – электроны и так называемые дырки (дырка — это отсутствие электрона в электронной оболочке атома.)

Ток может быть:
постоянным (протекать в одном направлении, («I=», IDC));
переменным (протекать в разных направлениях, («I~» , VAC)).
обычно направление тока показывается стрелкой направленной против движения электронов.

Электрический ток — направленное движение электрически заряженных частиц под воздействием электрического поля.

Сила тока – количество заряда протекающее через поперечное сечение проводника за единицу времени (измеряется в амперах или долях ампер).

Электрический ток

Слайд 9

Электрическое сопротивление Сопротивление (R) – это свойство вещества препятствовать протеканию электрического

Электрическое сопротивление

Сопротивление (R) – это свойство вещества препятствовать протеканию электрического тока.
Измеряется

в Ом или долях Ом.
Элементы, которые задают нужное сопротивление называются резисторами и обозначаются:

Закон Ома:

Слайд 10

Мощность электрического тока — это отношение произведенной им работы ко времени

Мощность электрического тока — это отношение произведенной им работы ко времени

в течение которого совершена работа.

Мощность тока

Слайд 11

Ёмкость, конденсатор Конденсатор – система, состоящая из проводников и диэлектрика, служащая

Ёмкость, конденсатор

Конденсатор – система, состоящая из проводников и диэлектрика, служащая для

накопления заряда.

При подаче напряжения в начальный момент (ток в цепи максимальный) на пластинах будет накапливаться одноименный заряд, до тех пор пока напряжение на конденсаторе не станет равным питающему напряжению (ток в цепи равен 0).

Чем выше качество диэлектрика, тем больше емкость конденсатора при одинаковой площади пластин.

Слайд 12

Конденсатор Ток и напряжение на конденсаторе в противофазе, поэтому мощность рассеиваемая

Конденсатор

Ток и напряжение на конденсаторе в противофазе, поэтому мощность рассеиваемая конденсатором

стремится к 0.

Применение:
Материнские платы;
Источники питания
Элементы оперативной и флэш памяти;
Различного рода датчики;
И др.

Емкость измеряется в фарадах F (микро-, нано-, пико- фарадах).

Зависимость сопротивления от частоты ? поданного на конденсатор напряжения :

Слайд 13

Конденсатор При некачественном диэлектрике в конденсаторе возникают сквозные токи, которые приводят к «закипанию» и взрыву конденсатора.

Конденсатор

При некачественном диэлектрике в конденсаторе возникают сквозные токи, которые приводят к

«закипанию» и взрыву конденсатора.
Слайд 14

Конденсатор RC – цепочка затягивает (искажает) фронты цифровых сигналов Кроме емкости

Конденсатор

RC – цепочка затягивает (искажает) фронты цифровых сигналов

Кроме емкости C, любой

кабель обладает еще и сопротивлением R. Оба этих физических свойства распределены по длине кабеля, и при передаче импульсных сигналов работают как интегрирующая RC – цепочка:
Слайд 15

Активные элементы электронных устройств

Активные элементы
электронных устройств

Слайд 16

Кремний + Фосфор = полупроводник n – типа (избыток электронов) Кремний

Кремний + Фосфор = полупроводник n – типа (избыток электронов)
Кремний +

Бор = полупроводник р – типа (избыток дырок)
Ионы — атомы или молекулы потерявшие или получившие электрон

Свойства p—n перехода

При соединении полупроводников в начальный момент дырки и электроны проникают из одной области в другую.
На границе образуется начальный запирающий слой, представляющий собой электрическое поле, образованное перешедшими зарядами и препятствующее дальнейшему основных движению зарядов.

Слайд 17

Свойства p—n перехода При подаче на p-n переход внешнего поля, совпадающего

Свойства p—n перехода

При подаче на p-n переход внешнего поля, совпадающего по

направлению с начальным запирающим слоем, он расширяется и переход закрывается. Тока нет.
Слайд 18

При подаче на p-n переход внешнего электрического поля (0,3-0,6) Вольт, противоположного

При подаче на p-n переход внешнего электрического поля (0,3-0,6) Вольт, противоположного

по направлению к начальному запирающему слою, он уменьшается и переход открывается и через него течет ток.

Свойства p—n перехода

Слайд 19

p—n переход = диод

p—n переход = диод

Слайд 20

Диод-выпрямитель

Диод-выпрямитель

Слайд 21

Светиодиоды Когда избыточные электроны переходят из материала n-типа в материал р-типа

Светиодиоды

Когда избыточные электроны переходят из материала n-типа в материал р-типа и

рекомбинируют (объединяются) с дырками, происходит выделение энергии в виде фотонов, элементарных частиц (квантов) электромагнитного излучения.

Материал, из которого изготавливается светодиод, выбирается таким образом, чтобы длина волны испускаемых фотонов находилась в пределах видимой области спектра излучения. Разные материалы испускают фотоны разного цвета.

Слайд 22

Фотодиод Фотодиод — это элемент в котором протекающий через светодиод ток

Фотодиод

Фотодиод — это элемент в котором протекающий через светодиод ток будет

зависеть от падающего на p-n – переход света (детектор изображения).
Слайд 23

Биполярный транзистор (1947 год) Транзистор представляет собой два включенных последовательно p-n

Биполярный транзистор (1947 год)

Транзистор представляет собой два включенных последовательно p-n –перехода.
Без

внешних напряжений переходы закрыты.
Слайд 24

Биполярный транзистор При подаче напряжения на транзистор переход база – эмиттер

Биполярный транзистор

При подаче напряжения на транзистор переход база – эмиттер открывается,

а переход база - коллектор закрывается.
Свободные носители проникают с эмиттера в базу, где подхватываются большим напряжением коллектора и проходят через закрытый переход база – коллектор.
Через транзистор течет ток
Изменяя напряжение Uбэ изменяется ширина запорного слоя и ток через транзистор.
Слайд 25

Биполярный транзистор Количество основных носителей в базе делают не большим, поэтому

Биполярный транзистор

Количество основных носителей в базе делают не большим, поэтому ток

базы намного меньше тока эмиттера.

- коэффициент усиления по току

Слайд 26

Передаточная характеристика б.п. транзистора Усилительный каскад Передаточная характеристика

Передаточная характеристика б.п. транзистора

Усилительный каскад

Передаточная характеристика

Слайд 27

Полевой транзистор Каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой

Полевой транзистор

Каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток

основных носителей заряда регулируется изменением ее поперечного сечения.

Напряжение Uзи является обратным для р-n- перехода (очень малый ток затвора). От величины Uзи зависит ширина запирающего электрического поля р-n- перехода, а, следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале.

С его ростом расширяются р-n- переходы, уменьшается площадь сечения токопроводящего канала, уменьшается ток в канале.

Слайд 28

Полевой транзистор В зависимости от способа организации управляющего поля полевые транзисторы бывают разных типов.

Полевой транзистор

В зависимости от способа организации управляющего поля полевые транзисторы бывают

разных типов.
Слайд 29

Достоинства полевых транзисторов Так как полевые транзисторы управляются электрическим полем, то

Достоинства полевых транзисторов

Так как полевые транзисторы управляются электрическим полем, то ток

затвора в них значительно меньше управляющего тока базы биполярного транзистора и как следствие меньшее потребление мощности.
При изготовлении занимают меньше места на кристалле.
Микросхемы цифровой техники изготавливаются на основе полевых МОП-транзисторов.
Слайд 30

Режимы работы транзистора Линейный режим Для усиления аналоговых (непрерывных) сигналов. Рассеиваемая

Режимы работы транзистора

Линейный режим
Для усиления аналоговых (непрерывных) сигналов.
Рассеиваемая на транзисторе

мощность максимальна.

Ключевой режим
Для работы с цифровыми сигналами.
Рассеиваема мощность минимальна.

Слайд 31

Диод в прямом направлении

Диод в прямом направлении

Слайд 32

Диод в обратном направлении

Диод в обратном направлении

Слайд 33

Проверка перехода база - коллектор

Проверка перехода база - коллектор

Слайд 34

Проверка перехода база - эмиттер

Проверка перехода база - эмиттер

Слайд 35

База-коллектор в обратном направлении

База-коллектор в обратном направлении

Слайд 36

База-эмиттер в обратном направлении

База-эмиттер в обратном направлении

Слайд 37

Операционный усилитель Усиливает только разность входных напряжений. Коэффициент усиления стремится к

Операционный усилитель

Усиливает только разность входных напряжений.
Коэффициент усиления стремится к бесконечности

Условные

обозначения :
V+ — не инвертирующий вход
V- — инвертирующий вход
Vout — выход
Vs+ — плюс напряжения питания
Vs- — минус напряжения питания

Условное графическое обозначение
операционного усилителя

Слайд 38

Операционный усилитель

Операционный усилитель

Слайд 39

AD820

AD820