Новые типы полупроводниковых приборов

Август 23, 2022

Главная
Разное
Новые типы полупроводниковых приборов

Содержание

2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ Диод Ганна – полупроводниковый диод, состоящий из однородного полупроводника, генерирующий СВЧ‑колебания при приложении постоянного электрического
4. ОТКРЫТИЕ ЭФФЕКТА ГАННА Эффект Ганна обнаружен американским физиком Дж. Ганном в 1963 г. в кристалле арсенида
6. ТРЕБОВАНИЯ К ЗОННОЙ СТРУКТУРЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Для того чтобы при переходе электронов между долинами возникало отрицательное дифференциальное
7. СТРУКТУРА ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ Из изученных и применяемых полупроводниковых материалов перечисленным требованиям наиболее соответствует арсенид
8. N‑ОБРАЗНАЯ ВОЛЬТ‑АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА Как видно из графика, вблизи значения пороговой напряженности поля происходит переход от прямой,
9. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ЗНАЧЕНИЯХ НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЯ Переход из нижней долины в верхнюю сопровождается значительным ростом
10. Зависимость скорости дрейфа от напряженности поля для GaAs
11. Зависимость дрейфовой скорости электронов в GaAs от E при T, K: 1 – 200, 2 –
12. ДОМЕНЫ СИЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
13. ДОСТОИНСТВА Современные диоды Ганна работают в полосе частот более октавы, имеют малые шумы, требуют низковольтных источников
14. ПРИМЕНЕНИЕ Генераторы на диодах Ганна применяются в аппаратуре связи, доплеровских и импульсных портативных и переносных РЛС,
15. СВЧ ГЕНЕРАТОР НА ДИОДЕ ГАННА Диод Ганна используются для построения генераторов микроволн с частотами в диапазоне
16. СВЧ ГЕНЕРАТОР НА ДИОДЕ ГАННА Генератор Ганна для генерации частот в диапазоне от 5 ГГц до
18. Скачать презентацию

Слайд 2

ОПРЕДЕЛЕНИЕ
Диод Ганна – полупроводниковый диод, состоящий из однородного полупроводника, генерирующий СВЧ‑колебания

при приложении постоянного электрического поля.
Физической основой, позволяющей реализовать такие свойства в диоде, является эффект Ганна, который заключается в генерации высокочастотных колебаний электрического тока в однородном полупроводнике с N‑образной вольт‑амперной характеристико.

Слайд 3

Слайд 4

ОТКРЫТИЕ ЭФФЕКТА ГАННА
Эффект Ганна обнаружен американским физиком Дж. Ганном в 1963

г. в кристалле арсенида галлия с электронной проводимостью. Ганн обнаружил, что при приложении электрического поля E (Eпор ≥ 2–3 кВ/см) к однородным образцам из арсенида галлия n‑типа в образце возникают спонтанные колебания тока. Позднее он установил, что при E > Eпор в образце, обычно у катода, возникает небольшой участок сильного поля – «домен», дрейфующий от катода к аноду со скоростью ~107 см/с и исчезающий на аноде. Затем у катода формируется новый домен, и процесс периодически повторяется. Моменту возникновения домена соответствует падение тока, текущего через образец. Моменту исчезновения домена у анода – восстановление прежней величины тока. Период колебаний тока приблизительно равен пролетному времени, т.е. времени, за которое домен дрейфует от катода к аноду.

Слайд 5

Слайд 6

ТРЕБОВАНИЯ К ЗОННОЙ СТРУКТУРЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Для того чтобы при переходе электронов между

долинами возникало отрицательное дифференциальное сопротивление, должны выполняться следующие требования:
средняя тепловая энергия электронов должна быть значительно меньше энергетического зазора между побочной и нижней долинами зоны проводимости, чтобы при отсутствии приложенного внешнего электрического поля большая часть электронов находилась в нижней долине зоны проводимости;
эффективные массы и подвижности электронов в нижней и верхних долинах должны быть различны. Электроны нижней долины должны иметь высокую подвижность μ1 , малую эффективную массу m1 * и низкую плотность состояний. В верхних побочных долинах электроны должны иметь низкую подвижность μ2 , большую эффективную массу m2 * и высокую плотность состояний;
энергетический зазор между долинами должен быть меньше, чем ширина запрещенной зоны полупроводника, чтобы лавинный пробой не наступал до перехода электронов в верхние долины.

Слайд 7

СТРУКТУРА ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Из изученных и применяемых полупроводниковых материалов перечисленным

требованиям наиболее соответствует арсенид галлия n‑типа.

Слайд 8

N‑ОБРАЗНАЯ ВОЛЬТ‑АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Как видно из графика, вблизи значения пороговой напряженности поля

происходит переход от прямой, соответствующей подвижности “быстрых” электронов центральной долины (μ1), к прямой, соответствующей подвижности “медленных” электронов боковых долин (μ2).

Слайд 9

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ЗНАЧЕНИЯХ НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЯ
Переход из нижней долины в

верхнюю сопровождается значительным ростом эффективной массы и уменьшением подвижности, что ведет к уменьшению скорости дрейфа. При этом на вольт‑амперной характеристике образца появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС)

Слайд 10

Зависимость скорости дрейфа от напряженности поля для GaAs

Слайд 11

Зависимость дрейфовой скорости электронов в GaAs от E при T, K:

1 – 200, 2 – 300, 3 – 350

Слайд 12

ДОМЕНЫ СИЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ

Слайд 13

ДОСТОИНСТВА
Современные диоды Ганна работают в полосе частот более октавы, имеют малые

шумы, требуют низковольтных источников питания. Гарантируемый срок службы превышает 100 лет.
В настоящее время известно около 400 типов промышленных диодов Ганна, которые нашли применение в твердотельных приборах СВЧ различного назначения.

Слайд 14

ПРИМЕНЕНИЕ
Генераторы на диодах Ганна применяются в аппаратуре связи, доплеровских и импульсных

портативных и переносных РЛС, приёмоответчиках, радиомаяках, системах охранной сигнализации. Они используются в качестве генераторов передающих устройств непрерывного и импульсного режима, гетеродинов приёмных устройств и в генераторах качающейся частоты в панорамных измерительных приборах.

Слайд 15

СВЧ ГЕНЕРАТОР НА ДИОДЕ ГАННА
Диод Ганна используются для построения генераторов микроволн

с частотами в диапазоне от 10 ГГц до ТГц. Это устройство, имеющее отрицательное дифференциальное сопротивление – также называемого как прибор переноса электронов — является колебательным контуром, состоящий из диода Ганна и подаваемого на него постоянного напряжения смещения (в области отрицательного сопротивления).
Благодаря этому, суммарное дифференциальное сопротивление цепи становится равным нулю, так как отрицательное сопротивление диода сокращается при положительном сопротивлении цепи, что приводит к возникновению колебаний.

Слайд 16

СВЧ ГЕНЕРАТОР НА ДИОДЕ ГАННА
Генератор Ганна для генерации частот в диапазоне

от 5 ГГц до 35 ГГц на выходе. Генератор Ганн используются в радиосвязи, в военных и коммерческих радиолокационных установках.

Новые типы полупроводниковых приборов

Содержание

ОПРЕДЕЛЕНИЕДиод Ганна – полупроводниковый диод, состоящий из однородного полупроводника, генерирующий СВЧ‑колебания

ОТКРЫТИЕ ЭФФЕКТА ГАННАЭффект Ганна обнаружен американским физиком Дж. Ганном в 1963

ТРЕБОВАНИЯ К ЗОННОЙ СТРУКТУРЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВДля того чтобы при переходе электронов между

СТРУКТУРА ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯИз изученных и применяемых полупроводниковых материалов перечисленным

N‑ОБРАЗНАЯ ВОЛЬТ‑АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКАКак видно из графика, вблизи значения пороговой напряженности поля

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ЗНАЧЕНИЯХ НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЯПереход из нижней долины в