Полевые транзисторы

Август 20, 2022

Главная
Разное
Полевые транзисторы

Содержание

2. Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток создаётся только основными носителями зарядов под действием продольного
3. Полевые, или униполярные, транзисторы в качестве основного физического принципа используют эффект поля. в полевых транзисторах для
4. Вывод полевого транзистора, от которого истекают основные носители зарядов, называется истоком. Вывод полевого транзистора, к которому
5. Участок полупроводника, по которому движутся основные носители зарядов, между p-n переходом, называется каналом полевого транзистора. Поэтому
6. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
8. На затвор всегда подаётся такое напряжение, чтобы переходы закрывались. Напряжение между стоком и истоком создаёт продольное
9. 1) При отсутствии напряжения на затворе p-n переходы закрыты собственным внутренним полем, ширина их минимальна, а
10. 2) При увеличении запирающего напряжения на затворе ширина p-n переходов увеличивается, а ширина канала и ток
11. 3) При достаточно больших напряжениях на затворе ширина p-n переходов может увеличиться настолько, что они сольются,
12. Вывод: полевой транзистор представляет собой управляемый полупроводниковый прибор, так как, изменяя напряжение на затворе, можно уменьшать
13. Условное графическое изображение (УГО) полевого транзистора с УГО каналом n-типа и с каналом p-типа
14. Практическое применение имеют две основные схемы включения. Схема с общим истоком: Схема с общим стоком:
15. Полевые транзисторы с изолированным затвором Данные приборы имеют затвор в виде металлической плёнки, которая изолирована от
16. МОП – транзисторы могут быть двух видов: Транзисторы со встроенным каналом Транзисторы с индуцированным каналом.
17. Технология МДП-транзистора с встроенным затвором
18. Под действием электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов, т.
19. При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить в подложку, канал обеднится носителями
20. Силовые полевые транзисторы В настоящее время полевой транзистор является одним из наиболее перспективных силовых приборов. Для
21. ДМДП-транзистор Этот транзистор МДП-типа, изготовленный методом двойной диффузии, имеет горизонтальный канал.
22. VМДП-транзистор Этот V-образный МДП-транзистор имеет вертикальный канал
23. IGBT-транзистор IGBT – гибридный полупроводниковый прибор. В нем совмещены два способа управления электрическим током, один из
24. Добавления слоя р-типа приводит к образованию второй структуры биполярного транзистора (типа p-n-p). Таким образом, в IGBT
25. SIT-транзистор SIT – полевой транзистор с управляющим p-n переходом со статической индукцией. Является многоканальным и имеет
26. Области полупроводника р-типа имеют форму цилиндров, диаметр которых составляет единицы микрометров и более. Эта система цилиндров
28. Скачать презентацию

Слайд 2

Полевым транзистором
называется полупроводниковый прибор, в котором ток создаётся только основными носителями

зарядов под действием продольного электрического поля, а управление этим током осуществляется поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным к управляющему электроду.

Слайд 3

Полевые, или униполярные, транзисторы
в качестве основного физического принципа используют эффект

поля.
в полевых транзисторах для реализации транзисторного эффекта применяется только один тип носителей.

Слайд 4

Вывод полевого транзистора, от которого истекают основные носители зарядов, называется

истоком.
Вывод полевого транзистора, к которому стекают основные носители зарядов, называется стоком.
Вывод полевого транзистора, к которому прикладывается управляющее напряжение, создающее поперечное электрическое поле называется затвором.

Несколько определений:

Слайд 5

Участок полупроводника, по которому движутся основные носители зарядов, между p-n переходом,

называется каналом полевого транзистора.
Поэтому полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с каналом p-типа или n-типа.

Слайд 6

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

Слайд 7

Слайд 8

На затвор всегда подаётся такое напряжение, чтобы переходы закрывались.
Напряжение

между стоком и истоком создаёт продольное электрическое поле, за счёт которого через канал движутся основные носители зарядов, создавая ток стока.

Слайд 9

1) При отсутствии напряжения на затворе p-n переходы закрыты собственным внутренним

полем, ширина их минимальна, а ширина канала максимальна и ток стока будет максимальным.

Слайд 10

2) При увеличении запирающего напряжения на затворе ширина p-n переходов

увеличивается, а ширина канала и ток стока уменьшаются.

Слайд 11

3) При достаточно больших напряжениях на затворе ширина p-n переходов может

увеличиться настолько, что они сольются, ток стока станет равным нулю.
Напряжение на затворе, при котором ток стока равен нулю, называется напряжением отсечки.

Слайд 12

Вывод: полевой транзистор представляет собой управляемый полупроводниковый прибор,
так как, изменяя

напряжение на затворе, можно уменьшать ток стока и поэтому принято говорить, что полевые транзисторы с управляющими p-n переходами работают только в режиме обеднения канала.

Слайд 13

Условное графическое изображение (УГО) полевого транзистора с
УГО каналом n-типа и

с каналом p-типа

Слайд 14

Практическое применение имеют две основные схемы включения.
Схема с общим истоком:
Схема

с общим стоком:

Слайд 15

Полевые транзисторы с изолированным затвором
Данные приборы имеют затвор в

виде металлической плёнки, которая изолирована от полупроводника слоем диэлектрика, в виде которого применяется окись кремния. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором называют МОП и МДП.
МОП - металл, окись, полупроводник.
МДП - металл, диэлектрик, полупроводник.

Слайд 16

МОП – транзисторы могут быть двух видов:
Транзисторы со встроенным каналом
Транзисторы с

индуцированным каналом.

Слайд 17

Технология МДП-транзистора с встроенным затвором

Слайд 18

Под действием электрического поля между стоком и истоком через канал

будут протекать основные носители зарядов, т. е. будет существовать ток стока.
При подаче на затвор положительного напряжения электроны как неосновные носители подложки будут притягиваться в канал. Канал обогатится носителями заряда, и ток стока увеличится.

Слайд 19

При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить

в подложку, канал обеднится носителями зарядов, и ток стока уменьшится.
При достаточно больших напряжениях на затворе все носители заряда могут из канала уходить в подложку, и ток стока станет равным нулю.
Вывод: МОП – транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения зарядов.

Слайд 20

Силовые полевые транзисторы
В настоящее время полевой транзистор является одним из наиболее

перспективных силовых приборов.
Для уменьшения сопротивления канала уменьшают его длину.
Для увеличения тока стока в транзисторе выполняют сотни и тысячи каналов, причем каналы соединяют параллельно.
Вероятность саморазогрева полевого транзистора мала, т.к. сопротивление канала увеличивается при увеличении температуры.

Слайд 21

ДМДП-транзистор
Этот транзистор МДП-типа, изготовленный методом двойной диффузии, имеет горизонтальный канал.

Слайд 22

VМДП-транзистор
Этот V-образный МДП-транзистор имеет вертикальный канал

Слайд 23

IGBT-транзистор
IGBT – гибридный полупроводниковый прибор. В нем совмещены два способа управления

электрическим током, один из которых характерен для полевых транзисторов (управление электрическим полем), а второй – для биполярных (управление инжекцией носителей электричества).
Структура этого транзистора отличается от структуры ДМДП-транзистора дополнительным слоем полупроводника р-типа.

Слайд 24

Добавления слоя р-типа приводит к образованию второй структуры биполярного транзистора (типа

p-n-p). Таким образом, в IGBT имеется две биполярные структуры – типа n-p-n и типа p-n-p

Слайд 25

SIT-транзистор
SIT – полевой транзистор с управляющим p-n переходом со статической индукцией.

Является многоканальным и имеет вертикальную структуру.

Слайд 26

Области полупроводника р-типа имеют форму цилиндров, диаметр которых составляет единицы микрометров

и более. Эта система цилиндров играет роль затвора. Каждый цилиндр подсоединен к электроду затвора (на рисунке "а" электрод затвора условно не показан).
Пунктиром обозначены области p-n-переходов. Реальное число каналов может составлять тысячи. Обычно SIT используется в схемах с общим истоком.

Полевые транзисторы

Содержание

Полевым транзисторомназывается полупроводниковый прибор, в котором ток создаётся только основными носителями

Полевые, или униполярные, транзисторы в качестве основного физического принципа используют эффект

Вывод полевого транзистора, от которого истекают основные носители зарядов, называется

Участок полупроводника, по которому движутся основные носители зарядов, между p-n переходом,

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

На затвор всегда подаётся такое напряжение, чтобы переходы закрывались. Напряжение

1) При отсутствии напряжения на затворе p-n переходы закрыты собственным внутренним

2) При увеличении запирающего напряжения на затворе ширина p-n переходов

3) При достаточно больших напряжениях на затворе ширина p-n переходов может

Вывод: полевой транзистор представляет собой управляемый полупроводниковый прибор,так как, изменяя

Условное графическое изображение (УГО) полевого транзистора с УГО каналом n-типа и

Практическое применение имеют две основные схемы включения. Схема с общим истоком:Схема

Полевые транзисторы с изолированным затвором Данные приборы имеют затвор в

МОП – транзисторы могут быть двух видов:Транзисторы со встроенным каналомТранзисторы с