Полупроводниковые ЗУ

Содержание

Слайд 2

ПЗУМ – ROM(M) - Mask ROM ППЗУ – PROM (Programmable ROM)

ПЗУМ – ROM(M) - Mask ROM
ППЗУ – PROM (Programmable ROM)
РПЗУ-УФ –

EPROM (Erasable Programmable ROM)
EPROM – OTP (One Time Programmable ROM)
РПЗУ-ЭС –EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)
Слайд 3

Слайд 4

Структуры ЗУ

Структуры ЗУ

Слайд 5

Слайд 6

Слайд 7

Структура блочного ЗУ

Структура блочного ЗУ

Слайд 8

Память с последовательным доступом Структура VRAM

Память с последовательным доступом

Структура VRAM

Слайд 9

Структура FIFO

Структура FIFO

Слайд 10

Накопитель ROM(M)

Накопитель ROM(M)

Слайд 11

Запоминающие элементы PROM Запоминающие элементы EPROM и EEPROM

Запоминающие элементы PROM

Запоминающие элементы EPROM и EEPROM

Слайд 12

Внешняя организация EPROM 27C128 16Kx8

Внешняя организация EPROM

27C128
16Kx8

Слайд 13

Чтение EPROM

Чтение EPROM

Слайд 14

Запись EPROM

Запись EPROM

Слайд 15

Внешняя организация EEPROM 28С64 8Кх8

Внешняя организация EEPROM

28С64
8Кх8

Слайд 16

Структура EEPROM

Структура EEPROM

Слайд 17

Запись EEPROM

Запись EEPROM

Слайд 18

Последовательные EEPROM 24С02 256х8

Последовательные EEPROM

24С02 256х8

Слайд 19

Интерфейс I2C

Интерфейс I2C

Слайд 20

Запись байта Чтение байта по текущему адресу Чтение байта по произвольному адресу

Запись байта

Чтение байта по текущему адресу

Чтение байта по произвольному адресу

Слайд 21

Структурная схема Flash-ROM Am29F200

Структурная схема Flash-ROM Am29F200

Слайд 22

Режимы работы Flash ROM SA0 00000h – 0FFFFh; SA1 10000h –

Режимы работы Flash ROM

SA0 00000h – 0FFFFh;
SA1 10000h – 1FFFFh;
SA2 20000h

– 2FFFFh;
SA3 30000h – 3FFFFh.

RA – адрес ячейки при чтении;
RD – считываемые данные;
PA – адрес ячейки при программировании (записи);
PD – записываемые данные;
SA – адрес стираемого сектора.

Слайд 23

Операция программирования

Операция программирования

Слайд 24

Операция стирания сектора/кристалла

Операция стирания сектора/кристалла

Слайд 25

Запоминающие элементы n-МОП КМОП Статические ЗУ

Запоминающие элементы

n-МОП

КМОП

Статические ЗУ

Слайд 26

Внешняя организация асинхронных SRAM

Внешняя организация асинхронных SRAM

Слайд 27

Синхронные SRAM ФАП – блок формирования адресов пакета

Синхронные SRAM

ФАП – блок формирования адресов пакета

Слайд 28

ADSP# - Address Status of Processor – строб адреса нового пакета

ADSP# - Address Status of Processor – строб адреса нового пакета
CADS#

- Cache Address Strobe
ADV# - Advance - инкремент адреса в пакете
Слайд 29

DDR Pipelined Burst SRAM DDR - Double Data Rate - двойная

DDR Pipelined Burst SRAM

DDR - Double Data Rate - двойная скорость

передачи данных
CQ и CQ# – дифференциальные выходные сигналы синхронизации
Слайд 30

Динамические ЗУ

Динамические ЗУ

Слайд 31

Внешняя организация асинхронных DRAM Адрес задается внутренним счетчиком CBR (CAS Before RAS)

Внешняя организация асинхронных DRAM

Адрес задается
внутренним счетчиком

CBR (CAS Before RAS)

Слайд 32

Структурная организация DRAM

Структурная организация DRAM

Слайд 33

DRAM повышенного быстродействия первого поколения Timing: 5 – 3 – 3

DRAM повышенного быстродействия первого поколения

Timing: 5 – 3 – 3 –

3

Timing: 5 – 2 – 2 – 2

Слайд 34

Синхронные DRAM (SDRAM) 1. CLK – синхросигнал (по переднему фронту). 2.

Синхронные DRAM (SDRAM)

1. CLK – синхросигнал (по переднему фронту).
2. CKE

(Clock Enable) разрешения (низкий – режим энергосбережения).
3. CS – сигнал, разрешающий декодирование команд
4. BS0 и BS1 (Bank Select) - сигналы выбора банка.
5. DQM - сигнал маски линий данных
6. A10 - в момент подачи сигнала CAS# задает способ предзаряда строки банка.

tCL (CAS Latency) (2 – 2.5 – 3)T
tRCD (RAS-to-CAS Delay) (2 – 3)T
tRP (RAS Precharge Time) (2 – 3)T
tAC (Access from Clock) нс
tRC (RAS Cycle Time) время цикла строки (7 – 8)T (tRC = tRAS+ tRP);

Слайд 35

Слайд 36

Слайд 37

Регенерация (refresh) SDRAM

Регенерация (refresh) SDRAM

Слайд 38

Структура DDR SDRAM

Структура DDR SDRAM

Слайд 39

Режимы работы DDR SDRAM

Режимы работы DDR SDRAM

Слайд 40

BANK READ ACCESS

BANK READ ACCESS

Слайд 41

BANK WRITE ACCESS

BANK WRITE ACCESS

Слайд 42

Особенности реализации DDR2 SDRAM

Особенности реализации DDR2 SDRAM

Слайд 43

Сравнительная характеристика DDR и DDR2 SDRAM

Сравнительная характеристика DDR и DDR2 SDRAM

Слайд 44

Модули оперативной памяти SPD (Serial Presence Detect) - последовательный способ идентификации

Модули оперативной памяти

SPD (Serial Presence Detect) - последовательный способ идентификации

Слайд 45

Запоминающий элемент FRAM (ферроэлектрических)

Запоминающий элемент FRAM (ферроэлектрических)