Аналоговые интегральные устройства измерительных систем

Сентябрь 3, 2022

Главная
Алгебра
Аналоговые интегральные устройства измерительных систем

Содержание

2. Лектор: профессор, доктор технических наук Валерий Викторович Масленников Разделы курса Микросхемы усилителей и их применение в
3. Лабораторные работы по курсу: 1. Применение микросхем ОУ в аналоговых узлах измерительной аппаратуры. 2. Применение микросхем
4. Классификация: -по принципу действия: аналоговые, цифровые; -по способу изготовления: полупроводниковые, гибридные. Основные этапы создания полупроводниковых кремниевых
5. Элементы полупроводниковых микросхем. Транзисторы. Биполярный транзистор. Рис. 1. Внутренняя структура n-p-n транзистора (а, разрез по линии
6. МДП-транзистор Полевой транзистор управляющим pn-переходом Рис. 2. Внутренняя структура транзистора с р-каналом Рис. 3. Внутренняя структура
7. Резистор Рис. 4. Внутренняя структура резистора, выполненного с использованием базовой области Рис. 5. Зигзагообразная топология полупроводникового
9. Скачать презентацию

Слайд 2

Лектор: профессор, доктор технических наук
Валерий Викторович Масленников
Разделы курса
Микросхемы усилителей и

их применение в аналоговых устройствах измерительных систем
Аналоговые интегральные перемножители и балансные модуляторы
Активные фильтры и их использование в измерительных устройствах

Курс лекций «Аналоговые интегральные устройства измерительных систем»

Слайд 3

Лабораторные работы по курсу:
1. Применение микросхем ОУ в аналоговых узлах измерительной

аппаратуры.
2. Применение микросхем ОУ в импульсных устройствах.
3. Применение микросхем интегральных перемножителей в устройствах преобразования сигналов.
4. Активные RC-фильтры на ОУ.

Темы семинарских занятий:

1. Расчет аналоговых схем на идеальных ОУ.
2. Аддитивные погрешности в усилителях на микросхемах ОУ.
3. Мультипликативные погрешности схем в усилителях на микросхемах ОУ.
4. Расчет импульсных устройств на основе микросхем ОУ.
5. Расчет корректирующих цепей усилителей на интегральных ОУ.
6. Построение аналоговых схем на интегральных ОУ.
7. Расчет основных параметров активных звеньев второго порядка.
8. Построение АЧХ активных звеньев второго порядка.

Слайд 4

Классификация:
-по принципу действия: аналоговые, цифровые;
-по способу изготовления: полупроводниковые, гибридные.
Основные

этапы создания полупроводниковых кремниевых микросхем:
-получение чистого монокристаллического кремния,
-изготовление пластин кремния,
-эпитаксия – выращивание монокристаллических слоев на пластине,
-термическое окисление – образование защитного слоя SiO2,
-легирование – введение примесей в приповерхностный слой пластин,
-травление – удаление с поверхностей пластин ненужного вещества,
-изготовление фотошаблонов, используемых для создания нужных окон в окисле SiO2,
-фотолитография – создание окон в SiO2,
-нанесение тонких металлических пленок для соединения элементов кристалла между собой,
-предварительная проверка кристаллов на годность на пластине,
-разделение пластины на кристаллы,
-сборка кристаллов в корпусе микросхемы,
-окончательная проверка микросхем на соответствие техническим условиям.

Микросхемы

Слайд 5

Элементы полупроводниковых микросхем. Транзисторы. Биполярный транзистор.
Рис. 1. Внутренняя структура n-p-n транзистора

(а, разрез по линии АА,
б, топология n-p-n транзистора )

Слайд 6

МДП-транзистор
Полевой транзистор управляющим pn-переходом
Рис. 2. Внутренняя структура транзистора с р-каналом
Рис. 3.

Внутренняя структура МОП-транзистора с индуцируемым n-каналом

Слайд 7

Резистор
Рис. 4. Внутренняя структура резистора, выполненного с использованием базовой области
Рис. 5.

Зигзагообразная топология полупроводникового резистора

Аналоговые интегральные устройства измерительных систем

Содержание

Лектор: профессор, доктор технических наук Валерий Викторович МасленниковРазделы курсаМикросхемы усилителей и

Лабораторные работы по курсу:1. Применение микросхем ОУ в аналоговых узлах измерительной

Классификация: -по принципу действия: аналоговые, цифровые; -по способу изготовления: полупроводниковые, гибридные.Основные

Элементы полупроводниковых микросхем. Транзисторы. Биполярный транзистор.Рис. 1. Внутренняя структура n-p-n транзистора

МДП-транзисторПолевой транзистор управляющим pn-переходомРис. 2. Внутренняя структура транзистора с р-каналомРис. 3.

РезисторРис. 4. Внутренняя структура резистора, выполненного с использованием базовой областиРис. 5.

Похожие презентации