Содержание
- 2. Общие вопросы Статистические методы контроля процессов, X-R карты, диаграммы Парето, Ишикава Основы вакуумной техники: общие сведения
- 3. Технология/1 1. Базовая КМОП технология Выбор подложки, эпитаксиальные слои, SOI Формирование локальной изоляции, LOCOS?STI, проблемы. Подзатворные
- 4. Технология/2 2. Основы высоковольтных технологий, DMOS и латеральные биполярные транзисторы. 3. Основы Би-КМОП технологий, SiC и
- 5. Фотолитография Контактная и проекционная ф/л, степперы, сканнеры; NA Основные параметры ф/л, разрешение, совмещение, глубина фокуса; g-line,
- 6. Плазменное травление Основные параметры травления, скорость, равномерность, анизотропия, Aspect Ratio Эволюция процессов и оборудования: Down-stream плазма?RIT?МЕRIT?HDP
- 7. CVD Высокотемпературное и плазменное осаждение слоев Осаждение слоев поликристаллического кремния, окислов и нитрида кремния; осаждение вольфрама
- 8. Термические процессы и RTA: процессы окисления, особенности получения сверхтонких слоев окисла (25А и ниже). Применение специальных
- 9. СМР Оборудование и процессы полировки окислов кремния, вольфрама и меди; Применяемые суспензии Селективность Контроль окончания процесса,
- 10. Cu Plating Требования к барьерным и зародышевым слоям Системы органических веществ, применяемые в процессе осаждения с
- 11. PVD (physical vapour deposition) Основные процессы: испарение, распыление. Катодное распыление и его модификации. Магнетронное распыление. Реактивное
- 12. Жидкостное травление и химическая отмывка Требования, предъявляемые к реагентам для проведения процессов жидкостного травления и химической
- 14. Скачать презентацию