Содержание
- 2. Статичні характеристики. Вольт-амперні характеристики Умовне позначення і назви елементів біполярного транзистора. а) p-n-p- транзистор; б) n-p-n–
- 3. Вольт-амперні характеристики Статичні характеристики транзистора можна безпосередньо отримати із теорії p-n переходу. Вважаємо, що ВАХ емітерного
- 4. Вольт-амперні характеристики Із рівняння неперервності і рівняння для густини струмів визначаються рівноважні характеристики. Для нейтральної області
- 5. Вольт-амперні характеристики Залежність повного колекторного струму від прикладеної напруги: Струм бази:
- 6. Нерівномірний розподіл домішки в базі. Транзистор з подібним розподілом домішки- дрейфовий транзистор, оскільки в його базу
- 7. Типова характеристика базового струму. Можна виділити чотири ділянки: 1) область малих струмів, де базовий струм змінюється
- 8. Коефіцієнт підсилення струму Коефіцієнт підсилення струму в схемі зі спільною базою α0 . (в гібридній системі
- 9. α0- близький до 1. β0- значно більший одиниці. При нормальній роботі p-n-p транзистора VEB>0 і VCB
- 10. Залежність коефіцієнту підсилення транзистора (на частоті 5 ГГц) від дози домішки імплантованої в базу. Якщо αТ
- 11. hFE Коефіцієнт підсилення по струму в загальному випадку залежить від струму колектора. При дуже малих струмах
- 12. hFE При подальшому збільшенні колекторного струму густина неосновних носіїв інжектованих в базу наближається до вихідної густини
- 13. Ефект звуження ширини забороненої зони Звуження ширини забороненої зони в кремнії. Звуження ширини забороненої зони в
- 14. Ефект оже-рекомбінації Залежність коефіцієнта підсилення транзистора від струму колектора. а- врахування лише генерації ШХР; б- врахування
- 15. При збільшенні концентрації носіїв оже-рекомбінація стає домінуючою і визиває зменшення часу життя неосновних носіїв в емітері.
- 16. Ефект Кірка В сучасних біполярних транзисторах зі слабо легованим епітаксійним колектором на коефіцієнт підсилення впливає зміщення
- 17. Вихідні характеристики Основні співвідношення в транзисторі можна сформулювати наступним чином. 1. Прикладені напруги задають густини струмів
- 18. Вихідні характеристики Вихідні характеристики транзистора. а- в схемі зі спільною базою; б- в схемі зі спільним
- 19. В схемі зі спільним емітером зі збільшенням VCE ширина бази W зменшується і спостерігається збільшення β0.
- 20. НВЧ-транзистори Транзистор зі смужковою геометрією електродів. Задача зменшення двох критичних параметрів дискретних транзисторів: - ширини емітерної
- 21. Дифузійні трубки (а) і дифузійні виступи (б) в базі вздовж дислокацій. Задачі: Мінімізувати (а) дефекти упаковки
- 22. Частота відсічки Частота відсічки fT є найбільш важливим показником якості НВЧ-транзистора. Визначається як частота, на якій
- 23. Частота відсічки Друга складова часу затримки являє собою час прольоту через шар бази і дорівнює: де
- 24. Частота відсічки Четверта компонента затримки обумовлена часом, протягом якого заряджається збіднена ємність колектора: де rc- послідовний
- 25. Частота відсічки Час руху носіїв від емітера до колектора в залежності від густини колекторного струму. Зі
- 26. де VC0 -контактний потенціал колектора, VCB - напруга прикладена між базою і колектором. Струми, що перевищують
- 28. Скачать презентацию