Содержание
- 2. Тема 2. Электронно-дырочный переход § 1. Определение и классификация p-n переходов § 2. Равновесное состояние p-n
- 3. Электронно-дырочный (p-n) переход – это обедненная подвижными носителями заряда область на границе раздела полупроводников p- и
- 4. Структура p-n перехода Определение и классификация p-n переходов
- 5. Классификация p-n переходов По материалу контактирующих веществ: p-n переход (обычно монокристалл); p+-p, n+-n – переходы между
- 6. По соотношению концентраций примесей в областях: симметричный; несимметричный. По технологии производства: сплавной; диффузионный; эпитаксиальный. Определение и
- 7. Технология производства p-n перехода Сплавной метод Сплавные p-n переходы относятся к числу резких (ступенчатых). Они имеют
- 8. Диффузионный метод Наиболее широко применяют высокотемпературную диффузию. В диффузионном слое концентрация примесей уменьшается от поверхности вглубь
- 9. Метод эпитаксиального наращивания Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего структуру подложки. Изменяя
- 10. Планарная технология Под планарной технологией понимают узкую совокупность технологических операций создания кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных
- 11. Планарная технология Оксидную маску получают методом фотолитографии. Фотолитография – это процесс получения на поверхности пластины требуемого
- 12. Планарная технология Особенностью планарной технологии является то, что рабочие области полупроводникового прибора сложной структуры выходят на
- 13. Изготовление точечных переходов Точечный переход образуется в месте контакта тонкого (диаметром 10−20 мкм) острия металлической иглы
- 14. Изготовление точечных переходов Определение и классификация p-n переходов Структура точечного перехода
- 16. Скачать презентацию