Энергонезависимая память

Твердотельная память

Быстродействие

Энергонезависимость

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ

Mask ROM

Ячейка памяти
Memory Cell

Mask ROM

Diode ROM

n-MOS ROM

p-MOS ROM

OTP ROM

Однократно программируемая память
One Time Programmable ROM

Ячейка

«Чистая»

Запрограммированная

Технология плавких перемычек FUSE

В

OTP ROM

Antifuse

Диэлектрик - ONO (oxide-nitride-oxide)

1

2

Floating -gate transistor (FAMOS)

Digital Integrated Circuits A Design Perspective.
Jan M. Rabaey
Anantha Chandrakasan
Borivoje

Floating -gate transistor (FAMOS)

1971 Frohman’s UV-erasable EPROM

UV-erasable EPROM

EEPROM

Floating gate

Source

Substrate

p

Gate

Drain

n

1

n

1

20

–

30 nm

10 nm

-10 V

10 V

I

V

GD

FLOTOX transistor

Digital Integrated Circuits A Design Perspective.
Jan

EEPROM Cell

12,5V

Внешние

Внутренние

В EEPROM можно переписывать отдельные ячейки

In System Programming

Flash

Flash

OR ROM
Неактивные строки =0

NOR ROM
Неактивные строки = 0

NAND ROM
Неактивные строки =1