Содержание
- 2. Гетероперехід Гетероперехід – перехід утворений між двома різними напівпровідниками. Якщо напівпровідники мають однаковий тип провідності –
- 3. Рівноважні діаграми енергетичних зон до (а) і після (б) утворення різкого p-n гетеропереходу.
- 4. Ширина збідненого шару в кожному напівпровіднику і бар’єрна ємність знаходиться з рішення рівняння Пуасона для різкого
- 5. ВАХ гетеропереходів Дифузійна модель Андерсона Струм термоелектронної емісії. Обернений струм не має насичення, а при великих
- 6. Діаграма енергетичних зон різкого p-n гетеропереходу при прямому зміщенні (пунктирні лінії); неперервні лінії відповідають нульовому зміщенню.
- 7. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу Переніс заряду здійснюється в основному електронами, при розрахунку ВАХ враховуються накоплення
- 8. Емісійно-рекомбінаційна модель p-n гетеропереходу Допускається, що на границі розділу знаходиться тонкий шар дефектної кристалічної гратки з
- 9. Тунельна модель різкого p-n гетеропереходу Потенціальний барєр у виді пічка в широкозонному напівпровіднику n типу електрони
- 10. Тунельно-рекомбінаційна модель різкого p-n гетеропереходу Допускається, що відбувається тунелювання електронів із зони провідності широкозонного напівпровідника на
- 11. Різкі ізотипні гетеропереходи В ізотипних гетеропереходах типу n-n і p-p вклад неосновних носіїв заряду в електричний
- 12. «Пічок» і «провал» обумовлені вибраними параметрами напівпровідників, які контактують: χ1>χ2 і Eg1 На відміну від анізотропних
- 13. Прилади на гетеропереходах Варізонна структура. а- зміна складу вздовж структури; б- рівноважна зонна діаграма; в- зонна
- 15. Скачать презентацию