Содержание
- 2. Контакт напівпровідників n- і p- типів ppnp=nnpn=ni2 Розподіл домішок (а), розподіл зарядів і виникнення електричного поля
- 3. Робота виходу з напівпровідника n-типу Робота виходу з напівпровідника p-типу Випадок: донорні і акцепторні домішки повністю
- 4. Рівняння Пуасона для p-області: Рівняння Пуасона для n-області: Граничні умови: Рішення рівнянь Пуасона.
- 5. При x=0 потенціал і його похідна неперервні, тому В обох областях напівпровідника, що прилягають до p-n
- 6. Бар’єрна ємність В області переходу має місце значне зменшення концентрації носіїв заряду. Електронно-дірковий перехід являє собою
- 7. Випрямлення на p-n переході Енергетична діаграма p-n переходу при термодинаміч-ній рівновазі (а), при подачі на прехід
- 8. При збільшенні прямого зміщення на p-n переході концентрація неосновних носіїв, що інжектуються, різко зростає, що приводить
- 9. При оберненому зміщенні p-n переходу струм основних носіїв заряду буде меншим, ніж в рівноважному стані, а
- 10. Різкий p-n перехід Різкий перехід при тепловій рівновазі. а- розподіл просторового заряду (штриховими лініями позначені “хвости”
- 11. Рівняння Пуасона для різкого переходу Розподіл потенціалу Дифузійний потенціал Дифузійний потенціал
- 12. W=L0 – повна ширина збідненої області. Для різкого симетричного переходу Для різкого несиметричного переходу Якщо Якщо
- 13. Залежність дебаєвської довжини в Si від концентрації домішки. Залежність ширини збідненого шару і питомої ємності від
- 14. Бар’єрна ємність Для несиметричного різкого переходу залежність 1/C2 від V є прямою лінією. Її нахил визначає
- 15. Плавний лінійний перехід Плавний лінійний перехід в тепловій рівновазі. а - розподіл просторового заряду; б –
- 16. В точці x=0 поле приймає максимальне значення Еm. Контактна різниця потенціалів Або Контактна різниця потенціалів на
- 17. Залежність ширини збідненого шару і питомої бар’єрної ємності від градієнту концентрації домішки для лінійних переходів в
- 18. Вольт-амперні характеристики Ідеальні вольт-амперні характеристики Допущення: 1. Наближення збідненого шару з різкими границями. 2. Наближення Больцмана,
- 19. Вольт-амперні характеристики ідеального переходу. а- лінійний масштаб; б- напівлогарифмічний масштаб. Вольт-амперна характеристика ідеального діода. Формула Шоклі
- 20. Пробій p-n переходу 1. Теплова нестійкість 2. Тунельний ефект 3. Лавинне помноження Зворотня вітка воль-амперної характеристики
- 21. Тунельний ефект Вольт-амперна характеристика переходу з тунельним пробоєм. Квантовомеханічна ймовірність проходження через одномірний прямокутний потенціальний бар’єр
- 22. Лавинне помноження Коефіцієнти іонізації електронів і дірок (αn і αp). Коефіцієнт помноження дірок- Mp. Напруга лавинного
- 23. Напруга пробою несиметричного різкого переходу Напруга пробою лінійного переходу
- 24. Cхемні функції Прямий опір на постійному струмі- статичний опір RF Прямий опір для малого сигналу- динамічний
- 25. Випрямлячі зазвичай мають низьку швидкість переключення; іншими словами переключення з відкритого стану з високою провідністю в
- 26. Стабілітрони Стабілітрон- плоский діод, що працює при оберненому зміщенні в режимі пробою. Стабілізація напруги на рівні
- 27. Варактори Варактор - прилад реактивністю якого можна керувати за допомогою напруги зміщення. Рівняння Пуасона s- чутливість.
- 28. Залежність добротності варактора Q від частоти при різних зміщеннях. На вставці наведена еквівалентна схема варактора. Ефективність
- 29. p – i – n діоди Для НВЧ електроніки. Розподіл домішки, густини об’ємного заряду і електричного
- 31. Скачать презентацию