Содержание
- 2. В последние десятилетия основной фактор повышения степени интеграции -масштабирование (уменьшение размеров элементов)
- 3. Затвор из проводящего поликремния отделен от канала транзистора тончайшим (толщиной всего 1,2 нм или 5 атомов!)
- 4. С ростом степени интеграции СБИС и систем на кристалле увеличивается доля чипов, содержащих аналоговые блоки, которые
- 6. Требования к такому материалу весьма серьезны: высокая химическая и механическая (на атомарном уровне) совместимость с кремнием,
- 9. Столь малая толщина диэлектрика необходима для получения не только малых габаритов транзистора в целом, но и
- 10. слабая зависимость порогового напряжения от напряжения на стоке слабая зависимость порогового напряжения от длины и ширины
- 11. Масштабирование МОПТ Сравнительная таблица технологий XXI века:
- 12. Физические ограничения масштабирования МОПТ
- 13. Проблемы масштабирования МОПТ и пути их решения
- 14. Методы улучшения характеристик МОПТ I. Создание мелкозалегающих слаболегированных областей стока/истока (Lightly Doped Drain, LDD-области) Концентрация примеси
- 15. II. Создание ореола (halo) вокруг LDD-областей истока/стока Проникновение области обеднения стока в канал является основной причиной
- 16. II. Создание ореола (halo) вокруг LDD-областей истока/стока Проникновение области обеднения стока в канал является основной причиной
- 17. Методы улучшения характеристик МОПТ III . Крутое ретроградное распределение примеси в кармане (Super Steep Retrograde Well,
- 18. Методы улучшения характеристик МОПТ IV . Использование «напряженного кремния» Суть технологии лежит в изменении расстояния между
- 19. Масштабирование подзатворного диэлектрика Прогноз масштабирования толщины подзатворного SiO2 Кванто-механический эффект По прогнозу SIA масштабирование толщины SiO2
- 20. Использование High-K материалов в качестве подзатворного диэлектрика Hidh-K материалы позволяют использовать более толстые диэлектрические слои для
- 21. Проблемы при миниатюризации межсоединений Роль задержки в линиях разводки неуклонно растет: 1) до 90-х гг. доминировали
- 22. Перспективные разработки для дальнейшего масштабирования МОПТ I. Транзистор с двойным затворм Такой подход позволяет эффективно управлять
- 24. Наиболее распространнной конструкцией МОП- транзистора является LDD (Lightly Doped Drain) структура. Конструктивной особенностью является наличие мелких
- 26. Транзистор Tri-Gate, 22-нм
- 27. Результатом такого конструкторского решения является снижение сопротивления транзистора в открытом состоянии, увеличение сопротивления в закрытом и
- 28. тенденции в изменении разрешающей способности литографического процесса полушаг – это минимальный размер литографических параметров на кристалле.
- 29. Technology 0.18 um 0.25 um 0.35 um 0.50 um Supply Voltage (V) 1.8 2.5 3.3 3.3*2
- 30. Физические и механические свойства германия, кремния и арсенида галлия
- 31. Схематическое представление кристаллической решетки кремня
- 32. Схематическое представление плоскостей с различными индексами Миллера в кубической решетке
- 35. Процесс Чохральского для выращивания кристаллов кремния
- 39. 1 - Держатель 2 - Обмотка нагревателя 3 - Монокристаллический кремний 4 - Затравочный монокристалл 5
- 45. Скачать презентацию