Содержание
- 2. Методы исследований наноматериалов и наноструктур
- 3. Методы исследований
- 4. Методы исследований
- 5. Модуль 1. Электрофизические методы измерений Измерение удельного сопротивления. Удельное сопротивление и удельное поверхностное сопротивление. Четырехзондовый метод
- 6. Модуль 1. Электрофизические методы измерений Определение концентрации и подвижности носителей заряда. Трехзондовый метод. Метод вольтфарадных характеристик
- 7. Модуль 1. Электрофизические методы измерений Измерение параметров неравновесных носителей заряда. Cтационарный метод определения диффузионной длины. Метод
- 8. Модуль 1. Электрофизические методы измерений Свойства МДП-структур и методы их исследования. Понятие о МДП-структуре. Экспериментальное исследование
- 9. Модуль 2. Оптические методы измерений. Измерение толщины тонких слоев в полупроводниковых структурах. Измерение толщин полупроводниковых слоев.
- 10. Модуль 2. Оптические методы измерений. Измерение толщины тонких слоев в полупроводниковых структурах. Измерение толщин диэлектрических слоев.
- 11. Модуль 3. Физико-аналитические методы измерений. Методы ионной и электронной спектроскопии для определения химического состава микро- и
- 12. Модуль 3. Физико-аналитические методы измерений. Электронная микроскопия. Просвечивающая электронная микроскопия: типы просвечивающих электронных микроскопов; подготовка образцов
- 13. Модуль 3. Физико-аналитические методы измерений. Дифракционные методы. Дифракция рентгеновских лучей: метод Лауэ; метод вращения кристалла; метод
- 14. Методы исследований Основная литература Е.С.Анфалова. Методы измерения параметров полупроводников и полупроводниковых структур. Учебное пособие. Москва 2005.
- 15. Методы исследований Основная литература Ищенко А.А., Фетисов Г.В., Асланов Л.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования
- 16. Методы исследований Основная литература Эгертон Р.Ф., Физические принципы электронной микроскопии, Техносфера, Москва. 2010. Криштал М.М., Сканирующая
- 17. Методы исследований Дополнительная литература С.М.ЗИ. Физика полупроводниковых приборов. В двух книгах. Москва. «Мир». 1984. Л.Н.Павлов. Методы
- 18. Методы исследований Дополнительная литература Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. Москва, «Сов. радио», 1974. Основы технологии
- 19. Методы исследований Дополнительная литература Смирнов, В. И. Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Учебное
- 20. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления
- 21. Удельное сопротивление и удельное поверхностное сопротивление
- 22. Удельное сопротивление и удельное поверхностное сопротивление
- 23. Удельное сопротивление и удельное поверхностное сопротивление
- 24. Зависимости подвижности и удельного сопротивления кремния от концентрации легирующей примеси при комнатной температуре
- 25. Четырехзондовый метод
- 26. Полубесконечный образец
- 27. Полубесконечный образец
- 28. Полубесконечный образец
- 29. Тонкий образец
- 30. Тонкий образец
- 31. Тонкий образец
- 32. Тонкий образец
- 33. Двухслойные структуры
- 34. Двухслойные структуры
- 35. Двухслойные структуры
- 36. Метод самокомпенсации геометрических эффектов
- 37. Метод самокомпенсации геометрических эффектов
- 38. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 39. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 40. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 41. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 42. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 43. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 44. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 45. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 46. Современные установки измерения поверхностного сопротивления
- 47. Определение профиля удельного сопротивления полупроводникового слоя
- 49. Скачать презентацию