Содержание
- 2. 1. Реализуется обычно на микросхемах DRAM = Dynamic RAM, т.к. они имеют наилучшее сочетание объёма информации
- 3. При записи 1 – заряжаем, 0 – разряжаем При чтении – всегда разряжаем Если был 0,
- 4. Если постоянно читаем, то информация не теряется Иначе, нужна периодическая (раз в 0.01 с) регенерация –
- 5. 2. Производительность Это количество считанных или записанных байт в секунду Н-р, DDR2 SDRAM: до 8 ГБ/с
- 6. Для её роста повышают: быстродействие ячеек разрядность шины данных (до 256 бит!) объём и частоту буфера
- 7. А также применяют конвейер – цикл обработки расслоение памяти – сохранение последовательных слов в разных модулях
- 8. 3. Синхронная (S) DRAM – с конвейером Контроллер памяти (в чипсете или ЦП) циклично выдаёт: номер
- 9. строка целиком копируется в буфер номер столбца CAS# разрешение чтения или записи чтение ячейки из буфера
- 10. row column row data RAS# CAS# время доступа
- 11. 4. Виды SDRAM DDR SDRAM Dual Data Rate – удвоенный темп передачи данных – за счёт
- 12. Схема работы 2 буфера (регистра)
- 13. Частота буфера удвоена (но частота ядра старая) ⇒ рост скорости в нек. задачах Гашение отражённых импульсов
- 14. частота до 533 МГц шина 8 байт 2 канала 2*533*8*2 = 16.6 ГБ/с на систему
- 15. Схема работы 4 буфера
- 16. DDR3 U=1.5 В 8 банков автоподстройка импеданса
- 17. 8 буферов
- 19. GDDR – ОЗУ для видеокарт GDDR3 ≈ DDR2 GDDR4 ≈ DDR3
- 20. 5. Спецификации DRAM по частоте передачи данных (н-р, DDR2-800 = 2*400 МГц) по пропускной способности (н-р,
- 21. Тайминги (времена задержек в тактах шины памяти) CL (CAS# Latency) CAS# to data delay RAS# to
- 22. Возможности разгона Для уменьшения таймингов приходится снижать частоту
- 23. напряжение (1.5–5 В) диапазон температур (-40 – +85 оС) затраты на регенерацию ECC – коды коррекции
- 24. Регистровая – с мультиплексором между контроллером и банками – для роста объёма (н-р, до 24 ГБ).
- 25. 6. Неисправности DRAM неустранимые: сожгли, сломали устранимые: перегрев, окислы, грязь на контактах, отклонения в форме, амплитуде
- 26. Вентиляторы для модулей ОЗУ
- 27. Труднее всего устранить КЛ. Для полной защиты нужно десятки см свинца и т. д. Обычные ЭВМ
- 28. Случайный сбой раз в 10 лет на 1 модуль 10 см2
- 29. Нужны ли контроль чётности или коррекция (ECC)? Для особо важных ЭВМ – да. При этом производительность
- 31. Скачать презентацию