Основи напівпровідникової електроніки. Прилади на ефекті міждолинного переходу електронів. (Лекція 13)
- Главная
- Алгебра
- Основи напівпровідникової електроніки. Прилади на ефекті міждолинного переходу електронів. (Лекція 13)
Содержание
- 2. Прилади на основі між долинного переходу електронів (один з найважливіших НВЧ-приладів) широко використовуються в якості гетеродина
- 3. Об’ємний від’ємний диференційний питомий опір Фізичні механізми виникнення об’ємного від’ємного диференційного питомого опору досить різноманітні. Одним
- 4. Продиференціювавши вираз для густини струму по x і враховуючи рівняння Пуасона, отримаємо Підстановка цього виразу в
- 5. Якщо концентрація залежить лише від часу, то рішення рівняння має вид де τR - час діелектричної
- 6. В приладах з N–подібними характеристиками будуть утворюватись домени високого електричного поля (або збагачені шари), а в
- 7. Об’ємний від’ємний диференційний питомий опір Залежність густини струму і диференційного питомого опору від напруженості електричного поля.
- 8. Формування домена високого електричного поля (а) в зразку з від’ємним диференційним питомим опором, що керується напругою
- 9. Рис. 3. Формування збагаченого електронного шару в збудженому середовищі з від’ємним диференційним опором (ВДО). Розглянемо більш
- 10. При цьому електричне поле зліва від точки А стає ще меншим, що сприяє подальшому накопленню заряду.
- 11. Рис. 4. Формування електричного дипольного шару в збудженому середовищі з від’ємним диференційним опором (ВДО). Ідеальний збагачений
- 12. Таким чином домен досягає стабільної конфігурації. Дипольний шар рухається через кристал і щезає на аноді. В
- 13. Товщина дипольного шару Площа поперечного перерізу шнура струму де L - довжина зразка. Допустимо, що найбільш
- 14. Міждолинний перехід електронів Рис. 6. Структура енергетичних зон арсеніда галію і фосфіда індію. Перехід електронів з
- 15. Отримаємо наближене співвідношення між дрейфовою швидкістю і напруженістю електричного поля, спираючись на припущення про рівність електронних
- 16. відношення заселеностей верхньої і нижньої долини, які розділені енергетичним зазором ΔE , рівне де R –
- 17. Підставивши v і n2/n1 отримаємо Використовуючи це рівняння можна розрахувати залежність Te від напруженості електричного поля
- 18. Рис. 7. Залежність дрейфової швидкості від напруженості електричного поля в GaAs при трьох температурах гратки (двох
- 19. Для виникнення ВДО необхідно виконання наступних умов: 1. Температура гратки повинна бути малою, щоб у відсутність
- 20. Рис. 8. Експериментальні залежності дрейфової швидкості від напруженості електричного поля в GaAs і InP. Експериментальні залежності
- 21. Режими роботи Процес утворення домена високого поля залежить від кількості носіїв заряду в напівпровіднику і довжини
- 22. або Ідеальний режим однорідного електричного поля. 2. Режим зі збагаченим шаром. 3. Режим прольоту домена. 4.
- 23. Режим прольоту домена Чисельне моделювання процесу розповсюдження дипольного шару, що виникає біля катоду, в режимі прольоту
- 24. Характеристики приладів на ефекті міждолинного переходу електронів Катодні контакти Для виготовлення приладів на ефекті між долинного
- 25. Рис. 26. Основні стадії процесу виготовлення приладів на ефекті між долинного переходу електронів. Основні стадії виготовлення
- 26. В приладі з омічними контактами формування збагаченого шару або домену відбувається на деякій відстані від катоду
- 27. Рис. 27. Характеристики трьох катодних контактів. а- омічний; б- бар’єр Шотткі; в- двохшаровий контакт з бар’єром
- 28. Однак нелегко отримати бар’єр Шотткі невеликої висоти в напівпровідникових сполуках типу АIIIВV; крім того, область робочих
- 29. Рис. 28. ККД, НВЧ потужність, що генерується, і струм в приладі з фосфіду індію з двохшаровим
- 30. Залежність потужності від частоти Рис. 29. Часові залежності при раптовій зміні напруженості електричного поля з 6
- 31. Крім того, причиною повільної зміни концентрації n2 є велика величина часу між долинного розсіяння електронів. Тому
- 32. Рис. 30. Залежність генерованої НВЧ-потужності від частоти для приладів на основі міждолинного переходу електронів. Залежність НВЧ-потужності,
- 33. Однак при фіксованій частоті напруга зміщення в приладі на ефекті між долинного переходу електронів менша (в
- 35. Скачать презентацию
Прилади на основі між долинного переходу електронів (один з найважливіших НВЧ-приладів)
Прилади на основі між долинного переходу електронів (один з найважливіших НВЧ-приладів)
Ганн (1963р.) виявив генерацію когерентних НВЧ-коливань при прикладанні на довільно орієнтований короткий зразок з арсеніду галію чи фосфіду індію n– типу постійного електричного поля, що перевищує порогове значення рівне декільком кіловольт на см. Частота коливань приблизно дорівнювала величині, оберненій часу прольоту носіїв через зразок.
Причиною виникнення від’ємного диференційного питомого опору служить стимульований електричним полем перехід електронів зони провідності з низько енергетичної долини , в якій їх рухливість відносно велика, в більш високоенергетичну долину з меншими рухливостями.
Дослідження генерації в потрійних з’єднаннях GaAs1-xPx показали, що величина порогового електричного поля зменшується при зменшенні енергетичного зазору між основними і побічними мінімумами зони провідності. Все це переконливо показало, що причиною ганнівської генерації є ефект між долинного переходу електронів.
Об’ємний від’ємний диференційний питомий опір
Фізичні механізми виникнення об’ємного від’ємного диференційного питомого
Об’ємний від’ємний диференційний питомий опір
Фізичні механізми виникнення об’ємного від’ємного диференційного питомого
Рівняння неперервності в одномірному випадку:
Мале локальне відхилення концентрації основних носіїв від однорідної рівноважної n0 приводить до появи просторового заряду густиною n-n0 . Рівняння Пуасона і вираз для густини струму мають вид:
де εs - діелектрична проникність, ρ - питомий опір і D - коефіцієнт дифузії.
Продиференціювавши вираз для густини струму по x і враховуючи рівняння Пуасона,
Продиференціювавши вираз для густини струму по x і враховуючи рівняння Пуасона,
Підстановка цього виразу в рівняння неперервності приводить до рівняння
Дане рівняння можна вирішити методом розділення змінних.
Якщо концентрація залежить лише від координати, то рішення рівняння має вид:
де LD - дебаєвська довжина, яка рівна
LD визначає відстань, на якій затухають малі флуктуації заряду.
Якщо концентрація залежить лише від часу, то рішення рівняння має вид
де
Якщо концентрація залежить лише від часу, то рішення рівняння має вид
де
τR - час, за який відбувається розсосування просторового заряду, якщо диференційний питомий опір і диференційна рухливість μ є додатні.
Однак в напівпровіднику з від’ємним диференційним опором (ВДО) будь-яка флуктуація концентрації буде наростати з постійною часу, яка рівна τR , а не затухати.
Прилади з об’ємним ВДО можна розділити на дві групи: 1) прилади, що керуються напругою (з N–подібними характеристиками) і 2) прилади, що керуються струмом (з S-подібними характеристиками).
Наприклад, тунельний діод є прилад з N–подібною J-E характеристикою, а тиристор – прилад з S-подібною характеристикою.
Об’ємний ВДО обумовлений мікроскопічними властивостями напівпровідника: 1) стимульованим електричним полем захопленням носіїв на глибокі рівні; 2) ударною іонізацією мілких домішкових рівнів в компенсованих напівпровідниках; 3) переходом електронів із основного мінімума зони провідності в побічні (ефект між долинного переходу електронів).
В приладах з N–подібними характеристиками будуть утворюватись домени високого електричного поля
В приладах з N–подібними характеристиками будуть утворюватись домени високого електричного поля
Для приладу N–подібною J-E характеристикою позитивний диференційний питомий опір збільшується з ростом електричного поля, тобто dρ/dE>0. Якщо напруженість електричного поля в деякій області напівпровідника набагато більша середньої, то її питомий опір також більший. Тому густина струму буде меншою. Це приведе до збільшення розмірів області і утворення домена (області високого електричного поля), поза якою поле відносно мале.
Для приладу з S-подібною характеристикою початкова величина позитивного диференційного питомого опору зменшується при збільшенні напруженості електричного поля, тобто dρ/dE<0. Якщо поле в деякій області напівпровідника набагато більше середнього, то питомий опір цієї області менший. Тому струм буде втікати в цю область, що приведе до її видовження в напрямі електричного поля і утворення шнура струму з високою густиною.
Об’ємний від’ємний диференційний питомий опір
Залежність густини струму і диференційного питомого опору
Об’ємний від’ємний диференційний питомий опір
Залежність густини струму і диференційного питомого опору
Формування домена високого електричного поля (а) в зразку з від’ємним диференційним
Формування домена високого електричного поля (а) в зразку з від’ємним диференційним
Рис. 3. Формування збагаченого електронного шару в збудженому середовищі з від’ємним
Рис. 3. Формування збагаченого електронного шару в збудженому середовищі з від’ємним
Розглянемо більш детально нестабільність об’ємного заряду в приладах з N–подібними J-E характеристиками. На Рис. 3а наведена типова миттєва залежність J від E, а на Рис.3 б – схема приладу. Допустимо, що в точці А утворився надлишок від’ємного заряду. Причиною цього можуть бути випадкові шуми або неоднорідне легування (рис. 3в). Проінтегрувавши один раз рівняння Пуассона, отримаємо розподіл електричного поля у зразку (рис. 3г), причому поле зліва від точки А менше ніж справа. Якщо постійна напруга на приладі відповідає точці EA на J-E кривій, то струм, який втікає в точку А буде більший струму, який витікає, що приведе до накоплення від’ємного просторового заряду в точці А.
При цьому електричне поле зліва від точки А стає ще меншим,
При цьому електричне поле зліва від точки А стає ще меншим,
Рис. 4. Формування електричного дипольного шару в збудженому середовищі з від’ємним
Рис. 4. Формування електричного дипольного шару в збудженому середовищі з від’ємним
Ідеальний збагачений шар, про який говорилось до сих пір, являє собою найпростіший приклад нестабільності об’ємного заряду, Якщо позитивні і негативні заряди розділені невеликим просторовим проміжком (рис. 4), то ми маємо справу з утворенням дипольного шару (домена). Поле всередині домена більше, ніж поза ним (рис. 4в). Через ВДО струм в області низького електричного поля буде більший, ніж всередині домена. Значення напруженості електричного поля поза і в середині домена будуть прагнути до стаціонарних, що відповідають точкам на залежності J від E, які лежать поза ділянкою ВДО, в яких електричні струми рівні (рис. 3а). (При цьому ми не враховували товщину доменних стінок).
Таким чином домен досягає стабільної конфігурації. Дипольний шар рухається через кристал
Таким чином домен досягає стабільної конфігурації. Дипольний шар рухається через кристал
Рис. 5. Мінімальна густина струму і відповідна напруженість електричного поля для приладів з N -подібними J-E - характеристиками, що керуються напругою (а), і для приладів з S – подібними J-E - характеристиками, що керуються струмом (б).
Товщина дипольного шару
Площа поперечного перерізу шнура струму
де L - довжина зразка.
Товщина дипольного шару
Площа поперечного перерізу шнура струму
де L - довжина зразка.
Аналогічний розгляд можна провести і для зразка з S- подібною характеристикою. Замість домена ми розглянемо струм з площею поперечного перерізу а. В стаціонарних умовах для заданої величини струму (рис. 5б) отримаємо
де А – площа поперечного перерізу приладу. Якщо потужність, що споживається мінімальна, напруга також має бути мінімальною, а площу поперечного перерізу шнура можна знайти з виразу, замінивши в ньому J2 і J1 на J2m і J1m відповідно.
Міждолинний перехід електронів
Рис. 6. Структура енергетичних зон арсеніда галію і фосфіда
Міждолинний перехід електронів
Рис. 6. Структура енергетичних зон арсеніда галію і фосфіда
Перехід електронів з основного мінімума зони провідності з відносно великою рухливістю в побічні більш високоенергетичні мінімуми з меншими рухливостями називається ефектом міждолинного переходу електронів.
Для того щоб зрозуміти, як цей ефект приводить до появи від’ємного диференційного опору, розглянемо залежності енергії електрона від квазіімпульсу в арсеніді галію і фосфіді індію (рис. 6) – двох найбільш важливих для таких приладів напівпровідників. Видно, що зонні структури цих напівпровідників майже однакові. Зона провідності складається з декількох підзон. Дно зони провідності відповідає k=0 (точка Γ).
Отримаємо наближене співвідношення між дрейфовою швидкістю і напруженістю електричного поля, спираючись
Отримаємо наближене співвідношення між дрейфовою швидкістю і напруженістю електричного поля, спираючись
Густину стаціонарного струму в напівпровіднику можна представити наступним чином:
Перша більш високо енергетична зона розміщена в напрямку <111> (L), а наступна – вздовж осі <100> (X). Таким чином підзони в цих напівпровідниках мають наступну послідовність Γ - L - X.
Величина енергетичної щілини між мінімумами зони провідності ΔE≈0.31 еВ для арсеніду галію і ΔE≈0.53 еВ для фосфіду індію. Введемо позначення m1* і m2* – ефективні маси, μ1 і μ2 – рухливості, n1 і n2 – концентрація електронів в нижній і верхній долинах відповідно, причому повна концентрація носіїв заряду рівна n = n1 + n2.
де v - середня дрейфова швидкість
так як μ1>>μ2
відношення заселеностей верхньої і нижньої долини, які розділені енергетичним зазором ΔE
відношення заселеностей верхньої і нижньої долини, які розділені енергетичним зазором ΔE
де R – відношення густини станів в верхній і нижній долинах
а M1 і M2 - число верхніх і нижніх долин відповідно.
Для арсеніда галія M1=1, а число верхніх долин вздовж осі L дорівнює 8, але вони розміщені біля краю першої зони Бриллюена, і тому M2=4. Використовуючи значення ефективних мас електронів в арсеніді галію m1*=0,067m0 і m2*=0,55m0 отримаємо R=94.
Оскільки електричне поле прискорює електрони і збільшує їх кінетичну енергію, електронна температура Te перевищує температуру гратки T. Електронна температура визначається за допомогою часу релаксації енергії:
де час релаксації енергії τe припускається рівним ~10-12 с.
Підставивши v і n2/n1 отримаємо
Використовуючи це рівняння можна розрахувати залежність Te
Підставивши v і n2/n1 отримаємо
Використовуючи це рівняння можна розрахувати залежність Te
Отримаємо наступне співвідношення між дрейфовою швидкістю і полем:
Рис. 7. Залежність дрейфової швидкості від напруженості електричного поля в GaAs
Рис. 7. Залежність дрейфової швидкості від напруженості електричного поля в GaAs
Висновки:
1. Існує певне порогове значення напруженості електричного поля ET, при якому виникає ділянка ВДО (або від’ємної диференційної рухливості).
2. Порогове значення напруженості електричного поля збільшується з ростом температури гратки.
3. Ділянка від’ємної диференційної рухливості може існувати, якщо температура гратки достатньо висока або енергетичний зазор ΔΕ між мінімумами зони провідності малий.
Розраховані за допомогою виразів типові залежності від для арсеніду галію при трьох температурах гратки наведені на рис. 7 (суцільні криві). Показана також заселеність верхньої долини як функція напруженості електричного поля (штрихова крива).
Для виникнення ВДО необхідно виконання наступних умов:
1. Температура гратки повинна бути
Для виникнення ВДО необхідно виконання наступних умов:
1. Температура гратки повинна бути
2. В основному мінімумі зони провідності електрони повинні мати високу рухливість, малу ефективну масу і малу густину станів, в той час як в побічних мінімумах електрони повинні мати низку рухливість, велику ефективну масу, а густина станів повинна бути високою.
3. Енергетичний зазор між мінімумами повинен бути меншим ширини забороненої зони, щоб лавинний пробій не відбувся раніше між долинних переходів електронів.
З усіх напівпровідників, що задовольняють цим умовам, арсенід галію і фосфід індію n–типу найбільш досліджені широко використовуються. Тим не менше ефект між долинного переносу електронів спостерігався в багатьох інших напівпровідниках, в тому числі в германії, бінарних, потрійних і четвертних сполуках. Ефект між долинного переносу електронів спостерігався також в InAs і InSb при дії гідростатичного тиску, який прикладається для зменшення енергетичної щілини ΔE, яка при звичайних умовах перевищує ширину забороненої зони. Особливий інтерес для можливого використання в малопотужних, але швидкодіючих приладах являють потрійні сполуки елементів III - V груп GaInSb, так як в них порогові поля малі, а дрейфові швидкості великі.
Рис. 8. Експериментальні залежності дрейфової швидкості від напруженості електричного поля в
Рис. 8. Експериментальні залежності дрейфової швидкості від напруженості електричного поля в
Експериментальні залежності дрейфової швидкості від напруженості електричного поля в арсеніді галію і фосфіді індію при кімнатній температурі наведені на рис. 8. Результати теоретичного аналізу процесів переносу електронів в сильних електричних полях знаходяться в гарному співвідношенні з експериментальними даними. Порогова величина напруженості електричного поля ET, яка визначає початок ділянки ВДО, рівна ~3.2 кеВ/см для GaAs і ~10,5 кВ/см для InP . Максимальна величина дрейфової швидкості vp становить ~2.2×107 см/с для надчистих кристалів арсеніду галію і ~2.5×107 см/с для фосфіду індію. Максимальна величина від’ємної диференційної рухливості приблизно рівна – 2400 см2/В с для GaAs і – 2000 см2/В с для InP.
Режими роботи
Процес утворення домена високого поля залежить від кількості носіїв заряду
Режими роботи
Процес утворення домена високого поля залежить від кількості носіїв заряду
Виходячи з цього встановлюється критерій для того чи іншого режиму роботи приладу.
Збільшення просторового заряду з часом в приладі з ВДО на початковій стадії має вид:
μ--від’ємна диференційна рухливість
П’ять основних факторів визначають той чи інший режим роботи:
1) величина концентрації домішки і однорідність її розподілу у зразку;
2) ширина активної області;
3) властивості катодного контакту;
4) тип зовнішнього ланцюжка, який використовується;
5) величина напруги зміщення на приладі.
або
Ідеальний режим однорідного електричного поля.
2. Режим зі збагаченим шаром.
3. Режим прольоту
або
Ідеальний режим однорідного електричного поля.
2. Режим зі збагаченим шаром.
3. Режим прольоту
4. Режим з руйнуванням домена.
Для суттєвого збільшення заряду цей фактор повинен перевищувати 1, і, відповідно,
Якщо це співвідношення залишається справедливим протягом часу прольоту шару просторового заряду через зразок, то максимальний фактор росту буде дорівнювати
Для арсеніду галію і фосфіду індію n –типу права частина нерівності становить ~1012 см-2. Якщо добуток n0L < 1012 см-2, то розподіл поля в такому пристрої стійкий. Тому важливою границею, що розділяє режими роботи, є величина добутку концентрації носіїв і довжини приладу, яка дорівнює n0L = 1012 см-2.
Режим прольоту домена
Чисельне моделювання процесу розповсюдження дипольного шару, що виникає біля
Режим прольоту домена
Чисельне моделювання процесу розповсюдження дипольного шару, що виникає біля
Режим з руйнуванням домена
Чисельне моделювання режиму з руйнуванням домену.
Характеристики приладів на ефекті міждолинного переходу електронів
Катодні контакти
Для виготовлення приладів на
Характеристики приладів на ефекті міждолинного переходу електронів
Катодні контакти
Для виготовлення приладів на
Рис. 26. Основні стадії процесу виготовлення приладів на ефекті між долинного
Рис. 26. Основні стадії процесу виготовлення приладів на ефекті між долинного
Основні стадії виготовлення такого приладу на епітаксійному арсеніді галію n+-n-n+ - типу показані на рис. 26. Кристали з приладами на ефекті між долинного переходу електронів монтуються в корпуси, які, як і тепловідводи, аналогічні корпусам ЛПД. Деякі високо потужні прилади виготовляються за допомогою селективної металізації або травлення мезаструктур.
Для покращення характеристик приладу замість омічних n+ -контактів застосовують контакти з обмеженою інжекцією. При використанні таких контактів можна реалізувати ситуації, коли порогове поле для струму приблизно рівне пороговій напруженості ET, що визначає початок ділянки ВДО. Тому поле в напівпровіднику може бути однорідним.
В приладі з омічними контактами формування збагаченого шару або домену відбувається
В приладі з омічними контактами формування збагаченого шару або домену відбувається
Рис. 27. Характеристики трьох катодних контактів.
а- омічний;
б- бар’єр Шотткі;
в-
Рис. 27. Характеристики трьох катодних контактів.
а- омічний;
б- бар’єр Шотткі;
в-
Були вивчені два класи контактів з обмеженою інжекцією: 1) контакт Шотткі з малою висотою бар’єра і 2) двошарова катодна структура. На рис. 27 наведені характеристики трьох катодних контактів. В приладі з омічними контактами (рис. 27,а) завжди існує область низької напруженості електричного поля біля катоду, а поле в зразку неоднорідне. В обернено зміщеному бар’єрі Шотткі можна отримати достатньо однорідний розподіл електричного поля (рис. 27, б). Зворотній струм дорівнює
де A** - ефективна постійна Річардсона, а qϕB - висота бар’єра. Густинам струму в діапазоні 102 – 104 А/см2 відповідають величини висот бар’єра в межах 0.15-0.3 еВ.
Однак нелегко отримати бар’єр Шотткі невеликої висоти в напівпровідникових сполуках типу
Однак нелегко отримати бар’єр Шотткі невеликої висоти в напівпровідникових сполуках типу
Двохшаровий катодний контакт складається з шару високої напруженості електричного поля и n+–шару (рис. 27, в). Його конфігурація аналогічна конфігурації ЛПД з трьохшаровою базою. Електрони розігріваються в шарі високого електричного поля, а потім інжектуються в активну область, де поле однорідне. Такі структури успішно використовуються в широкому діапазоні температур.
Рис. 28. ККД, НВЧ потужність, що генерується, і струм в приладі
Рис. 28. ККД, НВЧ потужність, що генерується, і струм в приладі
Коефіцієнт корисної дії, потужність, яка генерується в імпульсному режимі, і струм приладу з фосфіду індію в області температур -50 – 150 °С наведені на рис. 28. Відмітимо, що в цьому температурному інтервалі ККД і потужність змінюються приблизно всього лише на ±10 %. Найбільший ККД, який отриманий в приладах з фосфіду індію з двохшаровим катодним контактом, рівний 24 %.
Залежність потужності від частоти
Рис. 29. Часові залежності при раптовій зміні напруженості
Залежність потужності від частоти
Рис. 29. Часові залежності при раптовій зміні напруженості
Процес передачі енергії електричного поля електронам і перехід останніх з основного мінімуму зони провідності в побічні займає кінцевий проміжок часу. Тому робочі частоти приладів обмежені зверху величинами, оберненими часу релаксації енергії і часу міждолинного розсіяння. На рис. 29 наведені часові залежності дрейфової швидкості носіїв у верхній і нижній долинах, середньої швидкості і заселеності верхньої долини при раптовому зменшенні напруженості електричного поля від 6 до 5 кВ/см. Відмітимо, що швидкість електронів у верхній долині v2 практично миттєво реагує на зміну поля. Однак швидкість в нижній долині v1 змінюється повільно (характерний час відгуку становить ~5 пс), оскільки гарячі електрони в основному мінімумі слабо розсіюються.
Крім того, причиною повільної зміни концентрації n2 є велика величина часу
Крім того, причиною повільної зміни концентрації n2 є велика величина часу
В прольотному режимі роботи робоча частота обернено пропорційна довжині діода, тобто f=v/L. Співвідношення між потужністю, яка генерується, і частотою має вид
де Vrf і Erf - НВЧ-напруга і напруженість електричного поля відповідно, а R – імпеданс. Тому очікувана зміна потужності з частотою пропорційна 1/f2.
Рис. 30. Залежність генерованої НВЧ-потужності від частоти для приладів на основі
Рис. 30. Залежність генерованої НВЧ-потужності від частоти для приладів на основі
Залежність НВЧ-потужності, що генерується в неперервному і імпульсному режимах, від частоти для сучасних приладів на ефекті між долинного переходу електронів із арсеніду галію і фосфіду індію показана на рис. 30. В дужках рядом з експериментальними точками наведені значення ККД у відсотках. Як слідує з формули ( ), зміна потужності пропорційна 1/f2 . В імпульсному режимі в приладах з GaAs з достатньо довгою базою отримана НВЧ-потужність до 6 кВт на частоті, близькій до 2 ГГц. Потужність, яка генерується в неперервному режимі, приблизно рівна 2 Вт на 10 ГГц, що приблизно в п’ять разів менша, ніж у лавинно-пролітного діода (ЛПД).
Однак при фіксованій частоті напруга зміщення в приладі на ефекті між
Однак при фіксованій частоті напруга зміщення в приладі на ефекті між
Характеристики приладів із фосфіду індію в неперервному режимі порівнянні з характеристиками приладів з арсеніду галію. Однак в імпульсному режимі вони гірші, не зважаючи на те, що відповідно до теоретичних оцінок ККД приладів із фосфіду індію вищий. Причиною цього є більш розвинена технологія арсеніду галію.