Полевые транзисторы

Сентябрь 14, 2022

Главная
Алгебра
Полевые транзисторы

Содержание

2. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Полевой транзистор с управляющим p-n
3. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Полевой транзистор с управляющим p-n
4. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 drain source gate N-channel FET
5. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 drain source gate P-channel FET
6. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора
7. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора
8. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора
9. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора
10. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Участки выходной характеристики
11. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Пологая область характеристики Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2 UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
12. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Крутизна характеристики транзистора с каналом
13. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Полевые транзисторы с изолированным затвором
14. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018
15. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
16. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
17. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным
18. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 МДП-транзистор с встроенным каналом p-типа
19. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
20. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным
21. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Полевой транзистор с индуцированным каналом
22. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным
23. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Характеристика управления МДП-транзистора с индуцированным
24. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Полевой транзистор с индуцированным каналом
25. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Полевой транзистор с индуцированным каналом
26. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным
27. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Характеристики управления МДП-транзистора с индуцированным
28. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Выходные характеристики МДП-транзистора при различных
29. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Зависимость передаточных характеристик полевых транзисторов
30. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Основные параметры полевых транзисторов Крутизна
31. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Дифференциальное выходное (внутреннее Ri) сопротивление
32. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Основные параметры полевых транзисторов Входная
33. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Предельные эксплуатационные параметры Напряжение сток-исток
34. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Схемы включения полевых транзисторов С
35. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Схемы включения полевых транзисторов С
36. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Схема с общим стоком (ОС)
37. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Схема с общим стоком (ОС)
38. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Статический индукционный транзистор (СИТ) static-induction
39. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Транзистор структуры металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП) metal-nitride-oxide-semiconductor
40. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 ЛИЗМОП транзистор (МОП-транзистор с лавинной
41. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 ЛИЗМОП транзистор с управляющим затвором
42. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Полевые транзисторы на основе бумаги
43. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 технология MDmesh (Multiple Drain mesh)
44. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Гибкие органические транзисторы
45. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Гибкие органические транзисторы
46. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2018 Полевые транзисторы на основе графена
47. Полевые транзисторы на основе графена
48. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Типы корпусов транзисторов
49. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Типы корпусов транзисторов
50. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Типы корпусов транзисторов
51. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Типы корпусов транзисторов
52. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Типы корпусов транзисторов
54. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Типы корпусов транзисторов Корпус Semikron
55. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Типы корпусов транзисторов SOT-23
57. Скачать презентацию

Слайд 2

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Полевой транзистор с

управляющим p-n переходом и каналом n-типа
n- channel junction FET

Слайд 3

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Полевой транзистор с

управляющим p-n переходом и каналом n-типа

Слайд 4

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
drain
source
gate
N-channel FET
(electron-conducting )

Слайд 5

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
drain
source
gate
P-channel FET
(hole-conducting FET)

Слайд 6

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Управляющие (сток-затворные)

характеристики полевого транзистора
с каналом n-типа

Слайд 7

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Управляющие (сток-затворные) характеристики

полевого транзистора с каналом р-типа

Слайд 8

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Выходные (стоковые) характеристики

полевого транзистора с каналом n-типа

Слайд 9

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Выходные (стоковые) характеристики

полевого транзистора с каналом p-типа

Слайд 10

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Участки выходной характеристики

Слайд 11

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Пологая область характеристики

Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2 UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
S=dIc/dUЗИ при Uси=const Sнач=2IСнач/UЗИотс при UЗИ=0 S=Sнач(1-UЗИ/UЗИотс)

Слайд 12

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Крутизна характеристики транзистора

с каналом n-типа

Слайд 13

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Полевые транзисторы с

изолированным
затвором ( insulated-gate FET)
МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник)
metal-insulator-semiconductor transistor
(MIS insulated-gate transistor)
МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводник) metal-oxide-semiconductor MOS
(MOS insulated transistor)

Слайд 14

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018

Слайд 15

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Выходные характеристики МДП-транзистора

с встроенным каналом n-типа

Слайд 16

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Выходные характеристики МДП-транзистора

с встроенным каналом n-типа

Слайд 17

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Характеристика управления МДП-транзистора

с встроенным каналом n-типа

IcНАЧ

Слайд 18

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
МДП-транзистор с встроенным

каналом p-типа

Слайд 19

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Выходные характеристики МДП-транзистора

с встроенным каналом p-типа

Слайд 20

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Характеристика управления МДП-транзистора

с встроенным каналом p-типа

Слайд 21

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Полевой транзистор с

индуцированным каналом n-типа
Induced-channel FET

Слайд 22

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Выходные характеристики МДП-транзистора

с индуцированным каналом n-типа

Слайд 23

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Характеристика управления

МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа

Слайд 24

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Полевой транзистор с

индуцированным каналом p-типа

Слайд 25

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Полевой транзистор с

индуцированным каналом p-типа

Слайд 26

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Выходные характеристики МДП-транзистора

с индуцированным каналом p-типа

Слайд 27

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Характеристики управления МДП-транзистора

с индуцированным каналом

Слайд 28

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Выходные характеристики МДП-транзистора

при различных напряжениях на подложке

Слайд 29

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Зависимость передаточных характеристик

полевых транзисторов от температуры

Слайд 30

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Основные параметры полевых

транзисторов Крутизна характеристики
S=δIС/δUзи при Uси = const; S=0.1÷500 ma/V
Крутизна характеристики по подложке
Sп=δIС/δUпи при Uси = const; Sп=0.1÷1 ma/V

Слайд 31

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Дифференциальное выходное (внутреннее

Ri) сопротивление rвых=Ri=δUcи/δIС при Uзи = const; Дифференциальное сопротивление участка затвор-сток
Rзс=δUЗС/δIС. Максимальная рабочая частота fmax Начальный ток стока Iс.нач Напряжение отсечки Uотс

Основные параметры полевых транзисторов

Слайд 32

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Основные параметры полевых

транзисторов

Входная емкость Свх
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Rси Ток утечки затвора Iут Пороговое напряжение Uпор

Слайд 33

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Предельные эксплуатационные параметры Напряжение

сток-исток Uси Напряжение затвор-исток Uзи Напряжение затвор-сток Uзс Температурный диапазон Постоянный ток стока Iст.max

Слайд 34

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Схемы включения полевых

транзисторов С общим истоком (ОИ)

UВЫХ=IСRС
KU=SRC
RВЫХ ≈ RС

Слайд 35

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Схемы включения полевых

транзисторов С общим истоком (ОИ)

RВХ ≈ RСM

Слайд 36

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Схема с общим

стоком (ОС)

Rвых≈1/S
KU≈SRи/(S+Rи)

Слайд 37

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Схема с общим

стоком (ОС)

Rвх≈Rз

Слайд 38

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Статический индукционный транзистор (СИТ)
static-induction

transistor

Слайд 39

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Транзистор структуры металл-нитрид-оксид-полупроводник

(МНОП)
metal-nitride-oxide-semiconductor transistor (MNOS-transistor)

Слайд 40

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
ЛИЗМОП транзистор
(МОП-транзистор с

лавинной инжекцией заряда)
floating-gate avalanche-injection
MOS transistor

Слайд 41

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
ЛИЗМОП транзистор
с управляющим

затвором

Слайд 42

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Полевые транзисторы на

основе бумаги

Слайд 43

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
технология MDmesh (Multiple

Drain mesh)

Слайд 44

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Гибкие органические транзисторы

Слайд 45

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Гибкие органические транзисторы

Слайд 46

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2018
Полевые транзисторы на

основе графена

Слайд 47