Содержание
- 2. Главным достоинством этих транзисторов является высокое входное сопротивление (как у ламп и даже больше). Пластинка из
- 4. Принципиальная схема включения полевого транзистора: 1 - области объёмного заряда р - п-переходов; 2- канал; С
- 10. . Напряжение на затворе Uзи = 0 Подключим источник положительного напряжения к стоку, землю к истоку.
- 15. Помимо полевых транзисторов с управляющим переходом существуют так называемые транзисторы с изолированным затвором. По-другому такие транзисторы
- 16. При изготовлении мощных МОП-транзисторов, в их структуре возникает «паразитный» биполярный транзистор. Для того, чтобы нейтрализовать его
- 17. Основанием служит кремниевая пластинка с электропроводностью p-типа. В ней созданы две области с электропроводностью n+-типа с
- 18. Другим типом является так называемый транзистор с индуцированным (инверсным) каналом (рис. 3). От предыдущего он отличается
- 19. При отсутствии напряжения на затворе канала нет, между истоком и стоком n+-типа расположен только кристалл p-типа
- 21. Скачать презентацию
Главным достоинством этих транзисторов является высокое входное сопротивление (как у ламп
Главным достоинством этих транзисторов является высокое входное сопротивление (как у ламп
Пластинка из полупроводника имеет на противоположных концах электроды, с помощью которых она включена в выходную (управляемую) цепь усилительного каскада. Эта цепь питается от источника E2 и в нее включена нагрузка Rн. Вдоль транзистора проходит ток основных носителей (в нашем случае электронный ток). Входная (управляющая) цепь транзистора образована при помощи третьего электрода, являющейся областью с другим типом электропроводности (в нашем случае это p-область). Источник E1 создает на единственном p-n-переходе обратное напряжение. Прямое напряжение на переход не подается, поскольку тогда входное сопротивление транзистора будет очень малым. Во входную цепь включен источник усиливаемых колебаний ИК.
Принципиальная схема включения полевого транзистора: 1 - области объёмного заряда р - п-переходов; 2- канал; С - сток; 3 - затвор; Uсигн - напряжение сигнала; Rн - нагрузочный резистор; Ез и Ес - постоянныенапряжения соответственно в цепях затвора и стока. Исток полевого транзистора подключён к общейточке О электрических цепей
Принципиальная схема включения полевого транзистора: 1 - области объёмного заряда р - п-переходов; 2- канал; С - сток; 3 - затвор; Uсигн - напряжение сигнала; Rн - нагрузочный резистор; Ез и Ес - постоянныенапряжения соответственно в цепях затвора и стока. Исток полевого транзистора подключён к общейточке О электрических цепей
. Напряжение на затворе Uзи = 0
Подключим источник положительного напряжения к
. Напряжение на затворе Uзи = 0
Подключим источник положительного напряжения к
При повышении Uси, в полупроводнике N-типа в зонах PN-перехода постепенно снижается количество свободных электронов – появляется обедненный слой. Этот слой растет несимметрично – больше со стороны стока, поскольку туда подключен источник напряжения. В результате канал сужается настолько, что при дальнейшем повышении Uси, Iси будет расти очень незначительно. Это состояние называют режим насыщения.
Напряжение на затворе Uзи < 0
Когда транзистор находится в режиме насыщения, канал относительно узкий. Достаточно подать небольшое отрицательное напряжение на затвор Uзи, для того чтобы еще сильнее сузить канал и значительно уменьшить ток Iси (для транзистора с P-каналом на затвор подается положительное напряжение ). Если продолжить понижать Uзи, канал будет сужаться, пока полностью не закроется, и ток Iси не прекратится. Значение Uзи, при котором ток Iси останавливается, называется напряжение отсечки (Uотс).
Помимо полевых транзисторов с управляющим переходом существуют так называемые транзисторы с изолированным
Помимо полевых транзисторов с управляющим переходом существуют так называемые транзисторы с изолированным
Принцип устройства МДП-транзистора с собственным каналом n-типа
При изготовлении мощных МОП-транзисторов, в их структуре возникает «паразитный» биполярный транзистор.
При изготовлении мощных МОП-транзисторов, в их структуре возникает «паразитный» биполярный транзистор.
Основанием служит кремниевая пластинка с электропроводностью p-типа. В ней созданы две
Основанием служит кремниевая пластинка с электропроводностью p-типа. В ней созданы две
Если на затвор приложено нулевое напряжение, то, подав между стоком и истоком напряжение, через канал потечет ток, представляющий собой поток электронов. Через кристалл ток не пойдет, так как один из p-n-переходов находится под обратным напряжением. При подаче на затвор напряжения отрицательной полярности относительно истока (следовательно, и кристалла) в канале образуется поперечное электрическое поле, которое выталкивает электроны из канала в области истока и стока и кристалла. Канал обедняется электронами, его сопротивление увеличивается, ток уменьшается. Чем больше напряжение на затворе, тем меньше ток. Такой режим называетсярежимом обеднения. Если подать положительное напряжение на затвор, то под действием поля из областей стока, истока и кристалла в канал будут приходить электроны. Сопротивление канала падает, ток увеличивается. Такой режим называется режимом обогащения. Если кристалл n-типа, то канал должен быть p-типа и полярность напряжения меняется на противоположную.
Другим типом является так называемый транзистор с индуцированным (инверсным) каналом (рис. 3). От
Другим типом является так называемый транзистор с индуцированным (инверсным) каналом (рис. 3). От
Принцип устройства транзистора с индуцированным каналом n-типа
При отсутствии напряжения на затворе канала нет, между истоком и стоком
При отсутствии напряжения на затворе канала нет, между истоком и стоком
Схемы включения полевых транзисторов подобны схемам включения биполярных. Следует отметить, что полевой транзистор позволяет получить намного больший коэффициент усиления, нежели биполярный. Обладая высоким входным сопротивлением (и низким выходным) полевые транзисторы постепенно вытесняют биполярные. Следует также помнить, что полевые транзисторы очень "боятся" статического электричества, поэтому при работе с ними предъявляют особо жесткие требования по защите от статического электричества.