Содержание
- 2. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через
- 3. Полевые транзисторы разделяют на два вида: полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом; полевые транзисторы с изолированным затвором.
- 4. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом – это полевой транзистор, управление током
- 5. Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника n-типа (или р-типа) проводимости; по его торцам методом напыления сформированы
- 6. Электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника называют истоком (И) и стоком (С), а вывод от боковой
- 7. Источник Uзи смещает р–n-переход в обратном направлении. Под действием напряжения источника Uси между торцевыми поверхностями полупроводника
- 8. Площадь поперечного сечения канала и его сопротивление зависит от ширины p–n-перехода. При увеличении напряжения источника Uзи
- 9. Напряжение на затворе, при котором p–n-переход полностью перекроет канал, и ток стока Iс прекращается, называют напряжением
- 10. Таким образом, в цепи мощного источника Uси протекает ток стока Iс , величина которого зависит от
- 11. Условные обозначения полевого транзистора, имеющего канал n-типа (а) и р-типа (б).
- 12. Схемы включения полевых транзисторов
- 13. Статические характеристики полевых транзисторов 1. Управляющие (стокозатворные) характеристики. Эти характеристики показывают управляющее действие затвора:
- 14. 2. Выходные (стоковые) характеристики.
- 15. С увеличением UС ток сначала растет довольно быстро, но затем его рост замедляется и наступает насыщение.
- 16. Чем больше запирающее напряжение подается на затвор, тем ниже идет выходная характеристика. Повышение напряжения стока может
- 17. Основные параметры полевых транзисторов 1. Крутизна характеристики: Крутизна характеризует управляющее действие затвора. Этот параметр определяют по
- 18. 2. Внутреннее (выходное) сопротивление Ri : Этот параметр представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком
- 19. 3. Коэффициент усиления μ : Эти три параметра ( μ , S , Ri ) связаны
- 20. Полевые транзисторы с изолированным затвором Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор, имеющий один или
- 21. Полевые транзисторы с изолированным затвором бывают двух типов: со встроенным (собственным) каналом; с индуцированным (инверсионным) каналом.
- 22. Структура в обоих типах полевых транзисторов с изолированным затвором одинакова: металл – диэлектрик – полупроводник. Такие
- 23. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом В нем созданы две области с электропроводностью противоположного
- 24. На поверхности канала имеется слой диэлектрика (обычно диоксида кремния SiO2 ) толщиной порядка 0,1 мкм, а
- 25. Статические характеристики МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа
- 26. Условные графические обозначения МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа (а) и р-типа (б).
- 27. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом От предыдущего транзистора он отличается тем, что у него нет встроенного
- 28. При отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком не потечет ни при какой полярности
- 29. Если подать на затвор напряжение положительной полярности относительно истока, то под действием возникающего электрического поля электроны
- 30. При увеличении напряжения на затворе в приповерхностном слое концентрация электронов превысит концентрацию дырок в этой области
- 31. Статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа
- 33. Скачать презентацию