Содержание
- 2. Способы и средства получения вакуума
- 3. Вакуум Единицы давления: Н/м2 – Паскаль (Па) мм ртутного столба – мм.рт.ст. 1 мм.рт.ст = 133,3
- 4. Структурная схема установки для получения высокого вакуума в откачиваемом объеме
- 5. Пластинчато-роторный форвакуумный насос
- 6. Пластинчато-статорный форвакуумный насос
- 7. Схема молекулярной откачки
- 8. Схема пароструйной откачки
- 9. Турбомолекулярный насос
- 10. Вакуумметры
- 11. Термопарный манометрический преобразователь
- 12. Термопарный манометрический преобразователь
- 13. Схема включения ионизационного манометрического преобразователя
- 14. Ионизационный манометрический преобразователь
- 15. Охлаждаемые ловушки
- 16. Система для получения высокого вакуума
- 17. 1. Способы получения вакуума 2. Методы и приборы для получения вакуума 3. Система для получения высокого
- 18. Термоэлектронная эмиссия Термоэлектронные катоды
- 19. , Термоэлектронная эмиссия Контакт металл - вакуум
- 20. Энергетическая диаграмма контакта металл – вакуум
- 21. Основное уравнение термоэлектронной эмиссии (уравнение Ричардсона) A0=120,4 А/см2К2 – постоянная Зоммерфельда
- 22. Энергетическая диаграмма контакта полупроводник - вакуум
- 23. Распределение эмитированных электронов по начальным скоростям
- 24. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода при задерживающем электрическом поле между анодом и катодом
- 25. Задача1 Рассчитать ток в диоде, у которого плоский эмиттер электронов имеет площадь 0,1 кв.см, температуру 2700
- 26. Термоэлектронные катоды из чистых металлов (W)
- 27. Снижение работы выхода при нанесении пленки чужеродных атомов
- 28. Оксидный катод косвенного накала
- 29. Металлопористый катод
- 30. Оксидные катоды
- 31. Металлопористые катоды
- 32. Металлопористые катоды
- 33. 1. Механизм термоэлектронной эмиссии, энергетические диаграммы контактов металл-вакуум, полупроводник – вакуум. 2. Уравнение Ричардсона, последовательность вывода,
- 34. Автоэлектронная эмиссия Автоэлектронные катоды
- 35. Энергетическая диаграмма контакта металл-вакуум при больших электрических полях
- 36. Прозрачность потенциального барьера E eφ΄(x) x1 x2 x
- 37. К расчету тока автоэлектронной эмиссии Концентрация электронов в твердом теле, импульсы которых заключены в диапазоне Число
- 38. Плотность тока автоэлектронной эмиссии
- 39. Уравнение Фаулера - Нордгейма
- 40. Диодная микроячейка с автоэлектронным катодом
- 41. Матричный автоэлектронный катод
- 42. Просвечивающий электронный микроскоп
- 43. 1. Механизм и особенности АЭ эмиссии. 2. АЭ – катоды, конструктивные особенности. Области практического использования АЭ
- 44. Вторичная электронная эмиссия
- 45. Вторичная электронная эмиссиия Коэффициент вторичной эмиссии
- 46. Механизм возникновения вторичной электронной эмиссии
- 47. Зависимость коэффициента вторичной эмиссии от энергии первичных электронов
- 48. Зависимость вторичной эмиссии от угла падения первичных электронов
- 49. Распределение вторичных электронов по энергиям
- 50. Зависимость вторичной эмиссии от рельефа поверхности
- 51. Подавление влияния вторичной эмиссии в электровакуумных приборах
- 52. Электронный умножитель
- 53. Вторичная эмиссия полупроводников с различными соотношениями энергии электронного сродства и ширины запрещенной зоны а) Eв Eс
- 54. 1. Вторичная электронная эмиссия. Механизм возникновения. Зависимость от энергии, угла падения первичных электронов и рельефа поверхности.
- 55. Фотоэлектронная эмиссия
- 56. Оптический диапазон электромагнитного излучения Оптический диапазон электромагнитного излучения − λ = 10-9 ÷ 10-3 м Диапазон
- 57. Фотоэлектронная эмиссия мощность монохроматического излучения с частотой ν и длиной волны λ, падающего на поверхность (лучистый
- 58. Фотоэлектронная работа выхода Закон Эйнштейна «Красная граница» фотоэффекта:
- 59. Задача 2. Определить максимальное значение работы выхода металлического эмиттера фотоэлектронов, у которого может наблюдаться фотоэффект в
- 60. Задача 3 Определить, каким должно быть напряжение анода в диоде с металлическим фотоэмиттером, чтобы анодный ток
- 61. Фотоэлектронная и термоэлектронная работа выхода полупроводников
- 62. Фотоэлектронные катоды
- 63. Cs2Te, MgF2, RbTe Cs3Sb 30 – 100 мкА/лм (40 – 80 мА/Вт) макс Ag0 - Cs
- 65. Скачать презентацию