Содержание
- 2. 4.1. Общие сведения Транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, тремя выводами, усилительные
- 3. 4.1. Общие сведения Взаимодействие между p-n переходами существует, если толщина базы намного меньше диффузионной длины неосновных
- 4. 4.1. Общие сведения Электрические переходы могут быть смещены в прямом или обратном направлении => 3 режима
- 5. 4.1. Общие сведения 3 схемы включения: Общий эмиттер. Общая база. Общий коллектор. Общим называется электрод, относительно
- 6. 4.1. Общие сведения Два правила: По стандарту вход слева (снизу), выход справа (сверху). Входная и выходная
- 7. 4.1. Общие сведения
- 8. 4.2. Физические процессы Схема с общей базой: IЭ – за счёт инжекции (большой, т.к. носителей заряда
- 9. 4.2. Физические процессы
- 10. 4.3. Статические характеристики Система статических характеристик Обозначим: U1, I1 – входные напряжение и ток; U2, I2
- 11. 4.3. Статические характеристики Из 4-х возможных семейств каждой системы два являются основными, а два – второстепенными,
- 12. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
- 13. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
- 14. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
- 15. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим ХХ: UКЭ=EK, IK=0 КЗ: UКЭ=0, IK=EK/RK
- 16. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим отсечки IЭ=0 IK=IKO (обратный ток коллекторного перехода) Обеспечение
- 17. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Свойства: режим неуправляемый (изменение входных параметров не меняет выходные
- 18. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Активный режим Режим управляемый. Обеспечение режима: Необходимо провести через
- 19. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим насыщения Свойства: Cтепень насыщения : Ток базы насыщения:
- 20. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Динамические характеристики: а) Выходные: Нагрузочная прямая постоянного тока –
- 21. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Мощный усилитель Маломощная схема
- 22. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
- 23. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима б) Сквозная характеристика – это зависимость выходного тока от
- 24. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
- 25. 4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
- 26. 4.5. Схемы включения
- 28. 4.7. Малосигнальные параметры Если переменные напряжения на переходах транзисторов достаточно малы, токи в нём оказываются линейными
- 29. 4.7. Малосигнальные параметры Z-параметры: Z параметры имеют размерность сопротивления, измеряются в режиме холостого хода. Y-параметры: Имеют
- 30. 4.7. Малосигнальные параметры H-параметры:
- 31. 4.8. Эквивалентные схемы Эквивалентная схема – схема, состоящая из линейных элементов (L, C, R, ГТ, ГН),
- 32. 4.8. Эквивалентные схемы Т-образная схема замещения для схемы ОЭ на низких частотах: – интегральный коэффициент усиления
- 33. На ВЧ добавляются ёмкости CЭ, СК, .
- 34. 4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора База транзистора обладает сопротивлением => проходящие через неё токи
- 35. 4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора
- 36. 4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора Эти токи протекают в базе и образуют обратные связи.
- 37. 4.10. Частотные свойства Существует 3 частоты:
- 38. 4.10. Частотные свойства
- 39. 4.11. Транзистор в режиме усиления
- 40. 4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «A»
- 41. 4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «B»
- 42. 4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «C»
- 43. 4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Ключ имеет статические состояния, которые определяются его ВАХ. Исходное состояние:
- 44. 4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Переходные процессы: При рассмотрении переходных процессов удобен метод заряда. Суть
- 45. 4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме В режиме отсечки Qотс=0. Дальше Q нарастает, достигает граничного значения
- 46. 4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Длительность включения: В исходном состоянии транзистор закрыт. В транзисторе есть
- 47. 4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме
- 48. 4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Длительность выключения – время рассасывания избыточных носителей. - время фронта
- 50. Скачать презентацию