Устройства памяти ПЭВМ, внешние запоминающие устройства – функции, характеристики, конструкции, принцип действия
- Главная
- Алгебра
- Устройства памяти ПЭВМ, внешние запоминающие устройства – функции, характеристики, конструкции, принцип действия
Содержание
- 2. Запоминающее устройство именуемые также:
- 3. устройства памяти
- 4. схемы логики
- 5. матрицы памяти
- 6. схемы контроля данных
- 7. дешифраторы
- 8. буферы регистры
- 9. электрические и механические компоненты предназначены для хранения данных
- 10. Основными характеристиками ЗУ является : - емкость памяти, измеряемая в битах либо в байтах; - методы
- 11. Память, хранящая обрабатываемые в текущее время данные и выполняемые команды называется основной памятью- RAM (Random Access
- 12. Каждая передача данных между процессором и памятью называется циклом шины. Количество бит, которые процессор может передать
- 13. Имеется другой вид памяти, который лишен этого недостатка. Эта память называется статической (Static RAM-SRAM), где в
- 14. Принцип действия С учетом указанных в варианте составных частей этого устройства его структурную схему можно представить
- 15. Выбор и обоснование элементной базы В микросхемах памяти динамического типа функции ЭП выполняет электрический конденсатор, образованный
- 16. Параметры указаны на временных диаграммах, (штриховкой обозначены временные интервалы, не фиксируемые по длительности, где сигнады могут
- 17. Режим работы «Считывание-модификация-запись» заключается в считывании информации о последующей записью в один и тот же ЭП.
- 19. Скачать презентацию
Запоминающее устройство именуемые также:
Запоминающее устройство именуемые также:
устройства памяти
устройства памяти
схемы логики
схемы логики
матрицы памяти
матрицы памяти
схемы контроля данных
схемы контроля данных
дешифраторы
дешифраторы
буферы регистры
буферы регистры
электрические и механические компоненты предназначены для хранения данных
электрические и механические компоненты предназначены для хранения данных
Основными характеристиками ЗУ является :
- емкость памяти, измеряемая в битах либо
Основными характеристиками ЗУ является :
- емкость памяти, измеряемая в битах либо
- методы доступа к данным;
- быстродействие(время обращения к устройству);
- надежность работы, характеризуемая зависимостью от окружающей среды и колебаний напряжения питания;
- стоимость единицы памяти.
ЗУ делятся на электронные и электронно-механические. Элекронно-механические в свою очередь делятся на два класса: оперативно запоминающее устройства(ОЗУ) и внешне запоминающее устройство (ВЗУ).
В адресном ОЗУ каждый элемент памяти имеет адрес, соответствующий его пространственному расположению в запоминающей среде. Поэтому, обращение к определенному элементу производится в соответствии с кодом его адреса. В ЗУ после приема кода осуществляется его дешифрацией, после чего следует выборка из элемента конкретной группы битов или слов.
В ассоциативном ЗУ поиск данных происходит по конкретному содержимому, независимо от его адреса. Такой поиск информации идет с использованием определенных признаков, например, ключевых слов, которые связаны с искомыми данными. Ассоциативные устройства. Хотя и являются более сложными, обеспечивают более быстрый поиск и выбор хранимых данных.
Память, хранящая обрабатываемые в текущее время данные и выполняемые команды называется
Оперативная память соединяется с процессором посредством адресной шины и шины данных. Каждая шина состоит из множества электрических цепей (линий или бит). Ширина (разрядность адресной шины определяет сколько адресов может быть в ОЗУ, адресное пространство), а шины данных - сколько данных может быть передано за один цикл.
Каждая передача данных между процессором и памятью называется циклом шины.
Количество бит,
Каждая передача данных между процессором и памятью называется циклом шины.
Количество бит,
Имеется другой вид памяти, который лишен этого недостатка. Эта память называется
Имеется другой вид памяти, который лишен этого недостатка. Эта память называется
где в качестве ЗЭ используется так называемый статический триггер (состоящий из 4-6 транзисторов). Из-за сложности ЗЭ плотность упаковки микросхем SRAM меньше, чем для DRAM. Следовательно, если бы SRAM устанавливалась в качестве оперативной памяти, то это привело бы к увеличению быстродействия ПК, однако при этом существенно изменилась бы его стоимость, поскольку стоимость микросхемы SRAM значительно выше стоимости DRAM.
Принцип действия
С учетом указанных в варианте составных частей этого устройства его
Принцип действия
С учетом указанных в варианте составных частей этого устройства его
Другой функцией блока управления должна быть выдача взаимоисключающих сигналов «Запись в ЗУ» и «Считывание из ЗУ». Их можно получить с клавишного регистра или триггера. Разрабатываемое стековое ЗУ должно работать в двух режимах: циклическом, когда запись в стек и считывание из него могут чередоваться в произвольной последовательности, и динамическом, где последовательность изменений от записи к считыванию и обратно должна быть строго периодической.
Выбор и обоснование элементной базы
В микросхемах памяти динамического типа функции ЭП
Выбор и обоснование элементной базы
В микросхемах памяти динамического типа функции ЭП
Для изготовления микросхем динамических ОЗУ в основном применяют МДП-технологию, которая позволяет повышать быстродействие и уровень интеграции микросхем, обеспечивать малые токи утечки и за этот счет увеличивать время сохранения заряда на запоминающем конденсаторе. Микросхемы динамических ОЗУ отечественного производства представлены в основном серией К565. Она включает в свой „состав ряд микросхем, "отличающихся не только своими характеристиками, но и использованными в них структурными решениями.
Микросхемы динамических ОЗУ работают в следующих режимах: записи, считывания, считывания-модификации-записи страничной записи, страничного считывания, регенерации.
Для оценки быстродействия микросхемы памяти в расчет необходимо принимать время цикла записи (считывания) tu.3n, tu-4. Другие временные параметры необходимы для обеспечения бесперебойного функционирования микросхем в составе электронной аппаратуры. Перечень временных параметров динамических ОЗУ включает десятки наименований.
Параметры указаны на временных диаграммах, (штриховкой обозначены временные интервалы, не фиксируемые
Параметры указаны на временных диаграммах, (штриховкой обозначены временные интервалы, не фиксируемые
Время, в течение которого необходимо обратиться к строке' для регенерации, определяет параметр «Период регенерации». Поскольку обращение к разным строкам происходит с различными по длительности интервалами времени, рассчитывать только на автоматическую регенерацию нельзя. запоминающее устройство память микросхема
Цикл регенерации состоит из m обращений к матрице, где m - - число строк, путем перебора адресов строк с помощью внешнего счетчика циклов обращений. Обращение к матрице для регенерации может быть организовано по любому из режимов: записи, считывания, считывания-модификации-записи, * а также по специальному режиму регенерации -- сигналом RAS.
Режим работы «Считывание-модификация-запись» заключается в считывании информации о последующей записью
Режим работы «Считывание-модификация-запись» заключается в считывании информации о последующей записью
Модификация режима заключается в смене сигнала считывания на сигнал записи и в подведении ко входу DI записываемой информации. Время цикла в этом режиме обращения больше, чем в других. Во всех указанных режимах регенерация осуществляется в естественном порядке, как операция, сопутствующая процессу обращения к микросхеме.
В расчет времени регенерации следует принимать время цик ла ори выбранном режиме регенерации, умножив его на число строк. Например, на регенерацию информации в ЭП одной строки у микросхемы К565РУ5Б а режиме «Считывание-модификация-запись» необходимо не, тогда для регенерации ЭП всех 256 строк потребуется 80 мкс, что составит 4% рабочего времени микросхемы. В режиме регенерации только сигналом общее время, регенерации уменьшается до 6,5 мкс, что составит 3% времени функционирования микросхемы.