Содержание
- 2. Общие параметры ИМС Напряжение(я) питания Uпит (В) Диапазон рабочих температур Температура конденсации влаги при относительной влажности
- 3. Гарантированная наработка на отказ (ч) Интенсивность отказов – плотность вероятности возникновения отказа в заданном промежутке времени:
- 4. Параметры аналоговых ИМС Параметры аналоговых ИМС соответствуют параметрам устройств, которые реализованы в данных микросхемах. # для
- 5. Параметры цифровых интегральных микросхем Уровни напряжений логического «0» и логической «1»: # для ТТЛ U0 ≤0.4В;
- 6. Коэффициент разветвления по выходу Кразв– число входов базовых элементов данной серии, которое можно подключить к выходу
- 7. Коэффициент объединения по входу Коб – число входов данного элемента. Статическая помехоустойчивость – определяется уровнем напряжения,
- 8. Uпор - пороговый уровень переключения микросхемы. При его достижении микросхема переходит из одного логического состояния в
- 9. Динамическая помехоустойчивость – оценивается при подаче на вход элемента импульсов определенной формы, длительности и амплитуды. Параметры
- 11. Быстродействие – определяется по среднему времени задержки распространения сигнала: tзд.р.ср.=0,5*(tзд.р.1,0+ tзд.р.0,1)
- 12. * быстродействие сложной логической схемы находится как сумма tзд.р.ср. для всех последовательно включенных микросхем. # для
- 13. Средняя статическая мощность потребления Pср. Pср= 0.5*(P0 + P1), где P0 – мощность при логическом «0»
- 14. Динамическая мощность Pдин – мощность, измеренная на предельной частоте. Pдин > Pср. В общем случае Pдин=
- 16. Скачать презентацию