Содержание
- 2. pn-переход pn-переход в состоянии термодинамического равновесия
- 3. Область объемного заряда Контактная разность потенциалов:
- 4. Носители тока могут двигаться под действием - электрического поля области объемного заряда; - градиентов концентрации носителей.
- 5. Электрические свойства pn-перехода Идеализированная модель: падение напряжения вне области рп‑перехода не учитывается, а потери или размножение
- 6. Результирующий электронный ток: Дырочный ток: Суммарный ток через p-n переход: справедливо также и для обратного включения
- 7. Вольтамперная характеристика (ВАХ) Чему равен множитель перед U? - при U>0.1 В Рекомбинационный ток - при
- 8. Диффузионный ток Рекомбинационный ток Прямая ВАХ рп-перехода GaAs в полулогарифмическом масштабе (1) и ВАХ при смешанном
- 9. Свойства pn-перехода при освещении Пусть hv = Egap и электронно-дырочные пары возникают только в р-области на
- 10. Режим короткого замыкания - нулевое напряжение смещения рп-перехода, поэтому: Режим холостого хода Фототок уравновешивается «темновым» током
- 11. Освещенный рп-переход под напряжением При положительном напряжении смещения фототок Іф вычитается из темнового тока рп-перехода, а
- 12. Варьируемое сопротивление нагрузки Направление тока в нагрузке совпадает с направлением Іф, а сам ток нагрузки Ін
- 13. Источник тока - имитирует генерацию Iф, не зависящего от напряжения рп-перехода, диод - представляет собой неосвещенный
- 14. Площадь заштрихованного прямоугольника равна Pmax. «Качество» нагрузочной ВАХ тем выше, чем ближе ее форма к прямоугольной
- 15. Коэффициент полезного действия рn-перехода Спектральное распределение потока фотонов солнечного излучения:. Энергия фотонов в излучении с длиной
- 16. Максимально возможные значения КПД СЭ при Т=300 К: 1, 1’ - Кс=1; 2, 2' — Кс
- 17. Температурная зависимость ВАХ: Uхх уменьшается с увеличением T вследствие зависимости I0 (T):
- 19. Скачать презентацию