Фізико–хімічні властивості плюмбум телуриду та дефектна підсистема твердих розчинів PbTe-Sb2Te3

Содержание

Слайд 2

Актуальність теми. Плюмбум телурид є основним матеріалом для створення термоелектричних перетворювачів

Актуальність теми. Плюмбум телурид є основним матеріалом для створення термоелектричних

перетворювачів енергії, фотоприймальних пристроїв, а також випромінювальних структур інфрачервоного діапазону оптичного спектру. Він кристалізується у структурі типу NaCl, яка є характерною для іонних кристалів. Перевагою твердих розчинів у порівнянні із бінарними сполуками є можливість за рахунок зміни складу ефективно впливати на основні властивості матеріалу: ширину забороненої зони, спектральні і температурні характеристики.
Слайд 3

Мета і задачі дослідження. Метою роботи є встановлення домінуючих моделей атомних

Мета і задачі дослідження. Метою роботи є встановлення домінуючих моделей атомних

дефектів та механізмів утворення твердих розчинів у системах PbTe-Sb2Te3.
Виходячи із вище викладеного у кваліфікаційній роботі були поставлені і виконані наступні завдання:
1) Здійснити синтез бінарних сполук PbTe, Sb2Te3 а також твердих розчинів на їх основі із різним ступенем відхилення від стехіометричного складу.
2) Методами хімічного аналізу, рентгенографії і металографії уточнити межі існування твердих розчинів Pb–Sb–Te.
3) Експериментально дослідити залежність комплексу фізико-хімічних параметрів вище вказаних матеріалів від складу і технологічних факторів їх синтезу.
4) Запропонувати кристалоквазіхімічні рівняння основних механізмів дефектоутворення у кристалі Pb-Te та твердих розчинах на їх основі.
5) На основі аналізу експериментальних результатів і кристалохімічних розрахунків зробити висновки про переважаючі точкові дефекти і механізми утворення твердих розчинів у досліджуваних системах.
6) Визначити склад і технологічні фактори синтезу та вирощування сплавів систем Pb-Sb-Te, із наперед заданими властивостями, необхідними для потреб напівпровідникової техніки.
Слайд 4

Рис. 1. Діаграма фазової рівноваги системи Pb–Te

Рис. 1. Діаграма фазової рівноваги системи Pb–Te

Слайд 5

Рис. 2. Т-х-проекція системи Pb-Te поблизу сполуки PbTe.

Рис. 2. Т-х-проекція системи Pb-Te поблизу сполуки PbTe.

Слайд 6

Рис.3. Структура плюмбум телуриду: • – атом Плюмбуму, – атом Телуру,

Рис.3.  Структура плюмбум телуриду: • – атом Плюмбуму,
– атом

Телуру, 1 – тетраедричні порожнини в оточенні Плюмбуму (Телуру), 2 – октаедричні порожнини в оточенні Плюмбуму (Телуру).
Слайд 7

Рис.4. Фазова діаграма рівноваги системи Sb-Te.

Рис.4. Фазова діаграма рівноваги системи Sb-Te.

Слайд 8

Таблиця 2.1 Чистота вихідних компонентів і вміст активних домішок

Таблиця 2.1
Чистота вихідних компонентів і вміст активних домішок

Слайд 9

Рис.5 Cхематичне зображення конструкції печі для вирощування кристалів методом Бріджмена і

Рис.5 Cхематичне зображення конструкції печі для вирощування кристалів методом Бріджмена і

її температурний профіль: 1 – кожух, 2 – азбестова теплоізоляція, 3 – екран, 4 – нагрівник, 5 – заглушка, 6 – керамічна трубка, 7 – ампула, 8 – механізм переміщення .
Слайд 10

Кристалоквазіхімічний кластер n – PbTe (надлишок Плюмбуму у границях області гомогенності)

Кристалоквазіхімічний кластер n – PbTe (надлишок Плюмбуму у границях області

гомогенності) з врахуванням диспропорціювання вакансій у катіонній підгратці Pb буде:
Тут “0”– нульовий заряд, PbPb – плюмбум у вузлі кристалічної гратки,
Pb0 – нейтральний атом свинцю, ТеТе – телур у вузлах кристалічної гратки, α – мольні долі легуючої компоненти, “х” – нейтральний стан атома, – концентрація дірок. Діркова провідність телуриду свинцю, пов’язана із вакансіями у катіонній підгратці та зростанням концентрації вільних дірок.
(діркова провідність плюмбум телуриду пов'язана із вакансіями у катіонній , (1), а електронна – у аніонній (2) підгратках кристалічної структури плюмбум телуриду)
(1)
(2)
Слайд 11

Механізм (АІ) Легуючий кластер: Суперпозицією легуючого кластера з основною матрицею n-PbTe

Механізм (АІ)
Легуючий кластер:
Суперпозицією легуючого кластера з основною матрицею n-PbTe одержимо:
При взаємодії

кластера з р-типом плюмбум телуриду буде:
Механізм (АІІ)
Легуючий кластер буде:
Для твердого розчину на базі n-PbTe:
Утворення твердого розчину на основі плюмбум телуриду р-типу описується формулами:
Слайд 12

Механізм (ВІ) Легуючий кластер: Для n–типу провідності отримаємо: Для р–типу провідності

Механізм (ВІ)
Легуючий кластер:
Для n–типу провідності отримаємо:
Для р–типу провідності кристалохімічні рівняння утворення

твердого розчину будуть наступними:
Механізм (ВІІ)
Легуючий кластер:
Для твердого розчину з n-типом PbTe, за рахунок добудови аніонної підгратки, будуть зростати катіонні вакансії, що призведе до зменшення основних носіїв .
Для р- PbTe:
Слайд 13

Висновки 1 ) Достатньо детально вивчені фазові діаграми рівноваги бінарних систем

Висновки
1 ) Достатньо детально вивчені фазові діаграми рівноваги бінарних систем

Pb–Te, SbTe. Розроблені способи синтезу кристалів із заданими структурною досконалістю, відхиленням від стехіометрії і електричними параметрами.
2) Найбільш широке використання і практичне застосування знайшли способи вакуумного синтезу сполук та їх наступної гомогенізації методом двотемпературного відпалу.
3) Описана технологія синтезу сплавів: температурні режими, часи витримки і гомогенізації, гартування та вирощування монокристалів: методи Бріджмена, Чохральського з парової фази. Звернена увага на переваги і недоліки їх використання.
4) Запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння утворення твердих розчинів n-PbTe-Sb2Te3.
5) Розраховано концентрації дефектів і холлівської концентрації носіїв заряду від вмісту легуючої домішки Sb2Te3.
6) На основі порівняння результатів експерименту і розрахунків визначено домінуючі механізми утворення твердих розчинів.
7) Обробку експериментальних результатів проводили статистичними методами з використанням комп’ютерних технологій