Содержание
- 2. ПОЛУЧЕНИЕ Простейшим способом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре
- 3. ПОЛУЧЕНИЕ Используют методы выращивания кристаллов SiC из газовой фазы или из растворов в расплаве. Большое распространение
- 4. МЕТОД ЛЕЛИ 1 – горячая графитовая труба 2 – холодная графитовая труба 3 – болванка SiC
- 5. МОДИФИЦИРОВАННЫЙ МЕТОД ЛЕЛИ 1 – графитовый тигель 2 – графитовая крышка 3 – болванки SiC 4
- 6. СVD-МЕТОД
- 7. 2Si(solid) + CO(gas) = SiC(solid) + SiO ↑ (gas).
- 9. ДИАГРАММА СОСТОЯНИЯ
- 12. Скачать презентацию