Расчет параметров слоев

Сентябрь 14, 2022

Главная
Математика
Расчет параметров слоев

Содержание

2. [Ом·см]
3. [Ом/•] N(hслоя) = Nподл, N(hслоя) = Nэпитакс Nэмиттера(h эмиттера) = Nакт базы(h эмиттера)
4. Диффузия в полуограниченную область Случай неограниченного источника примеси N(x,t) = Ns erfc (x/L) Случай ограниченного источника
5. Примесь знаем, выбираем Т Условие 1 Условие 2 Получаем t, если меньше 10 минут или больше
6. Примесь знаем, Выбираем Q Условие 1 Условие 2 Получаем Dt (как одну переменную) N(hслоя) = Nфоновое
7. Двух- и трехмерные точечные источники r - расстояние от источника диффузанта m= 1/2, 1 и 3/2,
8. «Разгонка» примеси Многостадийная диффузия Если Dр tр > 3 Dз tз Если Dр tр характеристическая величина
9. заг разг разг заг заг заг заг заг заг заг заг заг заг заг заг заг
10. Рост пленок SiО2
12. Скачать презентацию

Слайд 2

[Ом·см]

Слайд 3

[Ом/•]
N(hслоя) = Nподл, N(hслоя) = Nэпитакс
Nэмиттера(h эмиттера) = Nакт базы(h эмиттера)

Слайд 4

Диффузия в полуограниченную область
Случай неограниченного источника примеси
N(x,t) = Ns erfc

(x/L)
Случай ограниченного источника примеси
N(x,t) = exp ( - x2 /L2)
характеристическая
длина диффузии

Слайд 5

Примесь знаем,
выбираем Т
Условие 1
Условие 2
Получаем t,
если меньше 10 минут

или больше 10 часов
находим

N(hслоя) = Nфоновое

Слайд 6

Примесь знаем,
Выбираем Q
Условие 1
Условие 2
Получаем Dt
(как одну переменную)
N(hслоя) = Nфоновое
Если

заданы параметры после разгонки

Подбираем под Q
T и t загонки
выбираем Т
Получаем t,
если меньше 10 минут или больше 10 часов

Слайд 7

Двух- и трехмерные точечные источники
r - расстояние от источника диффузанта

m= 1/2, 1 и 3/2, соответственно, для одно-, двух- и трехмерного источников
Формула Пуассона

Слайд 8

«Разгонка» примеси Многостадийная диффузия
Если Dр tр > 3 Dз tз

Если Dр tр < Dз tз

характеристическая величина D t = Dз tз + Dр tр

Dр tр = Dр1 tр1 + Dр2 tр2 + … + Dрi tрi

Слайд 9

заг
разг
разг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
заг
заг
заг
заг
заг
заг

Слайд 10

Рост пленок SiО2